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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-01 16:35 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析 ○李 龍聖・森 貴之（金沢工大）・岡 博史・森 貴洋（産総研）・井田次郎（金沢工大）  SDM2023-42 ICD2023-21 |
本稿では、200 nm SOI MOSFETにおいて、極低温下でのみ発生する基板バイアス効果での特異な現象について継続解... [more] | SDM2023-42 ICD2023-21 pp.32-35 |
| HWS, VLD (共催) |
2023-03-01 11:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
同一の回路構造のリングオシレータを用いた65nm FDSOIプロセスに発生するBTI劣化の実測評価 ○菊田大輔（京都工繊大）・岸田 亮（富山県立大）・小林和淑（京都工繊大） VLD2022-73 HWS2022-44 |
集積回路の微細化に伴いBTI (Bias Temperature Instability) などの経年劣化現象により回路... [more] | VLD2022-73 HWS2022-44 pp.1-6 |
| MW | 2020-12-10 16:25 |
神奈川 | 富士通研究所 (厚木)+オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Cross coupled CMOS pair を用いる2.4 GHz帯SOI-CMOS整流器IC ○廣野敦哉・伊東健治・坂井尚貴・土本隼也（金沢工大） MW2020-78 |
本報告では，CMOSプロセスによる整流器ICの高効率化，大電力化を目的に実施した，2.4 GHz帯整流器IC の設計・試... [more] | MW2020-78 pp.42-47 |
| MW (第二種研究会) |
2020-05-13 - 2020-05-15 |
海外 | CU（タイ・バンコク） （開催延期） |
Analysis and Fabrication of Rectenna with SOI-MOSFET Diode and High Impedance Antenna for RF Energy Harvesting ○Keisuke Kawano・Yasunori Tsuchiya・Jiro Ida・Takayuki Mori（Kanazawa Inst of Tech） |
We analyzed and fabricated the rectenna with combination of ... [more] | |
| MW (第二種研究会) |
2019-06-26 - 2019-06-28 |
海外 | RUS（タイ・バンコク） | Fabrication of Rectenna with 10 kOhm Antenna and SOI-MOSFET Diode for RF Energy Harvesting ○Ryota Yanagi・Yasunori Tsuchiya・Jiro Ida・Takayuki Mori・Takuya Yamada・Keisuke Noguchi・Kenji Itoh（KIT） |
We fabricated a rectenna which has the 10 kOhm high impedanc... [more] | |
| WPT, MW (共催) |
2019-04-22 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | nW級1MHz帯レクテナ ○安丸暢彦・中西甲人・伊東健治・土本隼也・山田拓弥・森 貴之・井田次郎（金沢工大） WPT2019-8 MW2019-8 |
本報告ではAM放送波を用いる環境発電用nW級1MHz帯レクテナについて報告する．整流素子には，市販のSi SBD，40n... [more] | WPT2019-8 MW2019-8 pp.39-43 |
| HWS, VLD (共催) |
2019-02-28 10:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの実チップによる評価 ○真崎 諒・吉田有佑（芝浦工大）・天野英晴（慶大）・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2018-108 HWS2018-71 |
近年、IoTデバイスが急速に増加している。IoTデバイスの１つであるセンサーノードや小型医療デバイス等、必ずしも高い演算... [more] | VLD2018-108 HWS2018-71 pp.91-96 |
| MW (第二種研究会) |
2018-06-27 - 2018-06-29 |
海外 | KMITL（タイ・バンコク） | High Efficiency Rectenna Design with High Impedance Antenna and SOI-MOSFET Connected Diode for RF Energy Harvesting ○Yasunori Tsuchiya・Jiro Ida・Takayuki Mori・Takuya Yamada・Shun Momose・Keisuke Noguchi・Kenji Itoh（KIT） |
The rectification efficiency of the rectenna were simulated ... [more] | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-02 11:35 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性 ○百瀬 駿・井田次郎・森 貴之・吉田貴大・岩田潤平・堀井隆史・古田貴大・山田拓弥・高松大地・伊東健治（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2017-45 ICD2017-33 |
新たに提案した極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied SOI FETを用いたGat... [more] | SDM2017-45 ICD2017-33 pp.109-114 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 09:00 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス制御による低消費電力スタンダードセルメモリの設計と実装 ○吉田有佑・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-53 DC2016-47 |
スタンダードセルメモリ(Standard Cell Memory : SCM)はSRAMに代わる低電圧動作可能な組み込み... [more] | VLD2016-53 DC2016-47 pp.55-60 |
| SDM | 2016-11-10 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］センサーネットワーク時代の低エネルギーSOIデバイスの展開可能性と見通し ○大村泰久（関西大） SDM2016-81 |
本稿では、SOI TFETを含むいろいろなSOIデバイスの性能の特徴と見通しを議論する。埋め込み医療デバイスやセンサー・... [more] | SDM2016-81 pp.15-22 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 14:40 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET ○吉田貴大・井田次郎・堀井隆史（金沢工大）・沖原将生（ラピス）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2016-66 ICD2016-34 |
PN-Body Tied SOI FETのBody Tied部のN層の濃度を濃いN+層から薄いN-層に見直すことで、ボデ... [more] | SDM2016-66 ICD2016-34 pp.117-121 |
| RECONF, CPSY, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2015-01-29 17:00 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討 ○小坂 翼・中村昌平・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 |
微細化による性能向上はリーク電流の指数関数的な増加による消費電力の増大とプロセスばらつきにより阻まれている。これらを解決... [more] | VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 pp.99-104 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 09:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | SOI構造における急峻なサブスレッショルド特性の解析 ○森 貴之・井田次郎（金沢工大） SDM2013-65 ICD2013-47 |
フローティングボディ構造 (FB) 及びボディタイ構造 (BT) のSOI MOSFETにおいて急峻なサブスレッショルド... [more] | SDM2013-65 ICD2013-47 pp.1-6 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 09:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減 ○水谷朋子（東大）・山本芳樹・槇山秀樹・篠原博文・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・平本俊郎（東大） SDM2013-75 ICD2013-57 |
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルのセル電流ばらつきを評... [more] | SDM2013-75 ICD2013-57 pp.47-52 |
| VLD, IPSJ-SLDM (連催) |
2013-05-16 14:10 |
福岡 | 北九州国際会議場 | 薄膜BOX-SOIを用いた超低電圧向けレベルシフタ回路の検討 ○中村昌平・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2013-5 |
FD-SOIのデバイスの一つである薄膜BOX-SOI (Silicon on Thin Buried Oxide: SO... [more] | VLD2013-5 pp.43-48 |
| SDM | 2012-11-16 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI-CMOSの微細化指針に関する検討 ○佐藤大貴・大村泰久（関西大） SDM2012-105 |
Cross-Current Tetrode (XCT) SOI CMOSの応用開拓のために、XCT-SOI-CMOSの低... [more] | SDM2012-105 pp.31-36 |
| SDM | 2012-11-16 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション ○図師知文（早大/JST）・大毛利健治・山田啓作（筑波大/JST）・渡邉孝信（早大/JST） SDM2012-108 |
ナノMOSFETにおいて形成されるとされる縦波光学(LO)フォノンが滞留した非平衡熱分布，いわゆるホットスポットの熱散逸... [more] | SDM2012-108 pp.47-52 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 13:25 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき ○水谷朋子（東大）・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・平本俊郎（東大） SDM2012-69 ICD2012-37 |
65nm技術で作製した薄膜BOX-SOI(SOTB)トランジスタのドレイン電流ばらつきを評価し，バルクMOSトランジスタ... [more] | SDM2012-69 ICD2012-37 pp.33-36 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 11:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Thermal-Aware Device Desing of Nanoscale MOS Transistors ○Ken Uchida（Keio Univ.）・Tsunaki Takahashi・Nobuyasu Beppu（Tokyo Tech） |
The self-heating effects in Bulk/SOI FinFETs have been syste... [more] | |
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