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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
15:25
愛知 名古屋工業大学 -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究
河野 司久志本真希永松謙太郎新田州吾本田善央天野 浩名大ED2017-53 CPM2017-96 LQE2017-66
MOVPE成長による-c面GaN基板上のGaNは、+c面GaN基板上のGaNに比べ、電子を補償する炭素の取り込み量が少な... [more] ED2017-53 CPM2017-96 LQE2017-66
pp.19-22
OME, EMD, CPM
(共催)
2014-06-20
14:20
東京 機械振興会館 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に堆積した窒素ドープZnO薄膜の成長
大橋優樹叶内慎吾山口直也玉山泰宏加藤孝弘安井寛治長岡技科大EMD2014-17 CPM2014-37 OME2014-25
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高エネルギーH2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エ... [more] EMD2014-17 CPM2014-37 OME2014-25
pp.49-53
OME 2012-10-17
14:20
東京 機械振興会館 B1F 3号室 有機物・ポリマーのための質量顕微鏡の開発
坂本哲夫工学院大OME2012-49
近年有機デバイスの開発が進んでいるが、多くは多層膜・パターニング等の微小構造によりその機能を発現している。成膜の良否、混... [more] OME2012-49
pp.21-25
SDM 2011-02-07
15:25
東京 機械振興会館 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス
北田秀樹前田展秀東大)・藤本興治大日本印刷)・水島賢子中田義弘中村友二富士通研)・大場隆之東大SDM2010-224
低温プラズマCVDを用いたCu貫通ビア(TSV)製造のCu拡散の挙動を評価した。成膜温度が150℃の低温-PECVD法で... [more] SDM2010-224
pp.49-53
ED 2010-10-25
13:50
京都 宇治おうばくプラザ(京都大学) 窒素添加ダイヤモンドからの電子放出特性とC-N結合の関係
工藤唯義筑波大/国際基督教大)・増澤智昭佐藤祐介国際基督教大)・齋藤市太郎国際基督教大/ケンブリッジ大)・山田貴壽産総研)・Angel KohDaniel Chuaシンガポール国立大)・吉野輝雄田 旺帝国際基督教大)・山崎 聡筑波大/産総研)・岡野 健国際基督教大ED2010-130
尿素,ジメチル尿素という2種類の不純物源を用いて合成した窒素添加ダイヤモンドについて,飛行時間二次イオン質量分析(TOF... [more] ED2010-130
pp.11-15
SDM 2010-10-21
17:40
宮城 東北大学 薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化
岩鍜治陽子広田 潤矢吹 宗石田浩一金子和香奈水島一郎赤堀浩史東芝SDM2010-158
センサー、太陽電池、液晶など様々な製品にポリシリコンが多用されている。近年、それらデバイスに対し薄膜ポリシリコン層を用い... [more] SDM2010-158
pp.31-34
SDM 2009-10-30
13:00
宮城 東北大学 SiO2膜におけるRIEダメージの修復
川田宣仁永嶋賢史市川 徹赤堀浩史東芝SDM2009-129
MOSデバイスの微細化が進むにつれてゲート加工によるRIE(Reactive Ion Etching)ダメージの影響がよ... [more] SDM2009-129
pp.51-56
SDM 2008-10-10
15:45
宮城 東北大学 シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響
永嶋賢史赤堀浩史東芝SDM2008-166
一般的なメモリやCMOSプロセスにおいては、拡散層やゲート電極にリンやボロン、砒素等の不純物をドープしたシリコン材料が用... [more] SDM2008-166
pp.63-68
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
11:15
愛知 名古屋工業大学 Si基板上減圧MOCVD成長AlxGa1-xNの諸特性
広森公一石川博康十倉史行嶋中啓太森 直人森本智彦名工大ED2008-14 CPM2008-22 SDM2008-34
Si基板上減圧MOCVD成長AlxGa1-xNについて、諸特性のリアクタ圧力依存性を調べた。成長圧力が高くなるに従いAl... [more] ED2008-14 CPM2008-22 SDM2008-34
pp.67-70
SDM 2007-10-05
15:25
宮城 東北大学 LSAとSpike-RTAの組合せによる極浅接合形成技術
遠藤誠一丸山祥輝川崎洋司山下朋弘尾田秀一井上靖朗ルネサステクノロジSDM2007-191
本報告では、複数のspike-RTAとLSAの組み合わせに対するBF2 source/drain-extention(S... [more] SDM2007-191
pp.61-64
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