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講演検索結果
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 68件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2024-04-11
13:00
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
高温動作向けナノブリッジベースの不揮発性メモリマクロ
根橋竜介岡本浩一郎阪本利司多田宗弘NBS
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
(連催) [詳細]
2024-01-25
13:10
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[ポスター講演]三層GTOを用いたReRAMにおける負性抵抗を利用した抵抗変化挙動[ポスター講演]
阿部祥也谷内田健太澤井一輝龍谷大)・松田時宜近畿大)・河西秀典木村 睦龍谷大EID2023-3
ReRAMは高密度、安定性、高速動作、低コストなどの特徴から注目されている。そこで、アモルファス酸化物半導体(AOS)で... [more] EID2023-3
pp.5-8
ICD 2023-04-11
14:10
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]混載不揮発性メモリ向けのナノブリッジ技術
根橋竜介岡本浩一郎阪本利司多田宗弘NBSICD2023-11
ナノブリッジは、電気化学反応を利用した抵抗変化素子の一種である。ナノブリッジは、CMOS性能を犠牲にすることなく、通常の... [more] ICD2023-11
pp.24-28
SDM 2022-11-11
17:15
ONLINE オンライン開催 ReRAMのサイクル変動特性の評価とモデリング
吉本将馬竹森聖起鎌倉良成阪工大SDM2022-78
ReRAM電気特性のスイッチングサイクル毎の変動を多数回にわたり測定し,データを解析することで素子内部状態を特徴づける諸... [more] SDM2022-78
pp.68-72
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-ARC
(連催) [詳細]
2021-07-21
10:15
ONLINE オンライン開催 ベクトル行列積演算に対する誤差を許容する誤り訂正符号化
大谷怜央金子晴彦東工大CPSY2021-7 DC2021-7
信頼性や精度が低いハードウェア上で実行されるベクトル-行列積演算に対して誤り制御符号を適用することにより演算の信頼性と精... [more] CPSY2021-7 DC2021-7
pp.37-42
SDM 2021-06-22
16:50
ONLINE オンライン開催 アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ
松井千尋竹内 健東大SDM2021-27
ストレージアプリケーションに起因してTaOx ReRAMセルにはさまざまなエラーが発生するため,エラーを訂正するためにス... [more] SDM2021-27
pp.21-22
SDM 2021-06-22
17:10
ONLINE オンライン開催 組合せ最適化問題に向けたReRAMを用いたコンピュテーション・イン・メモリにおける量子化ビット数とエラー率の解への影響
三澤奈央子田岡健太越能俊介松井千尋竹内 健東大SDM2021-28
組合せ最適化問題の1つであるナップサック問題を,抵抗変化型メモリReRAM(Resistive Random Acces... [more] SDM2021-28
pp.23-26
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
15:00
ONLINE オンライン開催 TiN電極を用いたTa2O5-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存
山田和尚木本恒暢京大)・西 佑介京大/舞鶴高専EID2020-11 SDM2020-45
本研究では、Ni/Ta2O5/TiN積層構造を有する素子の抵抗変化現象について調べた.同一の素子において、異なる二種類の... [more] EID2020-11 SDM2020-45
pp.42-45
HWS, VLD
(共催) [詳細]
2020-03-05
15:20
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行あり)
[記念講演]Workload-aware Data-eviction Self-adjusting System of Multi-SCM Storage to Resolve Trade-off between SCM Data-retention Error and Storage System Performance
Reika KinoshitaChihiro MatsuiAtsuya SuzukiShouhei FukuyamaKen TakeuchiChuo Univ.VLD2019-119 HWS2019-92
 [more] VLD2019-119 HWS2019-92
pp.145-150
CPM 2019-02-28
16:20
東京 電通大 窒化ジルコニウム薄膜を用いた金属-絶縁-金属構造における電気伝導特性
北田秀樹佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2018-111
不揮発性メモリへ用いられる抵抗変化型メモリは, 2端子回路において多値機能と迷走電流を防止する整流機能が必要である.窒化... [more] CPM2018-111
pp.45-48
ICD 2018-04-19
14:55
東京 機械振興会館 [招待講演]Low power Deep Learning hardware using emerging analog non-volatile memory
Irina KataevaDENSO Corp.
 [more]
MBE, NC, NLP
(併催)
2018-01-27
11:45
福岡 九州工業大学 ReRAMニューロンデバイスによるニューラルパルスコーディング
中田一紀広島市大NLP2017-98
ニューロモルフィックシステムや機械学習アルゴリズムのハードウェア実装の研究が進展している.最近では,それらの応用において... [more] NLP2017-98
pp.63-68
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
14:15
京都 京都大学 アモルファス酸化物半導体を用いたクロスポイント型シナプス
田中 遼杉崎澄生木村 睦龍谷大EID2017-20 SDM2017-81
我々は脳型集積システムに向けたクロスポイント型シナプスをアモルファス酸化物半導体を用いて作製した。クロスポイント型シナプ... [more] EID2017-20 SDM2017-81
pp.45-49
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
11:15
北海道 北海道大学情報教育館 [招待講演]A Cross Point Cu-ReRAM with a Novel OTS Selector for Storage Class Memory Applications
保田周一郎大場和博水口徹也清 宏彰紫牟田雅之荒谷勝久椎本恒則山元哲也曽根威之野々口誠二奥野 潤河内山 彰大塚 渉筒井敬一ソニーセミコンダクタソリューションズSDM2017-34 ICD2017-22
本講演では2017 Symposium on VLSI Technologyで発表したストレージクラスメモリ応用に向けた... [more] SDM2017-34 ICD2017-22
pp.17-20
ICD, CPSY
(共催)
2016-12-15
15:30
東京 東京工業大学 [ポスター講演]低電圧動作ReRAMの書き換え電圧昇圧回路の高速化
鈴木健太田中誠大鶴見洸太竹内 健中大ICD2016-67 CPSY2016-73
次世代不揮発性メモリとして低消費電力,高速動作可能な抵抗変化型メモリ(ReRAM)が注目されている。ReRAMは印加する... [more] ICD2016-67 CPSY2016-73
p.53
ICD, CPSY
(共催)
2016-12-15
15:30
東京 東京工業大学 [ポスター講演]ReRAMの書き換え耐久性におけるエラー傾向の解析
福山将平前田一輝竹内 健中大ICD2016-70 CPSY2016-76
抵抗変化型メモリ(ReRAM)は低消費電力かつ高速で動作可能であるため、ストレージ・クラス・メモリ(SCM)の1つとして... [more] ICD2016-70 CPSY2016-76
p.59
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
13:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 第一原理計算による多結晶酸化物薄膜の抵抗変化メカニズムの検討
森山拓洋肥田聡太鳥取大)・山崎隆浩大野隆央物質・材料研究機構)・岸田 悟木下健太郎鳥取大EID2016-18 SDM2016-99
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 金属酸化物(MO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である. 薄膜... [more] EID2016-18 SDM2016-99
pp.41-44
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
13:45
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 Pt/Nb:STO接合におけるメモリ特性とショットキーパラメータの関係
塩見俊樹萩原祐仁岸田 悟木下健太郎鳥取大
 [more]
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-30
14:35
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス IoTデバイス向けReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化およびコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法
鶴見洸太田中誠大竹内 健中大CPM2016-89 ICD2016-50 IE2016-84
IoT向けのメモリやデータストレージとして,高速かつ低電力動作可能なReRAMが注目されている。IoT向けデバイスは小型... [more] CPM2016-89 ICD2016-50 IE2016-84
pp.69-74
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
09:45
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]ReRAM固有の抵抗ばらつきを利用した40nm混載メモリ向け高信頼性PUF開発
吉本裕平加藤佳一小笠原 悟魏 志強河野和幸PSCSSDM2016-61 ICD2016-29
Physically Unclonable Function(PUF)は,製造ばらつきをチップ固有のIDとして利用し,複... [more] SDM2016-61 ICD2016-29
pp.89-94
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