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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2020-10-22
15:50
ONLINE オンライン開催 統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析
秋元 瞭黒田理人東北大)・寺本章伸広島大)・間脇武蔵市野真也諏訪智之須川成利東北大SDM2020-21
本研究では, 長方形と台形のゲートを有する, 各11520個のトランジスタのランダムノイズ特性を測定し, 振幅や時定数と... [more] SDM2020-21
pp.34-39
SDM 2018-10-18
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析
市野真也寺本章伸黒田理人間脇武蔵諏訪智之須川成利東北大SDM2018-62
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす,しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ(RTN)といったMOSト... [more] SDM2018-62
pp.51-56
SDM 2017-10-26
14:00
宮城 東北大学未来研 高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析
市野真也間脇武蔵寺本章伸黒田理人若嶋駿一須川成利東北大SDM2017-60
CMOSイメージセンサ(CIS)の画素内ソースフォロアトランジスタ(SF)で発生するランダムテレグラフノイズ(RTN)に... [more] SDM2017-60
pp.57-62
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
09:30
熊本 熊本市 [招待講演]低電力混載ReRAM技術
植木 誠田辺 昭砂村 潤成廣 充上嶋和也増﨑幸治古武直也満生 彰武田晃一長谷 卓林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2015-65 ICD2015-34
低電力MCU向けの不揮発メモリーとしてスケーラブルなReRAM素子(活性領域は0.009um2)から成る 2MbのReR... [more] SDM2015-65 ICD2015-34
pp.41-46
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2014-11-26
15:35
大分 ビーコンプラザ(別府国際コンベンションセンター) RTNを考慮したSRAM不良確率の高速計算
粟野皓光廣本正之佐藤高史京大VLD2014-74 DC2014-28
本研究ではRandom Telegraph Noise(RTN)がStatic Random Access Memory... [more] VLD2014-74 DC2014-28
pp.15-20
SDM 2014-10-17
13:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]電子捕獲履歴現象を利用したナノスケールMOSFETにおける多値ランダムテレグラフノイズの解析
土屋敏章島根大SDM2014-92
ランダムテレグラフノイズ(RTN)に関与している酸化膜トラップにおける電子捕獲履歴現象を利用し,RTNを解析する新たな手... [more] SDM2014-92
pp.47-54
SDM 2014-10-17
13:50
宮城 東北大学未来研 MOSFETにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こすトラップ密度の解析に関する研究
小原俊樹寺本章伸黒田理人米澤彰浩後藤哲也諏訪智之須川成利大見忠弘東北大SDM2014-93
アレイテスト回路を使用することで多数のサンプルにおいて,2準位以上のRandom Telegraph Noise(RTN... [more] SDM2014-93
pp.55-59
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2011-11-28
16:30
宮崎 ニューウェルシティ宮崎 ランダムテレグラフノイズモデル化のためのパラメータ推定法の検討
粟野皓光清水裕史筒井 弘越智裕之佐藤高史京大VLD2011-66 DC2011-42
ランダムテレグラフノイズ (Random Telegraph Noise: RTN) は微細デバイスの信頼性や回路特性に... [more] VLD2011-66 DC2011-42
pp.85-90
SDM 2011-10-20
13:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]完全空乏型SOI MOSFETにおける特性ばらつきとランダムテレグラフノイズ
平本俊郎東大SDM2011-97
イントリンジックチャネル完全空乏型(FD) SOI MOSFETの統計的性質を実測し,従来のバルクMOSトランジスタと比... [more] SDM2011-97
pp.1-4
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