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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 15:30 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 40 nm SiONプロセスにおけるランダムテレグラフノイズ複合欠陥モデルを用いた回路解析手法 ○籔内美智太郎・大島 梓・駒脇拓弥・小林和淑・岸田 亮・古田 潤（京都工繊大）・Pieter Weckx（ルーベン・カトリック大/IMEC）・Ben Kaczer（IMEC）・松本高士（東大）・小野寺秀俊（京大）  VLD2016-52 DC2016-46 |
複合欠陥を考慮したランダムテレグラフノイズ (RTN: Random Telegraph Noise) モデルを用いた回... [more] | VLD2016-52 DC2016-46 pp.49-54 |
| SDM | 2016-10-27 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究 ○間脇武蔵・寺本章伸・黒田理人・市野真也・後藤哲也・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2016-75 |
MOSFETの微細化に伴い、RTN(Random Telegraph Noise)の影響が顕在化している。 RTNの発生... [more] | SDM2016-75 pp.35-38 |
| VLD | 2011-03-02 17:00 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター | ［フェロー記念講演］More Mooreに立ちはだかるCMOSばらつきの理解に向けて ○小野寺秀俊（京大/JST） VLD2010-124 |
デバイス寸法がナノメートルの領域に入ってきた現在、デバイス特性の ばらつきはLSI設計における深刻な問題となってきた。... [more] |
VLD2010-124 p.49 |
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