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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-10-13 17:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 窒素添加LaB6 /LaBxNy積層構造を用いたボトムゲート型OFET/ReRAM集積化に関する検討 ○趙 嘉昂・大見俊一郎（東工大）  SDM2023-61 |
本研究では、窒素添加LaB6をターゲットとしてAr/N2プラズマを用いた反応性スパッタ法により形成したLaBxNy絶縁膜... [more] | SDM2023-61 pp.46-49 |
| MIKA (第三種研究会) |
2023-10-10 15:35 |
沖縄 | 沖縄県市町村自治会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［ポスター講演］RFフィルタ向けエピタキシャル圧電薄膜多層構造 ○渡海 智・柳谷隆彦（早大） |
スマートフォンに代表される無線通信デバイスには、複数の無線周波数から所望の周波数のみを選択し送受信するための周波数フィル... [more] | |
| SDM | 2022-10-19 17:20 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2022-63 |
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] | SDM2022-63 pp.38-42 |
| SDM | 2021-10-21 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for non-volatile memory applications ○Eun-Ki Hong・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2021-46 |
[more] | SDM2021-46 pp.8-11 |
| SDM | 2021-10-21 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2021-47 |
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] | SDM2021-47 pp.12-15 |
| CPM | 2020-10-29 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 共スパッタ法を用いた金添加酸化タンタル薄膜の作製と光触媒への応用に向けた基礎検討 ○伊藤 開・橋本祐也・三浦健太・野口克也・加田 渉・花泉 修（群馬大） CPM2020-18 |
簡便な共スパッタ法を用いて金添加酸化タンタル薄膜(Ta2O5:Au)を作製し，光触媒への応用に向けた基礎検討を行った．7... [more] | CPM2020-18 pp.27-30 |
| SDM | 2019-10-23 14:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成 ○片岡正和・林 将生・キム ミンギ・大見俊一郎（東工大） SDM2019-54 |
本研究では、ノンドープHfO2薄膜を用いた強誘電体ゲートFETの実現を目的として、Hf界面層の導入による低誘電率SiO2... [more] | SDM2019-54 pp.7-10 |
| SDM | 2018-10-18 10:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 on Si(100) by RF magnetron sputtering ○Min Gee Kim・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2018-58 |
In this study, we investigated thin film formation of ferroe... [more] | SDM2018-58 pp.31-34 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:15 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 ○髙木 瞭（龍谷大）・梅田鉄馬（奈良先端大）・松田時宜（龍谷大）・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2017-16 SDM2017-77 |
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O（a-GTO）薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] | EID2017-16 SDM2017-77 pp.23-28 |
| SDM | 2017-02-06 10:05 |
東京 | 東京大学/本郷 | ［招待講演］Impact of Dry Process Damage on Chemical Mechanical Planarization with Cu/low-k Structure ○小寺雅子・矢野博之・宮下直人（東芝） SDM2016-139 |
銅配線と低誘電率膜からなるLSI構造（Cu/low-k構造）においてドライエッチング工程後にLow-k膜中のC-H/C-... [more] | SDM2016-139 pp.1-4 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 13:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 ○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-15 SDM2015-98 |
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] | EID2015-15 SDM2015-98 pp.27-30 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 ○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-20 SDM2015-103 |
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] | EID2015-20 SDM2015-103 pp.49-52 |
| CPM | 2015-08-11 09:40 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製 ○佐藤 勝・武山真弓・野矢 厚（北見工大） CPM2015-40 |
Cuを用いたシリコン貫通ビアに適用可能な拡散バリヤとして、スパッタにホットワイヤによるラジカル反応を組み合わせた手法を用... [more] | CPM2015-40 pp.47-50 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:45 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜の特性評価 ○加藤雄太・西本大樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-28 SDM2014-123 |
RFマグネトロンスパッタリング法により組成比の異なる2種類のGaSnO(GTO)薄膜をそれぞれ成膜圧力を変えて作製し、特... [more] | EID2014-28 SDM2014-123 pp.79-82 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-11 10:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | O2混合Arスパッタにより室温成膜したSiO2膜の電気特性評価 井村公彦・○岡田竜弥・下田清治・杉原弘也・野口 隆（琉球大） SDM2014-13 OME2014-13 |
フレキシブルディスプレイの作製において，良質の絶縁膜をプラスチックなどの低耐熱性基板上に形成することが求められる．本研究... [more] | SDM2014-13 OME2014-13 pp.55-57 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 13:50 |
東京 | 中央大学 | L10型規則構造を持つ強磁性合金薄膜の表面平坦性制御 ○板橋 明・大竹 充（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2013-7 |
L10構造を持つエピタキシャルFePd，FePt，および，CoPt合金薄膜を超高真空RFマグネトロンスパッタリング法によ... [more] | MR2013-7 pp.7-12 |
| CPM | 2012-10-26 14:15 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討 ○名越克仁・富口祐輔・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎・坪井 望・野本隆宏（新潟大） CPM2012-95 |
本研究では，市販ターゲットを用い，低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法による膜堆積時の基板温度変化や堆積... [more] | CPM2012-95 pp.13-16 |
| US | 2012-09-24 14:45 |
秋田 | 秋田大学 手形キャンパス | RFマグネトロンスパッタ法における基板へのイオン照射を用いた極性反転ZnO薄膜の作製 ○生駒 遼（同志社大）・柳谷隆彦（名工大）・高柳真司（同志社大）・鈴木雅視（名工大）・小田川裕之（熊本高専）・松川真美（同志社大） US2012-61 |
ZnO結晶のc軸方向には極性があり，通常，スパッタ法などで作製したc軸配向ZnO薄膜は成長終端がZn極性面となるように成... [more] | US2012-61 pp.21-25 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 10:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［ポスター講演］The surface morphology and electrical properties of NiO with various RF power and O2/(Ar+O2) gas mixture ○Jonghun Kim・Gyohun Koo・Changju Lee・Sungho Hahm（Kyungpook National Univ.）・Youngchul Jung（Gyeongju Univ.）・Yougsoo Lee（Kyungpook National Univ.） |
The crystalline structures of reactively sputtered nickel ox... [more] | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 14:50 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価 ○丹羽彬夫・以西雅章・中村光宏・野口貴史（静岡大） ED2012-37 CPM2012-21 SDM2012-39 |
RFマグネトロンスパッタリング法により，Li二次電池正極用のLiMn2O4薄膜を生成している．本研究では，様々な条件で薄... [more] | ED2012-37 CPM2012-21 SDM2012-39 pp.99-104 |
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