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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2023-12-27 10:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 量子ドットと高分子ブレンド膜を発光層とした全塗布型発光素子の作製と積層による高性能化 ○伊東栄次・関野太介（信州大）  OME2023-74 |
本研究では半導体量子ドットと高分子ブレンド膜を発光層とした多層型発光ダイオードの開発を目指した．ITO付きガラス基板上に... [more] | OME2023-74 pp.33-37 |
| MIKA (第三種研究会) |
2023-10-11 14:30 |
沖縄 | 沖縄県市町村自治会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［ポスター講演］セシウム原子を用いた高周波減衰量の量子計測 ○山本真大・東島侑矢・木下 基（産総研） |
近年情報通信等の分野における高周波利用ニーズの高まりを受けて、高周波物理量を精密に計測する重要性が高まっている。中でも高... [more] | |
| SCE | 2022-01-21 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 厚い三層メンブレンを用いた超伝導転移端ガンマ線マイクロカロリメータの熱特性とマイクロ波多重読出 ○菊地貴大・藤井 剛（産総研）・早川亮太（都立大）・ライアン スミス（東大）・平山文紀・佐藤 泰・神代 暁・浮辺雅宏（産総研）・大野雅史（東大）・佐藤 昭・山森弘毅（産総研） SCE2021-16 |
厚いメンブレンは強い機械的強度を示す。そのため、ガンマ線マイクロカロリメータ(γ-TES)の重金属のバルク吸収体を支える... [more] | SCE2021-16 pp.22-27 |
| LQE, LSJ (共催) |
2019-05-31 11:00 |
滋賀 | 琵琶湖コンファレンスセンター | 量子カスケード検出器の高速動作 ○道垣内龍男・伊藤昭生・日高正洋・藤田和上・枝村忠孝（浜松ホトニクス） LQE2019-19 |
電子のサブバンド間遷移を利用した光検出器である量子カスケード検出器(Quantum cascade detector: ... [more] | LQE2019-19 pp.31-34 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2019-01-25 09:30 |
鹿児島 | 鹿児島大学 稲盛会館 | 量子ドット発光ダイオードの作製と発光機構評価 ○佐野翔一・高田 誠・永瀬 隆・小林隆史・内藤裕義（阪府大） EID2018-9 |
表面を化学修飾した量子ドット(QD)は塗布プロセスでのデバイス作製が可能な無機半導体材料である。そのため、量子発光ダイオ... [more] | EID2018-9 pp.61-64 |
| SDM | 2018-11-08 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］電子デバイスの開発と教育における計算機シミュレーションの利用 ○内田 建（東大）・田中貴久（慶大） SDM2018-65 |
ナノスケール世代における電子デバイスの開発では，量子効果を取り込み，バンド構造などを詳細に考慮した計算機シミュレーション... [more] | SDM2018-65 pp.7-10 |
| SDM | 2017-11-10 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション ○森 伸也・美里劫夏南（阪大）・岩田潤一・押山 淳（東大） SDM2017-69 |
ナノワイヤトランジスタなどの極めて微細なデバイスの電気特性をシミュレーションするため，実空間密度汎関数法と非平衡グリーン... [more] | SDM2017-69 pp.43-46 |
| ED | 2015-12-21 14:10 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | GaAsSbバックワードダイオードの非平衡量子輸送モデルによる理論解析 ○藤田尚成・小野孝介・須原理彦（首都大東京）・高橋 剛（富士通研） ED2015-93 |
GaAsSb系バックワードダイオードの直流I-V特性とSパラメータの周波数特性を表現する理論モデルの構築を行った。トンネ... [more] | ED2015-93 pp.13-18 |
| SDM, ED (共催) |
2015-02-06 11:05 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | グラフェン単キャリアトランジスタの作製と特性評価 ○岩崎拓哉・ムルガナタン マノハラン・水田 博（北陸先端大） ED2014-150 SDM2014-159 |
単一量子ドット(QD)を持つグラフェン単キャリアトランジスタ(SCT)を作製し, 単キャリア輸送特性の評価・解析を行った... [more] | ED2014-150 SDM2014-159 pp.69-73 |
| QIT (第二種研究会) |
2014-11-18 11:40 |
宮城 | 東北大学 | Zero-dynamics principle for perfect quantum memory in linear networks ○Naoki Yamamoto（Keio Univ.）・Matthew James（ANU） |
[more] | |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-27 15:45 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | 直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現 ○鈴木恭一・小野満恒二・原田裕一・村木康二（NTT） ED2013-136 SDM2013-151 |
直接ギャップ半導体であるInAsとGaSbを用いて、そのヘテロ接合により2次元トポロジカル絶縁体を実現した。非局所抵抗測... [more] | ED2013-136 SDM2013-151 pp.25-30 |
| SDM | 2013-11-14 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFETシミュレーション ○鍾 菁廣・小田中紳二（阪大） SDM2013-105 |
量子流体(QHD)モデルは電子輸送のマクロモデルとして重要であり, 拡散スケーリングによって量子エネルギー輸送(QET)... [more] | SDM2013-105 pp.31-36 |
| SDM | 2013-11-15 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析 ○大森正規・木場隼介・前川容佑（神戸大）・土屋英昭（神戸大/JST）・鎌倉良成・森 伸也（阪大/JST）・小川真人（神戸大） SDM2013-111 |
本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接ト... [more] | SDM2013-111 pp.65-70 |
| ED | 2012-07-27 09:55 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | トンネルダイオードの非平衡量子輸送モデルの構築と遮断周波数の理論解析 ○山下 新・倉上祐司・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） ED2012-49 |
未開拓な周波数帯であるテラヘルツ帯(100GHz~30THz)を利用した大容量無線通信の実現に向けて、室温でテラヘルツ動... [more] | ED2012-49 pp.43-48 |
| OFT | 2012-05-24 16:55 |
岐阜 | 飛騨・世界生活文化センター | 量子ドットレーザとホーリーファイバによるO-band光伝送システムの評価 ○倉田泰成・小見川 祐・五十子拓哉・外林秀之（青学大）・山本直克・赤羽浩一・川西哲也（NICT）・吉岡佑穀・高井祐司（東京電機大） OFT2012-6 |
本研究では、光情報通信ネットワークのさらなる大容量化を目指し、光周波数資源の開拓を目的としている。従来からのC-, L-... [more] | OFT2012-6 pp.27-30 |
| SDM | 2011-11-11 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較 滝口直也・木場隼介（神戸大）・○土屋英昭（神戸大/JST）・小川真人（神戸大） SDM2011-121 |
本稿では、<110>方向のSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤの断面サイズによるバンド構造の変化を調べるために、第一原理... [more] | SDM2011-121 pp.33-38 |
| ED | 2011-07-30 12:05 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析 ○佐藤 純・町田史晴・原 紳介・藤代博記（東京理科大） ED2011-53 |
テラヘルツ応用やポストSi CMOS等の次世代デバイスとして，高い電子移動度を示すInAsをチャネルに用いたデバイスが注... [more] | ED2011-53 pp.79-84 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 15:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Impurity Distribution Dependence of Electron-Dynamics in Vertical MOSFET ○Masakazu Muraguchi・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST） ED2010-120 SDM2010-121 |
In this study, we focus on the electron propagation in the V... [more] | ED2010-120 SDM2010-121 pp.309-313 |
| ED | 2010-06-18 10:00 |
石川 | 北陸先端大 | InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析 ○本間嵩広・渡邉久巨・原 紳介・藤代博記（東京理科大） ED2010-42 |
ポストSi MOSFETとして，Siよりも有効質量が小さく高い電子移動度を示すIII-V族化合物半導体をチャネル材料に用... [more] | ED2010-42 pp.47-52 |
| SDM | 2009-11-13 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也・鎌倉良成（阪大/JST） SDM2009-143 |
原子論に基づく量子輸送計算のための離散版R行列法を定式化した．開発した手法を用いることにより，デバイスシミュレーションに... [more] | SDM2009-143 pp.45-48 |
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