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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2024-02-29 15:35 |
山形 | 山形大学工学部 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
パルスレーザー堆積法によるCaFeO3薄膜の作製と磁化特性評価 ○吉原大道・車井健慎・田村怜大・岩田展幸（日大）  CPM2023-111 |
新たに立ち上げた超高真空用パルスレーザー堆積装置を用いて, SrTiO3(STO)基板上にCaFeOx(CFO)薄膜を成... [more] | CPM2023-111 pp.62-64 |
| CPM | 2023-08-01 09:45 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
3°オフ角Si(110)基板上へのSiC/AlN多層構造の作製およびグラフェンの形成 ○齋藤遼佑・奈良友奎・葛西大希・郡山春人・遠田義晴・中澤日出樹（弘前大） CPM2023-19 |
3 ̊オフ角Si(110)基板上にパルスレーザーアブレーション(PLD)法によりAlN薄膜を作製し、AlN上にモノメチル... [more] | CPM2023-19 pp.29-32 |
| CPM | 2019-08-26 15:50 |
北海道 | 北見工業大学 1号館２F A-207講義室 | オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 ○中澤日出樹・奈良友奎・葛西大希（弘前大） CPM2019-42 |
これまで、AlN/Si基板上にSiC低温バッファ層を形成しその上にSiC薄膜を成長させた後、高温加熱を施すことでグラフェ... [more] | CPM2019-42 pp.23-28 |
| CPM | 2018-08-09 14:50 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長 ○中澤日出樹・成田舜基・奈良友奎・遠田義晴（弘前大） CPM2018-9 |
3ºオフ角を有するSi(110)基板上に、レーザーアブレーション法を用いて様々な成長条件でAlN薄膜を作製した結果、レー... [more] | CPM2018-9 pp.7-12 |
| CPM | 2018-08-09 15:10 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討 ○奈良友奎・工藤あさひ・中澤日出樹（弘前大） CPM2018-10 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3ºオフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] | CPM2018-10 pp.13-16 |
| R, EMD, CPM, LQE, OPE (共催) |
2017-08-31 13:55 |
青森 | 弘前文化センター | レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長 ○奈良友奎・成田舜基・中澤日出樹（弘前大） R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3°オフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] | R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22 pp.7-10 |
| CPM | 2015-08-10 13:20 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価 目黒一煕・成田舜基・○中澤日出樹（弘前大） CPM2015-31 |
AlN/Si(110)基板上にSiC低温バッファ層を形成後、その層上にレーザーアブレーション法により基板温度およびレーザ... [more] | CPM2015-31 pp.1-5 |
| CPM | 2015-08-10 14:00 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長 ○成田舜基・目黒一煕・中澤日出樹（弘前大） CPM2015-33 |
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(110)基板上にAlN層を形成し、結晶性および表面モフォロジ... [more] | CPM2015-33 pp.11-14 |
| CPM | 2014-09-04 13:55 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | オフ角Si(001)基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 ○目黒一熙・成田次理・上村駿洋・中澤日出樹（弘前大） CPM2014-76 |
4ºオフ角Si(100)基板およびSi(110)基板上に、窒化アルミニウム（AlN）ターゲットを用いたレーザーアブレーシ... [more] | CPM2014-76 pp.7-12 |
| OME, EMD, CPM (共催) |
2014-06-20 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | Bi系ペロブスカイト型酸化物人工超格子の磁気的-電気的特性 ○渡部雄太・及川貴大・稲葉隆哲・大島佳祐・高瀬浩一・橋本拓也・山本 寛・岩田展幸（日大） EMD2014-18 CPM2014-38 OME2014-26 |
パルスレーザー堆積(Pulsed laser deposition : PLD)法により、Bi系ペロブスカイト型酸化物人... [more] | EMD2014-18 CPM2014-38 OME2014-26 pp.55-60 |
| CPM | 2013-10-24 14:20 |
新潟 | 新潟大ときめいと | パルスレーザー堆積法によるBi系フェライトを用いた人工超格子の作製 ○岩田展幸・渡部雄太・及川貴大・稲葉隆哲・大島佳祐・山本 寛（日大） CPM2013-95 |
Bi系フェライトを含む酸化物人工超格子をパルスレーザー堆積(PLD)法にて作製した。[ABO3(A=La, Ca, B=... [more] | CPM2013-95 pp.13-18 |
| CPM | 2011-08-10 13:00 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性 ○鈴木大樹・熊谷知貴・中澤日出樹（弘前大） CPM2011-56 |
KrFエキシマーレーザーおよび窒化アルミニウム（AlN）ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(100)基... [more] | CPM2011-56 pp.1-6 |
| OPE | 2010-12-17 15:35 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | PLD法によるSi基板上へのErxY2-XSiO5結晶薄膜作製 ○岩谷賢治・一色秀夫（電通大） OPE2010-137 |
パルス・レーザー堆積（PLD）法をもちいてErxY2-xSiO5結晶の作製を行った。結晶構造、PL微細構造は組成によらず... [more] | OPE2010-137 pp.31-35 |
| CPM | 2010-07-30 10:20 |
北海道 | 道の駅しゃり 会議室 | レーザーアブレーション法によるSi基板上AlN薄膜の形成 ○中澤日出樹・鈴木大樹・遲澤遼一・岡本 浩（弘前大） CPM2010-38 |
KrFエキシマレーザーおよび窒化アルミニウム（AlN）ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi基板上にAlN... [more] | CPM2010-38 pp.39-44 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2010-03-12 16:20 |
愛知 | 名古屋大学 | 強磁性La2NiMnO6トンネルバリアを用いたスピンフィルター効果の評価 ○桂木敏文・宮崎悠也・志治佑一・田中雅章・壬生 攻（名工大）・近藤浩太（京大）・葛西伸哉（物質・材料研究機構）・小野輝男（京大） MR2009-65 |
強磁性絶縁体La2NiMnO6のスピンフィルター効果を検証するために，SrTiO3基板上にLa0.7Sr0.3MnO3(... [more] | MR2009-65 pp.39-43 |
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