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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, DC, RECONF, ICD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2022-11-30
09:55
熊本 金沢市文化ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
MTJベース不揮発性フリップフロップの最適ストア時間に関する解析式の提案
横山大輝宇佐美公良芝浦工大)・亀井愛佳天野英晴慶大VLD2022-39 ICD2022-56 DC2022-55 RECONF2022-62
LSIは微細化により発展したが、それによるリーク電力の増加が問題となっている。リーク電力を低減させる手法の一つとして、磁... [more] VLD2022-39 ICD2022-56 DC2022-55 RECONF2022-62
pp.115-120
VLD, HWS
(共催) [詳細]
2022-03-07
14:30
ONLINE オンライン開催 Approximate Storing機能を備えたMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価
宮内陽里宇佐美公良芝浦工大VLD2021-86 HWS2021-63
磁気トンネル接合(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)素子を利用した不揮発性メモリ(NVM:Non... [more] VLD2021-86 HWS2021-63
pp.51-56
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2021-12-01
10:10
ONLINE オンライン開催 データアウェア・ストア機能を持つMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価
宮内陽里宇佐美公良芝浦工大VLD2021-19 ICD2021-29 DC2021-25 RECONF2021-27
近年、LSIのリーク電力の増大が問題となっており、その削減手法の1つに、磁気トンネル接合(MTJ:Magnetic Tu... [more] VLD2021-19 ICD2021-29 DC2021-25 RECONF2021-27
pp.13-18
HWS, VLD
(共催) [詳細]
2020-03-04
13:00
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行あり)
2電源を用いた不揮発性フリップフロップの提案と評価
秋葉爽輔宇佐美公良芝浦工大VLD2019-99 HWS2019-72
LSIのリーク電力削減手法の1つに、磁気トンネル接合(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)素子を利... [more] VLD2019-99 HWS2019-72
pp.31-36
VLD, IPSJ-SLDM
(連催)
2018-05-16
15:00
福岡 北九州国際会議場 データキャッシュに対する不揮発性パワーゲーティング適用方法の検討と評価
秋葉爽輔宇佐美公良芝浦工大VLD2018-2
近年,CPU全体の消費エネルギーにおいて,キャッシュメモリの消費エネルギーが占める割合が増大している.不揮発性パワーゲー... [more] VLD2018-2
pp.19-24
VLD, HWS
(併催)
2018-03-02
10:30
沖縄 沖縄県青年会館 Verify機能を備えた不揮発性フリップフロップの再構成アクセラレータCool Mega-Arrayへの適用とエネルギー評価
赤池純也宇佐美公良工藤 優芝浦工大)・天野英晴池添赳治慶大)・平賀啓三周藤悠介屋上公二郎ソニーセミコンダクタソリューションズVLD2017-122
フリップフロップの消費電力を低減するための手法として、不揮発性素子である磁気トンネル接合(Magnetic Tunnel... [more] VLD2017-122
pp.199-204
ICD 2017-04-21
09:35
東京 機械振興会館 [依頼講演]不揮発性SRAMのアーキテクチャとエネルギー性能
北形大樹周藤悠介山本修一郎菅原 聡東工大ICD2017-10
マイクロプロセッサやSoCの待機時電力を高効率に削減できる不揮発記憶を利用したパワーゲーティング(NVPG)に必要となる... [more] ICD2017-10
pp.51-56
VLD 2017-03-01
14:00
沖縄 沖縄県青年会館 不揮発性キャッシュの細粒度パワーゲーティングとMTJ記憶領域の動的選択制御
榎戸将太宇佐美公良芝浦工大VLD2016-102
不揮発性素子MTJをSRAMに組み込み、キャッシュに適用して、データを保持しつつリーク電力を低減させる不揮発性パワーゲー... [more] VLD2016-102
pp.1-6
CPSY, RECONF, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2017-01-25
10:15
神奈川 慶大日吉キャンパス Verify機能を備えた不揮発性フリップフロップの提案と評価
赤池純也宇佐美公良芝浦工大VLD2016-97 CPSY2016-133 RECONF2016-78
近年、携帯情報端末の普及に伴い、高性能かつ低消費電力な製品が求められるようになってきた。そこで、フリップフロップの消費電... [more] VLD2016-97 CPSY2016-133 RECONF2016-78
pp.175-180
VLD, CAS, MSS, SIP
(共催)
2016-06-17
09:50
青森 弘前市立観光館 不揮発性素子MTJを適用したスタンダードセルメモリ回路の設計と評価
赤池純也工藤 優宇佐美公良芝浦工大CAS2016-19 VLD2016-25 SIP2016-53 MSS2016-19
近年、携帯情報端末の普及により、高性能化かつバッテリーの長持ちする製品が求められるようになってきた。そこで本研究では、不... [more] CAS2016-19 VLD2016-25 SIP2016-53 MSS2016-19
pp.103-108
ICD 2014-04-18
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ
小池洋紀東北大)・崎村 昇根橋竜介辻 幸秀森岡あゆ香三浦貞彦本庄弘明杉林直彦NEC)・大澤 隆池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大ICD2014-17
磁気トンネル接合素子(MTJ)による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路(NV-F/F)を用いた,パワーゲーティング... [more] ICD2014-17
pp.85-90
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