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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW 2018-12-13
09:45
神奈川 神奈川大学 エアギャップ付きM-PhCによる点欠陥共振器のシミュレーションと測定
謝 成龍陳 春平張 沢君穴田哲夫神奈川大MW2018-114
本稿では,金属平行平板導波路内に周期的に配置した金属円柱の上面間にエアギャップを設けた金属フォトニック結晶(M-PhC)... [more] MW2018-114
pp.1-5
ET 2018-11-10
13:10
東京 東京工芸大学 (中野キャンパス) システム要求分析における分析観点の獲得をねらう学習手法の検討
石井俊也仲林 清千葉工大ET2018-57
システム要求分析において,開発課題に対する分析の観点を大学生に意識・獲得させる学習手法を検討している.観点として,機能欠... [more] ET2018-57
pp.23-28
SDM 2017-11-09
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]SiC中の不純物拡散モデル
植松真司慶大SDM2017-64
パワーデバイスへの応用が広がっているSiC(炭化ケイ素)における点欠陥・拡散について紹介する。SiおよびGeにおける拡散... [more] SDM2017-64
pp.15-20
MW 2017-11-09
15:00
沖縄 宮古島マリンターミナルビル 金属フォトニック結晶による線欠陥共振器の共振特性とバンドパスフィルタへの応用
佐藤知正謝 成龍張 沢君陳 春平・○穴田哲夫神奈川大)・馬 哲旺埼玉大MW2017-124
金属フォトニック結晶(以下MPhC)点欠陥・線欠陥共振器の同軸励振の検討および金属円柱の上面と平行平板導波路間のエアーギ... [more] MW2017-124
pp.67-72
WPT, MW
(共催)
2017-04-28
16:15
東京 機械振興会館地下2階1号室 マイクロ波帯における金属フォトニック結晶による点欠陥共振器のシミュレーションと測定
陳 春平・○謝 成龍鐵田大輔木川 駿穴田哲夫張 沢君神奈川大WPT2017-7 MW2017-7
本稿では,従来の金属フォトニック結晶(M-PhCs)点欠陥共振器の中心に金属円柱を装荷することにより,共振周波数を制御可... [more] WPT2017-7 MW2017-7
pp.29-34
SDM 2016-11-11
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]高品位Si,Ge基板の開発に資する第一原理計算 ~ 大口径結晶成長中の点欠陥制御から基板熱処理中の不純物ゲッタリングまで ~
末岡浩治岡山県立大SDM2016-87
最近10年間において,半導体シリコン(Si)結晶中の真性点欠陥,すなわち原子空孔(V)と自己格子間原子(I)の物性や挙動... [more] SDM2016-87
pp.49-54
SDM 2015-11-05
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]半導体における不純物拡散モデリングの現状
植松真司慶大SDM2015-84
CMOSデバイスのナノスケール微細化に伴い、拡散シミュレータにおける不純物分布の予測により高い精度が求められている。また... [more] SDM2015-84
pp.1-6
EST 2015-09-03
10:05
沖縄 石垣島 大濱信泉記念館 金属フォトニック結晶点欠陥共振器のモノポールモードを用いたバンドパスフィルタの結合スキームによる設計
平岡隆晴陳 春平加藤紀樹・○穴田哲夫神奈川大)・武田重喜アンテナ技研)・馬 哲旺埼玉大EST2015-53
本論文では金属フォトニック結晶の電磁波の強い閉じ込め機能と超広帯域バンドギャップに着目し,線欠陥導波路と点欠陥部に微小金... [more] EST2015-53
pp.1-6
SDM 2014-11-07
10:50
東京 機械振興会館 半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果
末岡浩治神山栄治中村浩三岡山県立大)・イアン ファンヘレモントゲント大SDM2014-104
LSIの基板として格子間Si原子(I)と原子空孔(V)を完全に対消滅させた300 mm直径の無欠陥Siウェーハが実用され... [more] SDM2014-104
pp.47-52
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
11:05
大阪 大阪市立大学 III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用
角谷正友Liwen SangMickael Lozac'h物質・材料研究機構ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95
III-V族窒化物のワイドギャップ性を利用した太陽電池構成を提案する。既存の太陽電池上にIII-V族窒化物太陽電池を設置... [more] ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95
pp.9-12
DC 2012-02-13
14:25
東京 機械振興会館 制御ポイント挿入による遷移故障テストパターン削減法
高橋明彦細川利典日大)・吉村正義九大DC2011-82
近年,VLSIの大規模化,複雑化にともない,回路内のゲート数が増加している.それにともない,テスト対象となる故障数が増加... [more] DC2011-82
pp.37-42
PRMU, FM
(共催)
2011-12-16
10:30
静岡 静岡大学浜松キャンパス Bag-of-Keypointsを用いた半導体欠陥画像分類
作山 努松村 明大日本スクリーン製造PRMU2011-134
Bag-of-Keypoints(BoK)は画像分類を行うためのアルゴリズムである.このBoKはScale-Invari... [more] PRMU2011-134
pp.53-58
R 2011-05-13
17:15
高知 高知市文化プラザ「かるぽーと」 CMOSトランジスタの動作点解析による故障箇所の特定
岸 和敬眞田 克高知工科大R2011-14
診断精度の向上した,簡易で,高速処理可能な故障診断のソフトウェアを開発している.方式はレイ アウトから特定した故障候補を... [more] R2011-14
pp.35-40
DC 2010-02-15
13:45
東京 機械振興会館 遷移故障テスト圧縮指向制御ポイント挿入法
湯本仁高細川利典日大)・吉村正義九大DC2009-72
近年,半導体集積技術の進展に伴い,大規模集積回路(LSI)が大規模化,高集積化している.LSIが大規模化,高集積化するこ... [more] DC2009-72
pp.45-50
SDM 2009-11-13
15:25
東京 機械振興会館 High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション
鈴木 研伊藤雄太井上達也三浦英生東北大)・吉川英樹小林啓介物質・材料研究機構)・寒川誠二東北大SDM2009-149
原子・分子レベルでアプローチ可能な方法論として計算化学的手法に着目し,High-k絶縁膜と金属電極界面の健全性に及ぼす点... [more] SDM2009-149
pp.79-84
SDM, ED
(共催)
2008-07-09
13:45
北海道 かでる2・7(札幌) [招待講演]Precise Ion Implantation for Advanced MOS LSIs
Toshiharu SuzukiSENED2008-44 SDM2008-63
Issues in the ion implantation technology employed in advanc... [more] ED2008-44 SDM2008-63
pp.25-30
WIT 2008-03-22
10:50
福岡 北九州学研都市 視野狭窄状態における視線追跡実験
杉森公一木村 剛川辺弘之下村有子金城大WIT2007-92
視野狭窄者は視野欠損部分の情報が得られないために,視野外から迫ってくる移動物体に対する危険や自ら危険物に向かっていくなど... [more] WIT2007-92
pp.13-16
SS 2005-08-04
15:45
北海道 小樽商科大学 407教室 機能量測定法を利用した不適切箇所の摘出による分析モデルの改善
長野伸一NTT)・鰺坂恒夫和歌山大
分析モデルを構成する機能とオブジェクト毎に機能量を測定し,その傾向から分析モデルの不適切な箇所の候補を指摘し,分析モデル... [more] SS2005-29
pp.31-36
SS 2005-03-14
13:00
石川 北陸先端大 情報棟5Fコラボ7 開発履歴データのリアルタイム収集・分析システムEPMの拡張について ~ SRGMを用いた予測グラフの実現および既存解析システムとの連携 ~
横森励士市井 誠阪大)・新海 平日立システムアンドサービス)・井上克郎阪大
ソフトウェアの開発においてプロセス改善を行うためには,開発状況を随時把握しプロジェクトを管理することが必要不可欠である.... [more] SS2004-56
pp.1-6
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