| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, CPM, OME (共催) ITE-MMS (連催) [詳細] |
2023-10-27 10:30 |
新潟 | 新潟大学(駅南キャンパスときめいと) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の機械的特性および耐熱性 ○山崎雄也・佐々木祐弥・中澤日出樹（弘前大）  MRIS2023-17 CPM2023-51 OME2023-38 |
希釈ガスにH2およびArを用いたプラズマ化学気相成長法によりシリコンおよび窒素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(S... [more] | MRIS2023-17 CPM2023-51 OME2023-38 pp.33-36 |
| CPM | 2021-10-27 13:20 |
ONLINE | オンライン開催 | プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果 ○佐々木祐弥・長内公哉・大谷優介・室野優太・佐藤聖能・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史・中澤日出樹（弘前大） CPM2021-26 |
希釈ガスにAr及びH₂を用いたプラズマ化学気相成長法によりケイ素(Si)及び窒素(N)を添加したダイヤモンドライクカーボ... [more] | CPM2021-26 pp.23-28 |
| CPM | 2019-11-07 15:00 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス | 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果 ○長内公哉・中村和樹・郡山春人・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・末光眞希（東北大）・中澤日出樹（弘前大） CPM2019-46 |
希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空... [more] | CPM2019-46 pp.9-14 |
| CPM, IEE-MAG (連催) |
2018-11-02 14:25 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性 ○中澤日出樹・中村和樹・長内公哉・郡山春人・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・末光眞希（東北大） CPM2018-52 |
希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si... [more] | CPM2018-52 pp.99-104 |
| CPM | 2018-08-09 14:30 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果 中村和樹・大橋 遼（弘前大）・横山 大・田島圭一郎・遠藤則史・末光眞希（東北大）・遠田義晴・小林康之・鈴木裕史・○中澤日出樹（弘前大） CPM2018-8 |
希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光... [more] | CPM2018-8 pp.1-6 |
| CPM | 2015-08-10 13:40 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | 高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響 ○土屋政人・村上和輝・佐藤達人・高見貴弘・遠田義晴・中澤日出樹（弘前大） CPM2015-32 |
CH4、N2および希釈ガスとしてArを用い、基板バイアスにパルスバイアスを用いたRFプラズマCVD法により、基板パルスバ... [more] | CPM2015-32 pp.7-10 |
| ED | 2012-07-27 11:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET ○鷹林 将・楊 猛・小川修一・林 広幸・栗田裕記・高桑雄二・末光哲也・尾辻泰一（東北大） ED2012-53 |
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)トップゲート絶縁膜を有するグラフェンチャネル電界効果トランジスタ(DLC-GFET)... [more] | ED2012-53 pp.67-72 |
| SDM | 2012-03-05 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究 ○尾白佳大・小川修一（東北大）・犬飼 学（高輝度光科学研究センター）・佐藤元伸（産総研）・池永英司・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・二瓶瑞久（産総研）・高桑雄二（東北大）・横山直樹（産総研） SDM2011-179 |
光電子制御プラズマCVDはグラファイト材料を低温成長 (～400 ℃) 、触媒無し、大面積で成長できる有力な手法である。... [more] | SDM2011-179 pp.19-24 |
| CPM | 2011-08-10 15:45 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響 ○奥野さおり・三浦創史・鎌田亮輔・中澤日出樹（弘前大） CPM2011-62 |
ダイヤモンドライクカーボン（DLC）の膜特性の改善のために、SiおよびN源にヘキサメチルジシラザン（HMDS）を用いたプ... [more] | CPM2011-62 pp.31-36 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 16:05 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 ○沖川侑揮・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2010-197 SDM2010-232 |
プラズマCVD法を用いて作製したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタの電気伝導特性を走査型プローブ顕微鏡により... [more] | ED2010-197 SDM2010-232 pp.31-36 |
| SDM | 2011-02-07 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | 光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長：結晶性の放電条件依存 ○小川修一（東北大/JST）・佐藤元伸（富士通/JST）・角 治樹（東北大）・二瓶瑞久（富士通/JST）・高桑雄二（東北大/JST） SDM2010-220 |
グラフェンを低温（400℃以下）、触媒無し、大面積成長させるため、我々は光電子制御プラズマを開発した。本研究では光電子制... [more] | SDM2010-220 pp.25-30 |
| CPM | 2009-08-10 16:05 |
青森 | 弘前大学 | 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価 ○三浦創史・中澤日出樹・西崎圭太（弘前大）・末光眞希（東北大）・安井寛治（長岡技科大）・伊藤 隆・遠藤哲郎（東北大）・成田 克（山形大） CPM2009-36 |
ダイヤモンドライクカーボン（DLC）の膜特性改善のために、Si源にモノメチルシラン（MMS）を用いた高周波プラズマ化学気... [more] | CPM2009-36 pp.13-18 |
| OME, SDM (共催) |
2009-04-24 17:05 |
佐賀 | 産総研九州センター大会議室 | プラズマCVD-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性 ○過能慎太郎・永田 翔・中川 豪・浅野種正（九大） SDM2009-7 OME2009-7 |
プラズマCVD法で堆積した非晶質Siを固相結晶化した場合、超高真空法で蒸着した非晶質Si膜の場合に比べ、結晶核の形成とそ... [more] | SDM2009-7 OME2009-7 pp.29-34 |
| CPM | 2007-08-09 15:45 |
山形 | 山形大学 | DCプラズマ援用CVDを用いた触媒薄膜断面における垂直配向CNT成長 奥山博基・園村拓也・岩田展幸・○山本 寛（日大） CPM2007-41 |
CNTのナノスケール電子デバイス応用を目指し、CNTの位置制御、配向制御を試みた。今回我々は、触媒層の断面を垂直配向CN... [more] | CPM2007-41 pp.27-32 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]