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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME 2017-01-29
10:50
長崎 長崎県美術館 [依頼講演]機能性ポルフィリンダイマーの設計と光化学特性 ~ 光エネルギー変換システムをめざして ~
有村隆志産総研OME2016-79
ポルフィリン誘導体は、植物及び動物を含めた生体反応で重要な役割を演じており、ユニークな電子的特徴からも多くの研究者からの... [more] OME2016-79
pp.23-26
ICD 2012-12-17
15:55
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [ポスター講演]相変化メモリの環境温度依存性評価
江上 徹上口 光竹内 健中大ICD2012-107
相変化メモリは高速で書込みが可能で多値化や微細化に向いている次世代不揮発性メモリの一つである.材料にはカルコゲナイドを使... [more] ICD2012-107
p.65
COMP 2012-03-16
10:35
東京 東京大学 木上の関数の簡単な並列計算アルゴリズム
定兼邦彦NIICOMP2011-48
本論文は,$n$ 節点の根付き木で定義される関数を計算する問題を扱う.
具体的には,
$f(v) = w(v) \o... [more]
COMP2011-48
pp.9-15
OME 2012-02-17
16:00
佐賀 産総研九州センター 分子ピンセット機能を有するポルフィリンダイマーの電気特性
有村隆志西岡琢哉須賀康裕土屋陽一産総研OME2011-83
柔軟なコンフォメーションを有するインターフェースを基体としたポルフィリンダイマーは、種々のゲスト分子を選択的に包摂するピ... [more] OME2011-83
pp.39-42
MBE 2012-01-28
10:20
福岡 九州大学 事象関連電位P300へ及ぼす経頭蓋磁気刺激の周波数依存性
佐藤 綾鳥居徹也岩橋正國純真学園大)・伊良皆啓治九大MBE2011-94
本研究は,ヒトの脳へ経頭蓋磁気刺激した時の影響を解析することを目的としている.低頻度かつ短期のrTMS(repetiti... [more] MBE2011-94
pp.83-87
NC, MBE
(併催)
2011-12-20
14:20
愛知 名古屋工業大学 道具使用における力学的推論の脳内機構:fMRI研究
西崎錬平乾 敏郎京大NC2011-91
新奇な道具の機能を推論するためには,「力学的推論」が必要であり,縁上回(SMG)との関連が示唆されているが,その詳細は不... [more] NC2011-91
pp.41-46
SDM 2011-11-11
14:40
東京 機械振興会館 積層方式Chain構造PRAMの設計法
加藤 翔渡辺重佳湘南工科大SDM2011-127
NAND型フラッシュメモリ以上の低コスト化が期待出来る、Chain構造を縦方向に積層して実現する積層方式Chain構造P... [more] SDM2011-127
pp.69-74
SDM 2011-07-04
17:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 相変化チャネルトランジスタを用いた積層型NOR PRAMの設計
加藤 翔渡辺重佳湘南工科大SDM2011-69
本論文では、相変化チャネルトランジスタを使用した積層型NOR PRAM新たに提案した。 積層型NOR PRAMはDRAM... [more] SDM2011-69
pp.109-113
ICD 2011-04-18
10:00
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [招待講演]スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術
石垣隆士河原尊之竹村理一郎小埜和夫伊藤顕知日立)・大野英男東北大ICD2011-1
本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入RAM(MLC-SPRAM)について述べる。2つの直列接続し... [more] ICD2011-1
pp.1-5
SDM 2010-11-11
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)
石垣隆士河原尊之竹村理一郎小埜和夫伊藤顕知日立)・大野英男東北大SDM2010-173
本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)について述べる。2つの直列接続... [more] SDM2010-173
pp.11-15
ICD 2010-04-22
15:45
神奈川 湘南工大 [依頼講演] 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
竹村理一郎河原尊之日立)・三浦勝哉山本浩之日立/東北大)・早川 純松崎 望小埜和夫山ノ内路彦伊藤顕知高橋宏昌日立)・池田正二東北大)・長谷川晴弘松岡秀行日立)・大野英男東北大ICD2010-10
1.8 V動作,32 nsアクセス,セル書き込み時間40 nsの32 Mb SPRAMを試作した。本チップは,150 n... [more] ICD2010-10
pp.53-57
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-10-08
13:55
福岡 福岡交通センター [招待講演]スピントルク磁化反転を用いた不揮発RAM(SPRAM)
高橋宏昌伊藤顕知早川 純三浦勝哉山本浩之山ノ内路彦小埜和夫竹村理一郎河原尊之日立)・佐々木龍太郎東北大)・長谷川晴弘東北大/日立)・池田正二東北大)・松岡秀行日立)・大野英男東北大
SPRAM(Spin Transfer Torque MRAM)は、電流によるスピントランスファトルクによってMTJ素子... [more]
MBE 2008-01-25
16:00
福岡 九州大学 [ポスター講演]経頭蓋磁気刺激時のP300の測定
佐藤秀之有松 孟早見武人上野照剛伊良皆啓治九大MBE2007-98
経頭蓋磁気刺激(TMS)は,時間的,空間的に脳の神経活動を制御するものである.本研究では,P300についてさらに詳しく調... [more] MBE2007-98
pp.75-78
ICD 2006-04-13
16:40
大分 大分大学 [パネル討論]新メモリとSoC,今何をすべきか?
日高秀人ルネサステクノロジ)・田口眞男SPANSION JAPAN)・河原尊之日立)・高島大三郎東芝)・上野修一ルネサステクノロジ)・高田雅史金沢大)・高橋真史東芝
2000年以降、新型メモリ開発ラッシュが続いているが、それらの比較や適するアプリケーションの議論は、ほとんどが単体メモリ... [more] ICD2006-9
p.49
RECONF, CPSY, VLD, IPSJ-SLDM
(共催)
2006-01-17
15:50
神奈川 慶應大学日吉キャンパス 来往舎 相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計
泉 貴富高田雅史中山和也北川章夫金沢大
相変化不揮発性メモリ(PRAM)における新しい多値化記憶の手法と回路を提案する.PRAMは,記憶素子としてカルコゲナイド... [more] VLD2005-94 CPSY2005-50 RECONF2005-83
pp.37-42
CAS 2005-01-21
16:20
石川 金沢大学 相変化メモリを利用した不揮発性SRAM
高田雅史中山和也泉 貴富新村 達北川章夫金沢大
SRAMと相変化不揮発性メモリ(PRAM)を組み合わせた新しい回路方式(Phase change Nonvolatile... [more] CAS2004-80
pp.47-52
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