| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2015-07-24 15:35 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性 ○矢野裕司（奈良先端大/筑波大）・結城広登・冬木 隆（奈良先端大）  ED2015-41 |
基板不純物濃度が異なるSi面4H-SiCに対し、ドライ酸化後にNOアニールまたはPOCl3アニールを行って界面特性を改善... [more] | ED2015-41 pp.25-29 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:15 |
京都 | 京都大学 | Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性 ○結城広登（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大） EID2014-33 SDM2014-128 |
Si面4H-SiCのn-MOSFETを作製し，1Hz～1MHzの範囲でSplit C-V測定を行った．Split C-V... [more] | EID2014-33 SDM2014-128 pp.103-107 |
| SDM | 2013-12-13 17:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 ○金藤夏子・矢野裕司・大澤 愛・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-132 |
シリコンカーバイド(SiC)製MOSFETは高耐圧でも低損失な新しいパワーデバイスとして期待されているが，しきい値電圧の... [more] | SDM2013-132 pp.97-100 |
| SDM | 2013-06-18 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化 ○矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-58 |
POCl3アニールによりSiO2/4H-SiC界面にリンを導入したMOSデバイスの特性を調査した。従来法のNOアニールに... [more] | SDM2013-58 pp.71-76 |
| SDM | 2012-12-07 10:45 |
京都 | 京都大学(桂) | 4H-SiC（11-20）面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果 ○梅澤奈央・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-118 |
これまで、POCl3アニールによりPをSiO2/4H-SiC界面に導入することで、Si面・C面ともに優れた界面準位密度の... [more] | SDM2012-118 pp.19-23 |
| SDM | 2011-12-16 10:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果 ○高上稔充・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2011-134 |
MOSデバイス特性を左右する界面準位に対し、我々はこれまでにPOCl3アニールによりリンを界面に導入することで、SiO2... [more] | SDM2011-134 pp.11-15 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]