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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| HWS, VLD (共催) |
2023-03-01 11:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
同一の回路構造のリングオシレータを用いた65nm FDSOIプロセスに発生するBTI劣化の実測評価 ○菊田大輔（京都工繊大）・岸田 亮（富山県立大）・小林和淑（京都工繊大）  VLD2022-73 HWS2022-44 |
集積回路の微細化に伴いBTI (Bias Temperature Instability) などの経年劣化現象により回路... [more] | VLD2022-73 HWS2022-44 pp.1-6 |
| US | 2021-11-26 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | PbTiO3エピ圧電薄膜を用いた基板裏面におけるGHz超音波の指紋イメージング ○佐藤裕友・柳谷隆彦（早大） US2021-42 |
PZT薄膜やScAlN薄膜を用いたpMUTによるイメージングデバイスが多数報告されている。しかしpMUTは屈曲振動がゆえ... [more] | US2021-42 pp.13-18 |
| SDM | 2015-01-27 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・柳 永勛・松川 貴・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・塚田順一・山内洋美・森田行則・右田真司・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-143 |
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs（TFETs）のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] | SDM2014-143 pp.33-36 |
| DC | 2014-06-20 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | リング発振器を用いたLSIの劣化推定法 池田龍史・○三浦幸也（首都大東京） DC2014-11 |
ナノスケールのトランジスタではNegative Bias Temperature Instability（NBTI）やP... [more] | DC2014-11 pp.7-14 |
| DC | 2013-06-21 16:30 |
東京 | 機械振興会館 | リング発振器を用いたトランジスタの劣化推定法 ○池田龍史・三浦幸也（首都大東京） DC2013-15 |
ナノスケールのトランジスタではNegative Bias Temperature Instability（NBTI）やP... [more] | DC2013-15 pp.31-36 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2010-07-22 10:45 |
大阪 | 常翔学園大阪センター | PMOS/NMOSのプロセスばらつきを独立に検出するためのリング型バッファチェインを用いたオンチップモニタ ○飯塚哲也・名倉 徹・浅田邦博（東大） ICD2010-24 |
本論文では、リング型バッファチェインとパルスカウンタを用いたプロセスばらつきモニタを提案し、その理論的解析を行う。提案回... [more] | ICD2010-24 pp.15-20 |
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