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講演検索結果
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 67件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
15:20
静岡 アクトシティ浜松 Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題
伊藤佑太渡邉浩崇出来真斗新田州吾田中敦之本田善夫天野 浩名大ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59
縦型GaNパワーデバイスの実現には, 局所的なp型ドーピング技術の確立が必要不可欠である. しかし, 代表的な不純物ドー... [more] ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59
pp.25-30
SDM 2023-11-09
11:20
東京 機械振興会館 5階 5S-2 会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の展望
須田 淳名大SDM2023-63
GaN基板上に作製したGaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の動向について述べる.GaN縦型パワーデバイスの設計... [more] SDM2023-63
p.7
QIT
(第二種研究会)
2022-05-30
13:30
ONLINE オンライン開催 [ポスター講演]イオン注入法を用いた極微ナノダイヤモンドへの単一SiVセンターの作製
鈴木和樹嶋﨑幸之介高島秀聡京大)・阿部浩之大島 武QST)・竹内繁樹京大
ナノダイヤモンド中のカラーセンターは、量子技術への応用が注目されている。その中でもシリコン欠陥中心(SiVセンター)はゼ... [more]
WPT 2021-12-09
13:05
ONLINE オンライン開催 植込み型医療デバイスに向けた容量性WPTの基礎検討
松本まりも田村昌也豊橋技科大WPT2021-13
ペースメーカー等の植込み型医療機器は埋植後10年前後でバッテリー交換を行う必要があり,患者の負担増大が問題視されている.... [more] WPT2021-13
pp.1-4
WPT 2021-12-09
13:30
ONLINE オンライン開催 ワイヤレス電力伝送による光線力学療法に向けたがん細胞を用いた基礎実験
安田祥隆居村岳広堀 洋一横井健汰神戸 梓垣花真輝青木 伸東京理科大WPT2021-14
近年,がんの治療法として光を用いた光線力学療法(Photodynamic Therapy:PDT)が提案され,従来の治療... [more] WPT2021-14
pp.5-8
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-07
11:25
ONLINE オンライン開催 Gate-all-around p-type poly-Si junctionless nanowire transistor with steep subthreshold slope
Min-Ju AhnTakuya SarayaMasaharu KobayashiToshiro HiramotoIIS, Tokyo Univ.SDM2020-9 ICD2020-9
In this work, GAA p-type junctionless nanowire transistor wi... [more] SDM2020-9 ICD2020-9
pp.41-46
WIT 2019-08-10
15:00
栃木 帝京大学宇都宮キャンパス(予定) 人工膝関節置換術支援システムの開発 ~ 機能軸推定システムおよび所定角度到達通知機能の開発 ~
玉木朗恵芝浦工大)・半田隆志埼玉県産技総合センター)・鬼頭 緑アルスロデザイン)・花房昭彦芝浦工大WIT2019-11
高齢化に伴い,膝関節の損傷面を切断し人工膝関節を埋入する手術である,人工膝関節置換術の件数が増加している.人工膝関節の埋... [more] WIT2019-11
pp.13-16
WIT, HI-SIGACI
(連催)
2018-12-05
10:30
東京 産総研臨海副都心センター(東京) 人工膝関節置換術支援システムの開発 ~ 3軸慣性センサを用いた機能軸推定システムの開発 ~
玉木朗恵芝浦工大)・半田隆志埼玉県産技総合センター)・鬼頭 縁アルスロデザイン)・花房昭彦芝浦工大WIT2018-36
日本では,高齢社会の進行に伴い,膝関節の損傷面を切断し人工膝関節を埋入する手術である,人工膝関節置換術の件数が増加してい... [more] WIT2018-36
pp.1-5
MBE, NC
(併催)
2018-11-22
15:50
京都 京都大学 短期間通電下における脈絡膜上経網膜刺激方式人工視覚用多孔性刺激電極の生体内電気化学インピーダンス特性
野村修平帝京大/九大)・田代洋行九大)・寺澤靖雄ニデック)・太田 淳奈良先端大MBE2018-47
人工視覚システムは,刺激電極を介して視覚系神経へ電気刺激を行うことにより,失った視覚機能を再建する医療機器である.刺激電... [more] MBE2018-47
pp.55-60
SDM 2018-10-17
15:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating
Kaname ImokawaKyushu Univ)・Nozomu TanakaKyushu Univ.)・Akira SuwaKyushu Univ)・Daisuke NakamuraTaizoh SadohKyushu Univ.)・Tetsuya GotoNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.)・Hiroshi IkenoueKyushu UnivSDM2018-54
Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温(~500度)のプロセスが必要とされ,プリンタブ... [more] SDM2018-54
pp.11-14
SCE 2018-08-09
13:25
愛知 豊橋技術科学大学 Kinetic inductance in superconducting TiN coplanar waveguide resonator
Wei QiuHirotaka TeraiNICTSCE2018-10
 [more] SCE2018-10
pp.19-22
MI 2018-07-24
13:55
岩手 アイーナ(岩手県盛岡市) Machine learning for estimating implanted knee functions using a CT-free navigation
Belayat HossainUHyogo)・Takatoshi MorookaMakiko OkunoHyogo C. Medicine)・Manabu NiiUHyogo)・Shinichi YoshiyaHyogo C. Medicine)・Syoji KobashiUHyogoMI2018-26
In total knee arthroplasty (TKA), the damaged knee joint is ... [more] MI2018-26
pp.21-24
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
11:45
京都 京都大学 薄膜コイルを有した生体刺激デバイスへのワイヤレス給電
三澤慶悟冨岡圭佑三宅康平木村 睦龍谷大EID2017-15 SDM2017-76
我々は薄膜デバイスでの生体刺激デバイスに注目している.特に,低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)... [more] EID2017-15 SDM2017-76
pp.17-22
OPE 2017-12-07
10:50
沖縄 まりんぴあみやこ Si変調器用装荷導波路型縦型PN接合位相シフタの作製
前神有里子叢 光偉大野守史岡野 誠産総研)・伊東憲人西山伸彦荒井滋久東工大)・山田浩治産総研OPE2017-92
我々はSi光変調器に用いる縦型PN接合構造を有した装荷導波路型位相シフタを,CMOS互換プロセスにより作製した.この装荷... [more] OPE2017-92
pp.13-18
OCS, OPE, LQE
(共催)
2017-10-26
11:15
熊本 桜の馬場城彩苑(熊本) 量子ドット混晶化による広帯域増幅器の検討
松井信衞赤石陽太伊澤昌平松本 敦早大)・赤羽浩一NICT)・松島裕一石川 浩宇髙勝之早大OCS2017-39 OPE2017-71 LQE2017-44
我々は能動・受動素子の光集積回路化を見据え、多重積層量子ドット(QD)ウェハにおいてイオン注入と熱処理による組成混合技術... [more] OCS2017-39 OPE2017-71 LQE2017-44
pp.19-24
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
15:45
京都 京大桂キャンパス プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作
南條拓真林田哲郎小山英寿今井章文古川彰彦山向幹雄三菱電機ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
GaNは高周波素子だけではなく,高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている.高出力スイッチング素... [more] ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
pp.31-34
SDM 2016-11-11
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究
望月和浩産総研SDM2016-85
ワイドバンドギャップ半導体である4H-SiCおよび2H-GaNを用いたパワーデバイスの開発に資する,市販プロセス・デバイ... [more] SDM2016-85
pp.37-42
OPE, LQE
(共催)
2016-06-17
11:25
東京 機械振興会館 量子ドット組成混合導波路を集積した1550nm帯量子ドットレーザの検討
松井信衞武井勇樹早大)・松本 敦赤羽浩一NICT)・松島裕一石川 浩宇髙勝之早大OPE2016-11 LQE2016-21
我々は能動・受動素子の光集積回路化を見据え、多重積層量子ドット(QD)基板においてイオン注入と熱処理による組成混合技術 ... [more] OPE2016-11 LQE2016-21
pp.11-14
LQE, OPE
(共催)
2015-06-19
13:00
東京 機械振興会館 Arイオン注入を用いた1550 nm帯多重積層QD構造の組成混晶化と光集積素子への応用
松本 敦NICT)・武井勇樹早大)・赤羽浩一山本直克川西哲也NICT)・石川 浩松島裕一宇高勝之早大OPE2015-12 LQE2015-22
多重積層半導体量子ドット(QD)構造を用いたモノリシック光集積デバイス実現に向け、ICP-RIEのArプラズマ照射による... [more] OPE2015-12 LQE2015-22
pp.9-13
SDM 2015-06-19
14:15
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明
岡 博史箕浦佑也淺原亮平細井卓治志村考功渡部平司阪大SDM2015-48
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] SDM2015-48
pp.51-55
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