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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2024-02-29 11:00 |
山形 | 山形大学工学部 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
酸化亜鉛薄膜トランジスタを用いた水素分圧評価 ○大塚魁人・三浦正範・有馬ボシールアハンマド・廣瀬文彦（山形大）  CPM2023-100 |
水素は環境にやさしいクリーンなエネルギー源として期待されているが、可燃性及び爆発性があるので水素の漏洩を瞬時に検知可能な... [more] | CPM2023-100 pp.15-18 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) SID-JC, IEIJ-SSL (共催) (連催) [詳細] |
2024-01-25 13:10 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［ポスター講演］三層GTOを用いたReRAMにおける負性抵抗を利用した抵抗変化挙動[ポスター講演] ○阿部祥也・谷内田健太・澤井一輝（龍谷大）・松田時宜（近畿大）・河西秀典・木村 睦（龍谷大） EID2023-3 |
ReRAMは高密度、安定性、高速動作、低コストなどの特徴から注目されている。そこで、アモルファス酸化物半導体(AOS)で... [more] | EID2023-3 pp.5-8 |
| ED | 2023-12-08 09:50 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター） | 酸化環境に対する平面型グラフェン電子源の保護手法と電子放出特性に及ぼす影響 ○六川 蓮・鷹尾祥典（横浜国大）・長尾昌善・村田博雅・村上勝久（産総研） ED2023-48 |
平面型グラフェン電子源は，電圧印加のみで高効率な電子放出が可能であることから地球低軌道で使用される小型イオンスラスタの中... [more] | ED2023-48 pp.39-42 |
| SDM | 2023-10-13 13:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］UVナノインプリントリソグラフィーの欠陥低減 ○伊藤俊樹（キヤノン） SDM2023-54 |
半導体デバイス製造への適用を目指して、インクジェット吐出型UVナノインプリント技術を開発中である。従来はレジストドロップ... [more] | SDM2023-54 pp.1-6 |
| SDM | 2023-10-13 16:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | サファイア基板上への酸化ガリウム薄膜の形成と基礎評価 ○今泉文伸・森田拓海（小山高専） SDM2023-59 |
近年、半導体材料の開発としてワイドバンドギャップの材料開発の重要性が高まっている。特に光デバイスやパワーデバイスの開発が... [more] | SDM2023-59 pp.34-39 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2023-05-19 13:00 |
愛知 | 名古屋工大 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］フレキシブル基板上に室温成膜した酸化亜鉛薄膜の繰返し曲げ耐久試験 ○前元利彦・大浦紀頼・和田英男・小山政俊・佐々誠彦・藤井彰彦（阪工大） ED2023-1 CPM2023-1 SDM2023-18 |
酸化物半導体のフレキシブル応用を目指して，基板を曲げても動作する酸化物薄膜デバイスの構造と，その曲げ耐久性の評価および曲... [more] | ED2023-1 CPM2023-1 SDM2023-18 pp.1-6 |
| HWS | 2023-04-15 10:45 |
大分 | 湯布院公民館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
胎動回路のPUF応用 ○成瀬厚太郎・上田貴之・塩見 準・御堂義博・三浦典之（阪大） HWS2023-12 |
本論文では, コンピュータを動作させるための未開拓のエネルギー場として, 半導体製造工程で利用される高エネルギーのプラ... [more] | HWS2023-12 pp.49-50 |
| ICD | 2023-04-11 13:20 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］複数ニューラルネットワークに対応したエンドポイントＡＩ向け結晶性酸化物半導体３Ｄバンクメモリシステム ○八窪裕人・古谷一馬・豊高耕平・片桐治樹・藤田雅史・上妻宗広・安藤善範・黒川義元（半導体エネルギー研）・名倉 徹（福岡大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研） ICD2023-10 |
酸化物半導体FETを用いた3次元積層メモリを用いた、小面積、低電力かつ複数のニューラルネットワークに対応した推論を可能と... [more] | ICD2023-10 pp.18-23 |
| SDM | 2023-01-30 13:40 |
東京 | 機械振興会館（B3-1） | ［招待講演］高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM ○大嶋和晃・遠藤正己・沼田至優・恵木勇司・井坂史人・大野敏和・手塚祐朗・濱田俊樹・古谷一馬・津田一樹・松嵜隆徳・大貫達也・村川 努・國武寛司（半導体エネルギー研）・小林正治（東大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研） SDM2022-80 |
酸化物半導体電界効果トランジスタとHfO2 系キャパシタを用いて強誘電体メモリを試作した。 HfO2系キャパシタの下部... [more] |
SDM2022-80 pp.5-8 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 11:35 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電気化学堆積したNi(OH)2薄膜の半導体的特性 ○志村政英・安部功二（名工大） ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61 |
あらまし 金属水酸化物は，難燃剤や金属酸化物合成の前駆体として用いられる重要な無機物であり，その多くは電気化学堆積やゾ... [more] | ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61 pp.23-26 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 13:05 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ゾル-ゲル法による低抵抗Al添加ZnO透明導電膜の作製 ○安部功二・久保田 佑（名工大） ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63 |
ゾル-ゲル法は，酸化亜鉛（ZnO）をはじめとする酸化物半導体の成膜に利用されている．しかし，ゾル-ゲル法で成膜したZnO... [more] | ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63 pp.33-36 |
| SDM | 2022-01-31 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］CAAC-IGZO FET/Si CMOS微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング ○黒川義元・馬場晴之・大下 智・濱田俊樹・安藤善範・方堂涼太・大野敏和・廣瀬貴史・國武廣司・村川 努（半導体エネルギー研）・名倉 徹（福岡大）・小林正治（東大）・吉田 宏・Min-Cheng Chen（PSMC）・Ming-Han Liao（National Taiwan Univ.）・Shou-Zen Chang（PSMC）・山﨑舜平（半導体エネルギー研） SDM2021-72 |
CAAC-IGZO FET/Si CMOSモノリシック積層プロセスにより高演算効率のアナログインメモリコンピューティング... [more] | SDM2021-72 pp.16-19 |
| ED | 2021-12-09 14:45 |
ONLINE | オンライン開催 | 地球低軌道応用に向けた平面型グラフェン電子源の耐酸素コーティング ○松本直之（横浜国大/産総研）・鷹尾祥典（横浜国大）・長尾昌善・村上勝久（産総研） ED2021-45 |
平面型グラフェン電子源は，推進剤不要，低電圧駆動 (< 20 V)，高電子電流密度 (1‒100 mA/cm2)，高放出... [more] | ED2021-45 pp.38-42 |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2021-08-06 15:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 金属酸化物メモリスタによる特徴量パターン取得のためのセンサ抵抗-電圧変換回路の設計とガス識別 ○廣田丈裕・吉河武文・岩田達哉（富山県立大） ED2021-13 |
本研究では、ガス識別に向けた単一素子として金属酸化物メモリスタを利用したガスセンサ過渡特性の特徴量パターンの取得を試みた... [more] | ED2021-13 pp.9-12 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析 ○上村崇史・中田義昭・東脇正高（NICT） ED2020-33 MW2020-86 |
ゲート長200 nmのβ-Ga2O3金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) において，電流利得遮断周... [more] | ED2020-33 MW2020-86 pp.30-33 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価 ○山本佑平・荒牧達也・伊藤 良・木村 睦（龍谷大） EID2020-3 SDM2020-37 |
工場や自動車、PC などから発生する排熱の多くは未利用の状態である. 熱電変換素子はその熱エネルギーを電気エネルギーに... [more] |
EID2020-3 SDM2020-37 pp.9-12 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 11:25 |
ONLINE | オンライン開催 | IGZO薄膜を利用したシナプス素子の積層クロスポイントメモリ ○岩城江津子（龍谷大）・津野拓海（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2020-4 SDM2020-38 |
高集積化が容易な酸化物半導体を用いることでハードウェアによる大規模なニューラルネットワークの構築を目標とした研究,開発を... [more] | EID2020-4 SDM2020-38 pp.13-16 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［特別招待講演］酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用 ○曲 勇作・古田 守（高知工科大） EID2020-10 SDM2020-44 |
非晶質酸化物半導体であるIn–Ga–Zn–O(IGZO)は室温スパッタ成膜可能なことからフレキシブルデバイスの半導体材料... [more] | EID2020-10 SDM2020-44 pp.37-41 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 16:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ ○福井智貴・中川滉貴・木村 睦（龍谷大） EID2020-14 SDM2020-48 |
本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)₄Ti₃O... [more] | EID2020-14 SDM2020-48 pp.54-57 |
| SDM, OME (共催) |
2020-04-14 11:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行なし） |
［招待講演］大画面フレキシブルディスプレイに向けた酸化物薄膜トランジスタの開発 ○辻 博史・中田 充・武井達哉・宮川幹司・中嶋宜樹・清水貴央（NHK） |
薄くて軽く，柔軟で丸めることもできる次世代のディスプレイとして，プラスチックフィルムを基板として用いるフレキシブルディス... [more] | |
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