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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2023-11-01 15:10 |
兵庫 | じばさんびる 502会議室（姫路） | ［招待講演］金属／絶縁体／有機半導体／金属接合における熱平衡および非熱平衡型電荷抽出 ○田島裕之・小田丈志（兵庫県立大）・角屋智史（甲南大）  OME2023-47 |
本論文では金属/絶縁体/有機半導体/金属（MIOM）型接合コンデンサーが示す非熱平衡型電荷抽出の概念と実験的証拠について... [more] | OME2023-47 pp.21-26 |
| OME | 2022-01-07 14:05 |
大阪 | 中央電気俱楽部 ２１３号室 | nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性 ○西田直之・服部励太郎・永瀬 隆・安達天規・森川和慶・小林隆史・内藤裕義（阪府大） OME2021-48 |
高分子半導体をチャネルとするトップゲート有機電界効果トランジスタ (有機FET) に高分子絶縁体 (PMMA) と可溶性... [more] | OME2021-48 pp.4-8 |
| OME | 2017-12-01 14:20 |
佐賀 | サンメッセ鳥栖 | ［招待講演］溶液プロセスで作製した高移動度ペロブスカイトトランジスタ ○松島敏則・サンガランゲ ドン アトゥラ サンダナヤカ・シン センコウ（九大）・藤原 隆（九州先端科学技研）・安達千波矢（九大） OME2017-45 |
有機無機ペロブスカイトをトランジスタの半導体層として用いれば、バンド伝導を利用して高いキャリア移動度が期待される。しかし... [more] | OME2017-45 pp.49-51 |
| OME | 2017-11-17 13:00 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | ［招待講演］トップゲート塗布型有機トランジスタのデバイス特性と不揮発性有機メモリの開発 ○永瀬 隆・三田翔也・塩野郁弥・小林隆史・内藤裕義（阪府大） OME2017-27 |
塗布印刷プロセスによって作製できる有機電界効果トランジスタ (有機FET) の高移動度や動作安定性の向上は実用化に向けた... [more] | OME2017-27 pp.1-6 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-25 11:06 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | 有機薄膜トランジスタにおける電界効果移動度の温度依存性の考察 ○松本竜也・金 丞謙・服部励治（九大） EID2013-29 |
有機薄膜トランジスタにおける有機半導体層へのキャリア注入機構を明らかとするため，電界効果移動度と，有機半導体と金属電極と... [more] | EID2013-29 pp.117-120 |
| OME | 2013-03-08 14:00 |
東京 | 機械振興会館 B1-2 | 新しい有機半導体分子の設計と有機電界効果トランジスタへの応用 ○中野幸司（東京農工大/JST）・茶山奈津子・チョン ミンアン・児玉俊輔・野崎京子（東大） OME2012-108 |
新しい有機半導体材料の開発を目指し，フラン環が縮環骨格に組み込まれたヘテロアセン，ジベンゾ[d,d']ベンゾ[1,2-b... [more] | OME2012-108 pp.13-16 |
| ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) |
2013-01-25 09:46 |
静岡 | 静岡大学 | 全有機自己整合トランジスタ ○村本龍法・中 茂樹・岡田裕之（富山大） EID2012-23 |
背面露光法を用いた全有機自己整合トランジスタの検討を行った．ゲート電極をマスクとし，ソースドレイン電極に半透過性の銀ナノ... [more] | EID2012-23 pp.61-64 |
| OME | 2011-12-21 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | グラフェン塗布電極を用いた有機FETの作製と評価 ○菅沼洸一（埼玉大）・斉木幸一朗（東大）・後藤拓也（三菱ガス化学）・上野啓司（埼玉大） OME2011-72 |
酸化剥離法により合成された酸化グラフェン溶液を用い，溶液塗布プロセスによる有機FET素子の電極形成を行った。作製したグラ... [more] | OME2011-72 pp.35-39 |
| OPE, OME (共催) |
2011-11-18 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | ナノインプリント法を用いた段差型有機トランジスタの作製 ○吹山雅浩・山内 博・飯塚正明・酒井正俊・工藤一浩（千葉大） OME2011-63 OPE2011-138 |
有機トランジスタを低駆動電圧、大電流で動作させるためには短チャネル化が有効である。そこで我々は、段差構造を利用することで... [more] | OME2011-63 OPE2011-138 pp.31-36 |
| OME | 2011-09-22 16:35 |
大阪 | 大阪市中央公会堂 | シリカナノ粒子を分散した塗布型有機トランジスタのデバイス特性 ○吉川真史・永瀬 隆・山崎沙織・小林隆史（阪府大）・道脇良樹（扶桑化学）・渡瀬星児・渡辺 充・松川公洋（阪市工研）・内藤裕義（阪府大） OME2011-47 |
ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ (OFET) におけるゲート絶縁膜の表面処理は電界効果移動度を大きく増加させ... [more] | OME2011-47 pp.31-34 |
| OME | 2010-01-12 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価 ○藤井孝博（千葉大）・松井弘之（産総研）・長谷川達生（産総研/東大）・国吉繁一・酒井正俊・工藤一浩・中村雅一（千葉大） OME2009-76 |
有機薄膜トランジスタ(OTFT)において、有機半導体／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位はTFTの動作特性・動作安定性に大き... [more] | OME2009-76 pp.51-56 |
| OME | 2009-05-22 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | フルオレン系共役ポリマーによるトップゲート型両極性有機電界効果トランジスタ ○梶井博武・小岩井恭平・広瀬遥平・大森 裕（阪大） OME2009-16 |
本研究では、有機電界効果トランジスタのソース・ドレイン電極に酸化インジウム錫（ITO）を用い、有機薄膜作製後に、ゲート絶... [more] | OME2009-16 pp.41-44 |
| OME | 2009-05-22 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | 五酸化バナジウム/銅フタロシアニン薄膜トランジスタの作製と特性評価 ○新保一成・皆川正寛・東川哲之・北村翔平・馬場 暁・加藤景三・金子双男（新潟大） OME2009-17 |
近年、五酸化バナジウム（V2O5）が有機電界発光素子において電荷発生層として機能することが報告されている。我々は、このよ... [more] | OME2009-17 pp.45-48 |
| ED | 2009-04-23 12:50 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | ［招待講演］有機単結晶トランジスタ ○竹延大志（東北大/JST） ED2009-1 |
有機トランジスタは次世代のエレクトロニクスとして期待されており、応用を意識した研究は薄膜トランジスタを中心になされている... [more] | ED2009-1 pp.1-5 |
| ED | 2009-04-23 13:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | ［招待講演］有機多結晶薄膜トランジスタにおけるキャリア輸送の制限要因 ○中村雅一（千葉大） ED2009-2 |
著者らは、電極の影響を排除して電界効果キャリア移動度を評価できる四探針電界効果測定、および、高空間分解能精密電位分布評価... [more] | ED2009-2 pp.7-11 |
| ED | 2009-04-23 14:10 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | ヘテロ積層型フラーレンFETの性能と大気下安定性 ○中山健一・楠 貴博・夫 勇進・城戸淳二（山形大） ED2009-3 |
n型の有機電界効果型トランジスタの性能が大気下で急速に悪化する主な原因は、酸素や水によって形成される絶縁層界面の電子トラ... [more] | ED2009-3 pp.13-14 |
| OME | 2009-01-21 11:15 |
愛知 | 名古屋大学 | ジベンゾクリセン薄膜を用いた有機TFTの作製と評価 ○藤田圭介・木村 眞・森 竜雄（名大） OME2008-85 |
有機薄膜トランジスタ（OTFT）において半導体材料にペンタセンが用いれられ、a-Siを並の移動度が報告されている。我々は... [more] | OME2008-85 pp.19-22 |
| OME | 2008-09-30 16:20 |
兵庫 | 情報通信研究機構 神戸研究所 | ウェットプロセスによる有機電界効果トランジスタのゲート構造依存性 ○広瀬遥平・梶井博武（阪大）・田村弘毅（東京応化）・大森 裕（阪大） OME2008-49 |
フルオレンとチオフェンのコポリマーであるpoly [(9,9-dialkylfluorene - 2,7- dyil)-... [more] | OME2008-49 pp.33-36 |
| CPM | 2008-08-04 15:25 |
北海道 | 室蘭工業大学 | ヘテロ原子含有置換ポリアセチレンの有機トランジスタへの応用 ○今村哲也・馬渡康輝・福田 永・田畑昌祥（室蘭工大） CPM2008-44 |
ラセン構造を持つ置換ポリアセチレンの有機トランジスタへの応用を試みた。置換ポリアセチレンはRh錯体触媒による重合反応によ... [more] | CPM2008-44 pp.15-18 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2008-06-27 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | 有機半導体上への銀ナノ粒子のインクジェット印刷と有機トランジスタへの応用 ○野口儀晃・横田知之・関谷 毅・染谷隆夫（東大） EMD2008-17 CPM2008-36 OME2008-38 |
我々はインクジェットのピエゾ素子に印加する電圧波形をコントロールすることで吐出する銀インクの量を17 plから1.4 p... [more] | EMD2008-17 CPM2008-36 OME2008-38 pp.37-42 |
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