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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2024-04-11 13:00 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館 9階第2研修室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高温動作向けナノブリッジベースの不揮発性メモリマクロ ○根橋竜介・岡本浩一郎・阪本利司・多田宗弘（NBS）  ICD2024-4 |
ナノブリッジメモリは抵抗変化型メモリの一種である。ナノブリッジを利用して、高温で安定して動作可能なメモリマクロを開発した... [more] | ICD2024-4 pp.12-16 |
| SDM | 2023-10-13 14:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］不揮発性メモリのシリコン窒化膜に捕獲されたキャリヤの電荷重心とエネルギー深さの検討 ○小林清輝（東海大） SDM2023-56 |
NAND型フラッシュメモリおよびマイコン混載不揮発性メモリの一部では，シリコン窒化膜を電荷捕獲層とするMetal-Oxi... [more] | SDM2023-56 pp.13-20 |
| ICD | 2023-04-10 09:55 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［依頼講演］間欠動作を行うIoT向けプロセッサに適したFiCCを用いた不揮発ストレージセル ○阿部佑貴・小林和淑（京都工繊大）・塩見 準（阪大）・越智裕之（立命館大） ICD2023-1 |
エネルギーハーベスティングはInternet of Things (IoT) デバイスへの電源供給技術として注目されてい... [more] | ICD2023-1 pp.1-6 |
| ICD | 2023-04-11 14:10 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］混載不揮発性メモリ向けのナノブリッジ技術 ○根橋竜介・岡本浩一郎・阪本利司・多田宗弘（NBS） ICD2023-11 |
ナノブリッジは、電気化学反応を利用した抵抗変化素子の一種である。ナノブリッジは、CMOS性能を犠牲にすることなく、通常の... [more] | ICD2023-11 pp.24-28 |
| HWS, VLD (共催) |
2023-03-02 09:55 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
非同期式回路を用いた電源喪失対応VLSIシステムの実現 ○今井 雅（弘前大） VLD2022-86 HWS2022-57 |
不揮発メモリを用いて電源喪失に対応するシステムが提案されているが、その実装には高いコストを必要 とする。本稿では、停電を... [more] | VLD2022-86 HWS2022-57 pp.79-84 |
| VLD, HWS (共催) [詳細] |
2022-03-07 14:05 |
ONLINE | オンライン開催 | 間欠動作を行うIoT向けプロセッサに適したFiCC型不揮発フリップフロップの実測評価 ○阿部佑貴・小林和淑（京都工繊大）・越智裕之（立命館大） VLD2021-85 HWS2021-62 |
近年, IoT (Internet of Things)やモバイルデバイスの普及に伴い, そのバッテリ駆動時間延長のため... [more] | VLD2021-85 HWS2021-62 pp.45-50 |
| OME | 2022-01-07 14:05 |
大阪 | 中央電気俱楽部 ２１３号室 | nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性 ○西田直之・服部励太郎・永瀬 隆・安達天規・森川和慶・小林隆史・内藤裕義（阪府大） OME2021-48 |
高分子半導体をチャネルとするトップゲート有機電界効果トランジスタ (有機FET) に高分子絶縁体 (PMMA) と可溶性... [more] | OME2021-48 pp.4-8 |
| VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM (連催) (併催) [詳細] |
2021-12-01 10:35 |
ONLINE | オンライン開催 | 不揮発性FFを用いたマルチコンテキストCGRA ○亀井愛佳・小島拓也・天野英晴（慶大）・横山大輝・宮内陽里・宇佐美公良（芝浦工大）・平賀啓三・鈴木健太（ソニーセミコンダクタソリューションズ） VLD2021-20 ICD2021-30 DC2021-26 RECONF2021-28 |
近年，バッテリー駆動のエッジデバイスでは計算性能と並びアイドル時の省電力性能が重要視される．またIoT 端末に高頻度の間... [more] | VLD2021-20 ICD2021-30 DC2021-26 RECONF2021-28 pp.19-24 |
| VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM (連催) (併催) [詳細] |
2020-11-17 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | SONOS Flashセルを用いた不揮発SRAMの設計と回路シミュレーションによる評価 ○浦部孝樹・新居浩二・小林和淑（京都工繊大） VLD2020-11 ICD2020-31 DC2020-31 RECONF2020-30 |
本稿では SONOS Flash を用いた不揮発の SRAM メモリについてレイアウト設計を行い, その特性について回路... [more] | VLD2020-11 ICD2020-31 DC2020-31 RECONF2020-30 pp.1-5 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-14 15:05 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | 省エネルギー二値化ニューラルネットワーク向けMTJベース積和演算回路の構成 ○千葉智貴・夏井雅典・羽生貴弘（東北大） ICD2019-32 IE2019-38 |
本稿では，二値化ニューラルネットワークハードウェアへの適用に向けた，次世代不揮発記憶素子を活用した積和演算および活性化関... [more] | ICD2019-32 IE2019-38 pp.19-24 |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大） SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| SDM | 2018-10-17 16:05 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Si(100)表面原子レベル平坦化プロセスを用いたHf系MONOS型不揮発性メモリ作製プロセスに関する検討 ○工藤聡也・堀内勇介・大見俊一郎（東工大） SDM2018-55 |
我々は高速・低電圧動作可能な不揮発性メモリ実現のために、Si(100)表面を原子レベル平坦化した基板上にHf系MONOS... [more] | SDM2018-55 pp.15-19 |
| ICD | 2018-04-20 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］A new core transistor equipped with NVM functionality without using any emerging memory materials ○Yasuhiro Taniguchi・Shoji Yoshida・Owada Fukuo・Yutaka Shinagawa・Hideo Kasai（Floadia）・Lin Jia You・Wei I Huan（PTC）・Daisuke Okada・Koichi Nagasawa・Kosuke Okuyama（Floadia） ICD2018-7 |
A tri-gate core transistor which has nonvolatile memory [NVM... [more] | ICD2018-7 pp.23-27 |
| OME | 2017-11-17 13:00 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | ［招待講演］トップゲート塗布型有機トランジスタのデバイス特性と不揮発性有機メモリの開発 ○永瀬 隆・三田翔也・塩野郁弥・小林隆史・内藤裕義（阪府大） OME2017-27 |
塗布印刷プロセスによって作製できる有機電界効果トランジスタ (有機FET) の高移動度や動作安定性の向上は実用化に向けた... [more] | OME2017-27 pp.1-6 |
| SDM | 2017-10-25 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | 化学酸化膜を用いたAr/H2熱処理によるSi表面原子レベル平坦化とHf系MONOS構造への応用 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2017-52 |
従来の浮遊ゲート型に代わる不揮発性メモリとして、MONOS型不揮発性メモリが注目されている。MONOS型不揮発性メモリの... [more] | SDM2017-52 pp.15-19 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2017-10-19 13:45 |
新潟 | 柏崎エネルギーホール、新潟 | ［招待講演］アナログスピントロニクス素子とその人工神経回路網応用 ○秋間学尚・William Borders・深見俊輔・守谷 哲・栗原祥太・Aleksandr Kurenkov・堀尾喜彦・佐藤茂雄・大野英男（東北大） MR2017-18 |
人の脳に匹敵するような大規模な人工神経回路の実用化のためには，低消費電力で動作する専用の集積回路の開発が不可欠である．近... [more] | MR2017-18 pp.7-12 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2017-10-19 14:45 |
新潟 | 柏崎エネルギーホール、新潟 | Co/Ni細線内磁壁位置制御技術と磁気シフトレジスタへの応用 ○近藤 剛・島田拓哉・門 昌輝・カンサ ミカエル・大寺泰章・梅津信之・橋本 進・中村志保（東芝） MR2017-19 |
固体ストレージ向け大記憶容量不揮発性メモリへの適用を念頭に磁性細線を用いた磁気シフトレジスタ（レーストラックメモリ）の研... [more] | MR2017-19 pp.13-16 |
| SDM | 2016-10-27 11:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | Si基板表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上に関する検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大） SDM2016-76 |
従来の浮遊ゲート型に代わる不揮発性メモリ構造として、高集積化に適したMONOS型不揮発性メモリが注目されている。本研究で... [more] | SDM2016-76 pp.39-44 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 11:25 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | ［招待講演］3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子 ～ 高速低消費電力不揮発性集積回路の実現を目指して ～ ○深見俊輔・姉川哲朗・大河原綾人・張 超亮・大野英男（東北大） SDM2016-63 ICD2016-31 |
集積回路に不揮発性スピントロニクス素子を混載することによって、高性能と低消費電力性を両立したコンピューティングシステムが... [more] | SDM2016-63 ICD2016-31 pp.99-103 |
| ED | 2016-07-23 15:30 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作 ○土屋充沙・塚本貴広・須田良幸（東京農工大） ED2016-30 |
我々は最近，不揮発性メモリ特性と整流特性の双方を有する理論的に最密のクロスポイント型配列に適した2端子抵抗変化型のp-C... [more] | ED2016-30 pp.17-20 |
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