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 63件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
HWS, VLD
(共催)
2023-03-03
13:25
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
一時的メモリアクセスリダイレクションによる高性能かつプログラマ・フレンドリーなセキュアNVM
小池 亮高前田伸也東大VLD2022-106 HWS2022-77
バイトアドレス型の不揮発性メモリ(NVM)は,永続性ゆえにDRAMよりセキュリティ上脆弱である.改ざん検知機構として整合... [more] VLD2022-106 HWS2022-77
pp.179-184
SDM 2021-10-21
13:50
ONLINE オンライン開催 A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layers for multi-bit/cell operation
Pyo JooyoungIhara AkioOhmi Shun-ichiroTokyo Tech.SDM2021-48
 [more] SDM2021-48
pp.16-19
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-ARC
(連催) [詳細]
2021-07-20
14:00
ONLINE オンライン開催 Prototype Implementation of Non-Volatile Memory Support for RISC-V Keystone Enclave
Lena YuYu OmoriKeiji KimuraWaseda Univ.CPSY2021-2 DC2021-2
 [more] CPSY2021-2 DC2021-2
pp.7-12
ED, SDM, CPM
(共催)
2021-05-27
14:10
ONLINE オンライン開催 抵抗変化型メモリのためのZr/ZrOx/Pt構造の電気的特性評価
川合祐貴佐藤 勝武山真弓北見工大ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14
抗変化型メモリは、次世代の不揮発性メモリとして注目されている。しかしながら、フォーミングに高電圧が必要なことやフォーミン... [more] ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14
pp.11-14
CPM 2021-03-03
13:45
ONLINE オンライン開催 薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性
川合祐貴山本和輝大塚 祐佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2020-69
近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるた... [more] CPM2020-69
pp.52-54
DE, IPSJ-DBS
(連催)
2020-12-22
10:00
ONLINE オンライン開催 不揮発メモリデバイスを対象とするデータベース演算の実行コスト測定方式に関する検討
吉岡弘隆合田和生喜連川 優東大DE2020-23
近年不揮発性メモリ(NVM)が注目を浴びている.SSD/HDDのように不揮発性でありながらDRAMのように高速にバイト単... [more] DE2020-23
pp.36-41
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2020-11-18
14:25
ONLINE オンライン開催 Approximate Computingを用いた不揮発性メモリへの画像データ書き込みにおけるエネルギー削減手法
小野義基宇佐美公良芝浦工大VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57
MTJを用いた不揮発性メモリ(NVM)は、読み書き性能が良い・細粒度電源遮断が可能である一方、書き込みエネルギーが大きい... [more] VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57
pp.145-150
DE, IPSJ-DBS, IPSJ-IFAT
(連催)
2020-09-05
15:50
ONLINE オンライン開催 不揮発メモリデバイスの性能評価のためのマイクロベンチマークに関する初期検討
吉岡弘隆合田和生喜連川 優東大DE2020-14
近年不揮発性メモリ (Non-Volatile Memory (NVM)) が注目を浴びている.SSD/HDD のように... [more] DE2020-14
pp.7-12
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-02-27
16:05
鹿児島 与論町中央公民館 NDCKPT: 不揮発性メインメモリを用いたOSによる透過的なプロセスチェックポインティングの実現
西田 耀木村啓二早大CPSY2019-102 DC2019-108
アプリケーションの耐障害性を向上させる手法の一つにチェックポインティングがある.これまでに,アプリケーションを変更するこ... [more] CPSY2019-102 DC2019-108
pp.87-92
SDM 2020-01-28
15:45
東京 機械振興会館 [招待講演]Future of Non-Volatile Memory - From Storage to Computing
石丸一成キオクシアSDM2019-87
最初のNANDフラッシュメモリが国際学会で発表されてから30年以上経つ。NANDフラッシュメモリは単位容量辺りのコスト(... [more] SDM2019-87
p.19
PN 2019-11-15
11:05
神奈川 慶應義塾大学 [招待講演]計算機メモリシステムの研究最新動向
広渕崇宏産総研PN2019-28
本発表では計算機メモリシステムにおける研究の最新動向を紹介する。相変化メモリや磁気メモリに代表される新たなメモリデバイス... [more] PN2019-28
pp.29-35
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-15
13:00
愛媛 愛媛県男女共同参画センター [基調講演]Persistent Memoryの技術動向
今村智史富士通研VLD2019-48 ICD2019-37 IE2019-43 CPSY2019-47 DC2019-72 RECONF2019-43
アプリケーションが処理するデータ容量は年々増大し続けており,大容量データの高速処理を実現するために主記憶の容量増大が求め... [more] VLD2019-48 ICD2019-37 IE2019-43 CPSY2019-47 DC2019-72 RECONF2019-43
p.175(VLD), p.43(ICD), p.43(IE), p.55(CPSY), p.175(DC), p.33(RECONF)
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2018-12-06
15:30
愛媛 愛媛大学 電圧トルクMRAMにおける書き込みエラー率のシミュレーション解析
今村裕志産総研MRIS2018-23
電圧印加による磁気異方性の変化を書き込みに利用した電圧トルクMRAMは高速・超低消費電力な不揮発性メモリとして注目を集め... [more] MRIS2018-23
pp.19-23
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2018-08-23
15:55
北海道 小樽経済センター [招待講演]デジタルデータの長期保管を実現する高信頼メモリシステム ~ その背景と課題さらにその展望 ~
小林敏夫芝浦工大R2018-23 EMD2018-26 CPM2018-26 OPE2018-53 LQE2018-42
半導体技術に支えられたデジタル技術はその圧倒的な利便性と能力によって個人の生活と社会活動のために必須な技術なった.その一... [more] R2018-23 EMD2018-26 CPM2018-26 OPE2018-53 LQE2018-42
pp.31-36
ICD 2018-04-20
11:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology
Hiroshi MaejimaKazushige KandaSusumu FujimuraTeruo TakagiwaSusumu OzawaJumpei SatoYoshihiko ShindoManabu SatoNaoaki KanagawaJunji MushaSatoshi InoueKatsuaki SakuraiToshifumi HashimotoTMC)・Hao NguyenKen CheahHiroshi SugawaraSeungpil LeeWDC)・Toshiki HisadaTetsuya KanekoHiroshi NakamuraTMCICD2018-10
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] ICD2018-10
pp.39-44
SDM 2017-11-10
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル
黄 俐昭宮森 充常野克己牟田哲也川嶋祥之ルネサス エレクトロニクスSDM2017-71
28nm世代のフラッシュ混載MCUに搭載するスプリットゲート-MONOS型不揮発性メモリセル(SG-MONOSセル)の読... [more] SDM2017-71
pp.53-58
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
09:45
北海道 北海道大学情報教育館 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉東大)・篠原尋史早大)・小林正治平本俊郎東大SDM2017-38 ICD2017-26
通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する.記憶させたい情報を反転してからセルに... [more] SDM2017-38 ICD2017-26
pp.49-54
ICD 2017-04-20
16:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology
Ryuji YamashitaSagar MagiaWDC)・Tsutomu HiguchiKazuhide YoneyaToshio YamamuraToshiba)・Hiroyuki MizukoshiShingo ZaitsuMinoru YamashitaShunichi ToyamaNorihiro KamaeJuan LeeShuo ChenJiawei TaoWilliam MakXiaohua ZhangWDCICD2017-9
64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOC... [more] ICD2017-9
pp.45-50
SDM 2017-02-06
13:00
東京 東京大学/本郷 [招待講演]超長期保管メモリ・システムの必要性とその課題 ~ デジタル時代の和紙を目指して ~
小林敏夫芝浦工大SDM2016-142
電子技術,デジタル技術のもたらす大きな利便性と処理能力のため,創生される情報量は爆発的に増加している.それに伴い保存すべ... [more] SDM2016-142
pp.17-22
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-10-20
16:10
福岡 九州大学西新プラザ 金属/NiO複合ナノ構造における抵抗値変化現象の低電圧制御
中野陽介岡部京太木村 崇九大
デジタル情報化社会の急速な普及による情報量の爆発的増大により、革新的原理を有する不揮発メモリの登場が期待されている。今回... [more]
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