研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
HWS, VLD (共催) |
2023-03-03 13:25 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
一時的メモリアクセスリダイレクションによる高性能かつプログラマ・フレンドリーなセキュアNVM ○小池 亮・高前田伸也(東大) VLD2022-106 HWS2022-77 |
バイトアドレス型の不揮発性メモリ(NVM)は,永続性ゆえにDRAMよりセキュリティ上脆弱である.改ざん検知機構として整合... [more] |
VLD2022-106 HWS2022-77 pp.179-184 |
SDM |
2021-10-21 13:50 |
ONLINE |
オンライン開催 |
A study on Hf-based MONOS nonvolatile memory with HfO2 and HfON tunneling layers for multi-bit/cell operation ○Pyo Jooyoung・Ihara Akio・Ohmi Shun-ichiro(Tokyo Tech.) SDM2021-48 |
[more] |
SDM2021-48 pp.16-19 |
CPSY, DC (共催) IPSJ-ARC (連催) [詳細] |
2021-07-20 14:00 |
ONLINE |
オンライン開催 |
Prototype Implementation of Non-Volatile Memory Support for RISC-V Keystone Enclave ○Lena Yu・Yu Omori・Keiji Kimura(Waseda Univ.) CPSY2021-2 DC2021-2 |
[more] |
CPSY2021-2 DC2021-2 pp.7-12 |
ED, SDM, CPM (共催) |
2021-05-27 14:10 |
ONLINE |
オンライン開催 |
抵抗変化型メモリのためのZr/ZrOx/Pt構造の電気的特性評価 ○川合祐貴・佐藤 勝・武山真弓(北見工大) ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14 |
抗変化型メモリは、次世代の不揮発性メモリとして注目されている。しかしながら、フォーミングに高電圧が必要なことやフォーミン... [more] |
ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14 pp.11-14 |
CPM |
2021-03-03 13:45 |
ONLINE |
オンライン開催 |
薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性 ○川合祐貴・山本和輝・大塚 祐・佐藤 勝・武山真弓(北見工大) CPM2020-69 |
近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるた... [more] |
CPM2020-69 pp.52-54 |
DE, IPSJ-DBS (連催) |
2020-12-22 10:00 |
ONLINE |
オンライン開催 |
不揮発メモリデバイスを対象とするデータベース演算の実行コスト測定方式に関する検討 ○吉岡弘隆・合田和生・喜連川 優(東大) DE2020-23 |
近年不揮発性メモリ(NVM)が注目を浴びている.SSD/HDDのように不揮発性でありながらDRAMのように高速にバイト単... [more] |
DE2020-23 pp.36-41 |
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM (連催) (併催) [詳細] |
2020-11-18 14:25 |
ONLINE |
オンライン開催 |
Approximate Computingを用いた不揮発性メモリへの画像データ書き込みにおけるエネルギー削減手法 ○小野義基・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57 |
MTJを用いた不揮発性メモリ(NVM)は、読み書き性能が良い・細粒度電源遮断が可能である一方、書き込みエネルギーが大きい... [more] |
VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57 pp.145-150 |
DE, IPSJ-DBS, IPSJ-IFAT (連催) |
2020-09-05 15:50 |
ONLINE |
オンライン開催 |
不揮発メモリデバイスの性能評価のためのマイクロベンチマークに関する初期検討 ○吉岡弘隆・合田和生・喜連川 優(東大) DE2020-14 |
近年不揮発性メモリ (Non-Volatile Memory (NVM)) が注目を浴びている.SSD/HDD のように... [more] |
DE2020-14 pp.7-12 |
CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2020-02-27 16:05 |
鹿児島 |
与論町中央公民館 |
NDCKPT: 不揮発性メインメモリを用いたOSによる透過的なプロセスチェックポインティングの実現 ○西田 耀・木村啓二(早大) CPSY2019-102 DC2019-108 |
アプリケーションの耐障害性を向上させる手法の一つにチェックポインティングがある.これまでに,アプリケーションを変更するこ... [more] |
CPSY2019-102 DC2019-108 pp.87-92 |
SDM |
2020-01-28 15:45 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]Future of Non-Volatile Memory - From Storage to Computing ○石丸一成(キオクシア) SDM2019-87 |
最初のNANDフラッシュメモリが国際学会で発表されてから30年以上経つ。NANDフラッシュメモリは単位容量辺りのコスト(... [more] |
SDM2019-87 p.19 |
PN |
2019-11-15 11:05 |
神奈川 |
慶應義塾大学 |
[招待講演]計算機メモリシステムの研究最新動向 ○広渕崇宏(産総研) PN2019-28 |
本発表では計算機メモリシステムにおける研究の最新動向を紹介する。相変化メモリや磁気メモリに代表される新たなメモリデバイス... [more] |
PN2019-28 pp.29-35 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-15 13:00 |
愛媛 |
愛媛県男女共同参画センター |
[基調講演]Persistent Memoryの技術動向 ○今村智史(富士通研) VLD2019-48 ICD2019-37 IE2019-43 CPSY2019-47 DC2019-72 RECONF2019-43 |
アプリケーションが処理するデータ容量は年々増大し続けており,大容量データの高速処理を実現するために主記憶の容量増大が求め... [more] |
VLD2019-48 ICD2019-37 IE2019-43 CPSY2019-47 DC2019-72 RECONF2019-43 p.175(VLD), p.43(ICD), p.43(IE), p.55(CPSY), p.175(DC), p.33(RECONF) |
MRIS, ITE-MMS (連催) |
2018-12-06 15:30 |
愛媛 |
愛媛大学 |
電圧トルクMRAMにおける書き込みエラー率のシミュレーション解析 ○今村裕志(産総研) MRIS2018-23 |
電圧印加による磁気異方性の変化を書き込みに利用した電圧トルクMRAMは高速・超低消費電力な不揮発性メモリとして注目を集め... [more] |
MRIS2018-23 pp.19-23 |
EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2018-08-23 15:55 |
北海道 |
小樽経済センター |
[招待講演]デジタルデータの長期保管を実現する高信頼メモリシステム ~ その背景と課題さらにその展望 ~ ○小林敏夫(芝浦工大) R2018-23 EMD2018-26 CPM2018-26 OPE2018-53 LQE2018-42 |
半導体技術に支えられたデジタル技術はその圧倒的な利便性と能力によって個人の生活と社会活動のために必須な技術なった.その一... [more] |
R2018-23 EMD2018-26 CPM2018-26 OPE2018-53 LQE2018-42 pp.31-36 |
ICD |
2018-04-20 11:10 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology ○Hiroshi Maejima・Kazushige Kanda・Susumu Fujimura・Teruo Takagiwa・Susumu Ozawa・Jumpei Sato・Yoshihiko Shindo・Manabu Sato・Naoaki Kanagawa・Junji Musha・Satoshi Inoue・Katsuaki Sakurai・Toshifumi Hashimoto(TMC)・Hao Nguyen・Ken Cheah・Hiroshi Sugawara・Seungpil Lee(WDC)・Toshiki Hisada・Tetsuya Kaneko・Hiroshi Nakamura(TMC) ICD2018-10 |
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] |
ICD2018-10 pp.39-44 |
SDM |
2017-11-10 15:40 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル ○黄 俐昭・宮森 充・常野克己・牟田哲也・川嶋祥之(ルネサス エレクトロニクス) SDM2017-71 |
28nm世代のフラッシュ混載MCUに搭載するスプリットゲート-MONOS型不揮発性メモリセル(SG-MONOSセル)の読... [more] |
SDM2017-71 pp.53-58 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-01 09:45 |
北海道 |
北海道大学情報教育館 |
不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM ○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉(東大)・篠原尋史(早大)・小林正治・平本俊郎(東大) SDM2017-38 ICD2017-26 |
通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する.記憶させたい情報を反転してからセルに... [more] |
SDM2017-38 ICD2017-26 pp.49-54 |
ICD |
2017-04-20 16:10 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology ○Ryuji Yamashita・Sagar Magia(WDC)・Tsutomu Higuchi・Kazuhide Yoneya・Toshio Yamamura(Toshiba)・Hiroyuki Mizukoshi・Shingo Zaitsu・Minoru Yamashita・Shunichi Toyama・Norihiro Kamae・Juan Lee・Shuo Chen・Jiawei Tao・William Mak・Xiaohua Zhang(WDC) ICD2017-9 |
64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOC... [more] |
ICD2017-9 pp.45-50 |
SDM |
2017-02-06 13:00 |
東京 |
東京大学/本郷 |
[招待講演]超長期保管メモリ・システムの必要性とその課題 ~ デジタル時代の和紙を目指して ~ ○小林敏夫(芝浦工大) SDM2016-142 |
電子技術,デジタル技術のもたらす大きな利便性と処理能力のため,創生される情報量は爆発的に増加している.それに伴い保存すべ... [more] |
SDM2016-142 pp.17-22 |
MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-10-20 16:10 |
福岡 |
九州大学西新プラザ |
金属/NiO複合ナノ構造における抵抗値変化現象の低電圧制御 ○中野陽介・岡部京太・木村 崇(九大) |
デジタル情報化社会の急速な普及による情報量の爆発的増大により、革新的原理を有する不揮発メモリの登場が期待されている。今回... [more] |
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