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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2019-11-07
15:00
福井 福井大学 文京キャンパス 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果
長内公哉中村和樹郡山春人小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・末光眞希東北大)・中澤日出樹弘前大CPM2019-46
希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空... [more] CPM2019-46
pp.9-14
CPM 2019-11-07
15:25
福井 福井大学 文京キャンパス 触媒反応支援CVD法におけるZnO膜への窒素ドーピング
伊庭竜太神林広樹安達雄大長岡技科大)・大石耕一郎片桐裕則長岡高専)・安井寛治長岡技科大CPM2019-47
我々は、白金(Pt)ナノ粒子表面での水素と酸素の燃焼反応により生成した高エネルギーH2Oと有機金属ガス(DMZn)を気相... [more] CPM2019-47
pp.15-19
EE, CPM, OME
(共催)
2018-11-22
09:50
東京 機械振興会館 地下三階 B3-6 低温常圧電解に向けた窒素還元触媒のスクリーニング
岩浪滉毅城石英伸東京高専EE2018-35 CPM2018-63 OME2018-23
水素社会の実現に際し,水素キャリアとしてアンモニアが期待されている.本研究では,PM7法による半経験的分子軌道計算を用い... [more] EE2018-35 CPM2018-63 OME2018-23
pp.51-54
CPM, IEE-MAG
(連催)
2018-11-01
13:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 Ir触媒表面で励起したNOガスによるZnO膜への窒素ドープ効果
齋藤太朗安達雄大伊庭竜太小野翔太郎長岡技科大)・大石耕一郎片桐裕則長岡高専)・安井寛治長岡技科大CPM2018-42
我々は、白金(Pt)ナノ粒子表面での水素と酸素の燃焼反応により生成した高エネルギーH2Oと有機金属ガス(DMZn)を気相... [more] CPM2018-42
pp.5-9
CPM, IEE-MAG
(連催)
2018-11-02
14:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性
中澤日出樹中村和樹長内公哉郡山春人小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・末光眞希東北大CPM2018-52
希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si... [more] CPM2018-52
pp.99-104
SDM 2018-10-18
13:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセン/SiO2界面特性向上に関する検討
前田康貴朴 鏡恩小松勇貴大見俊一郎東工大SDM2018-60
これまで我々は、窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセンデバイスの特性向上に関する検討を行い、デバイス特性の向上に窒素... [more] SDM2018-60
pp.41-45
CPM 2018-08-09
14:30
青森 弘前大学文京町地区キャンパス Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果
中村和樹大橋 遼弘前大)・横山 大田島圭一郎遠藤則史末光眞希東北大)・遠田義晴小林康之鈴木裕史・○中澤日出樹弘前大CPM2018-8
希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光... [more] CPM2018-8
pp.1-6
OME 2017-12-28
13:50
東京 機械振興会館 Pt族ナノ粒子上でのアンモニア酸化時に生成する窒素被毒種の脱離過程のノーマルパルスボルタンメトリーによる解析(1)
原田祐弥城石英伸東京高専)・齋藤守弘山田晋矢東京農工大OME2017-50
我々はアンモニア酸化により生成した窒素被毒種(Nad)の脱離機構をノーマルパルスボルタンメタリーで解析してきたが,より正... [more] OME2017-50
pp.7-10
SDM 2017-10-25
16:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討
前田康貴劉 野原廣木瑞葉大見俊一郎東工大SDM2017-54
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは、下層材料や堆積温度によりグレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] SDM2017-54
pp.25-30
ED 2017-04-20
16:15
宮城 東北大学電気通信研究所 本館 6階 大会議室 プラズマ法による凸版反転印刷電極の表面処理と有機トランジスタ特性評価
圓岡 岳竹田泰典山形大)・岡本朋子片山嘉則DIC)・福田 貴東ソー)・熊木大介松井弘之泉 小波時任静士山形大ED2017-7
印刷法による高精細な電極を形成する技術は、有機トランジスタのさらなる高性能化に加え、センシングデバイスや有機無線タグの実... [more] ED2017-7
pp.25-28
EMD 2017-03-03
13:35
千葉 千葉工業大学 津田沼キャンパス 6号館612講義室 電磁コンタクタのアーク継続時間に対する封入気体と圧力の影響
武井涼介湯澤匡樹吉田 清澤 孝一郎日本工大EMD2016-101
小型電磁コンタクタを,封入気体窒素,水素,ヘリウム,クリーンエア内で開離させ、アーク放電を発生させた。開離時アーク放電時... [more] EMD2016-101
pp.9-12
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
12:00
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [招待講演]低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性
大見俊一郎前田康貴古山 脩廣木瑞葉東工大SDM2016-3 OME2016-3
ペンタセンやルブレンを用いた有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示す... [more] SDM2016-3 OME2016-3
pp.11-15
ED 2015-10-23
10:35
愛知 名城大学名駅サテライト(MSAT) 高濃度窒素添加ダイヤモンドを用いた電子源の試作 ~ 鋳型成長を用いた電極一体・平板型エミッターの製作 ~
胡谷大志国際基督教大)・増澤智昭静岡大)・山田貴壽産総研)・落合 潤斎藤市太郎岡野 健国際基督教大ED2015-64
ダイヤモンドは,その化学的安定性や高い熱伝導率,また負の電子親和力を持つ事から,電子源材料としての活用が期待されている.... [more] ED2015-64
pp.53-56
CPM 2015-08-10
13:40
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響
土屋政人村上和輝佐藤達人高見貴弘遠田義晴中澤日出樹弘前大CPM2015-32
CH4、N2および希釈ガスとしてArを用い、基板バイアスにパルスバイアスを用いたRFプラズマCVD法により、基板パルスバ... [more] CPM2015-32
pp.7-10
SDM 2015-06-19
11:10
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性
森 大輔井上 慧寺西秀明広瀬隆之瀧川亜樹富士電機SDM2015-42
SiC(000-1)面(C面)、SiC(0001)面(Si面)それぞれのSiC/SiO2界面の原子構造を明らかにするため... [more] SDM2015-42
pp.21-26
US 2014-02-21
15:05
東京 JAXA 調布航空宇宙センター 飛行場分室 超音波による水素とヘリウムの比熱比測定
平松智寛葛 晰遥九大)・藤田秀朗オリイメック)・古君 修加藤喜峰九大US2013-108
超音波を利用して、気体の比熱比を測定することに成功した。気体の温度が変化した場合や気体が混合した場合に、音速の変化が起こ... [more] US2013-108
pp.75-79
OME 2013-12-17
13:45
東京 機械振興会館 ピリジル系鉄コバルト錯体を前駆体とした酸素還元触媒の有効窒素化学種の解析
高橋勝国城石英伸東京高専)・齋藤守弘田中優実東京理科大OME2013-78
2,2’-ビピリジン,1,10-フェナントロリンを配位子とする鉄・コバルト錯体を多層カーボンナノチューブに担持しアンモニ... [more] OME2013-78
pp.7-12
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
16:40
大阪 大阪大学 吹田キャンパス A novel method for crystallizations of aluminum nitride
PeiTsen WuMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110
In this work, a new method of AlN crystal growth is proposed... [more] ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110
pp.51-55
SDM 2013-10-18
10:00
宮城 東北大学未来研 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討
前田康貴大見俊一郎東工大)・後藤哲也大見忠弘東北大SDM2013-93
低仕事関数を有するLaB6は,窒素を添加することで酸化耐性が向上することが報告されている.本研究では窒素添加したLaB6... [more] SDM2013-93
pp.27-31
LQE, LSJ
(共催)
2013-05-17
15:20
石川 金沢大学角間キャンパス 窒素ドープ同位体制御化学気相成長で作製したダイヤモンドNVセンターサンプルの光学・スピン特性
五味朋寛富澤周平慶大)・渡邊幸志梅澤 仁鹿田真一産総研)・伊藤公平早瀬潤子慶大LQE2013-12
ダイヤモンド中窒素空孔中心 (NVセンター)の電子スピン状態は,量子情報技術や高感度ナノ磁場センシングへの応用が期待され... [more] LQE2013-12
pp.53-56
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