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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 15:05 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき ○水谷朋子・竹内 潔・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大）  SDM2016-67 ICD2016-35 |
超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきを測定し，統計解析を行った．線幅が2nmまで減少すると，DI... [more] | SDM2016-67 ICD2016-35 pp.123-126 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-25 11:45 |
熊本 | 熊本市 | 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき ○水谷朋子・棚橋裕麻・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2015-68 ICD2015-37 |
[more] | SDM2015-68 ICD2015-37 pp.59-62 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 10:00 |
京都 | 京都大学 | 長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性 ○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） EID2014-13 SDM2014-108 |
原子論的な手法である強束縛（Tight Binding）近似法と原子価力場（Valence Force Field）モデ... [more] | EID2014-13 SDM2014-108 pp.1-6 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 10:15 |
京都 | 京都大学 | pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性 ○藤原寛朗・森岡直也・田中 一・須田 淳・木本恒暢（京大） EID2014-14 SDM2014-109 |
幅の異なる長方形断面を持つ $langle$100$rangle$，$langle$110$rangle$，$langl... [more] | EID2014-14 SDM2014-109 pp.7-11 |
| SDM | 2013-12-13 16:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性 ○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2013-131 |
強束縛（Tight Binding）近似法と原子価力場（Valence Force Field）モデルを用いて，長方形断... [more] | SDM2013-131 pp.91-96 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 17:20 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス ○船山裕晃・渡邉龍郎・道又賢司・和保孝夫・村上 新・下村和彦（上智大） ED2012-136 SDM2012-165 |
電界アシスト自己堆積プロセス(FASA)を用いてInAs ナノワイヤ をSi基板上に堆積した。InAs ナノワイヤ及びI... [more] | ED2012-136 SDM2012-165 pp.43-46 |
| SDM | 2012-11-16 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション ○図師知文（早大/JST）・大毛利健治・山田啓作（筑波大/JST）・渡邉孝信（早大/JST） SDM2012-108 |
ナノMOSFETにおいて形成されるとされる縦波光学(LO)フォノンが滞留した非平衡熱分布，いわゆるホットスポットの熱散逸... [more] | SDM2012-108 pp.47-52 |
| SDM | 2012-06-21 15:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | シリコンナノワイヤへの不純物ドーピングと不純物の挙動 ～ 熱酸化過程での偏析挙動 ～ ○深田直樹（物質・材料研究機構）・滝口 亮・石田慎哉・横野茂樹（筑波大）・関口隆史（物質・材料研究機構）・村上浩一（筑波大） SDM2012-58 |
ナノワイヤを利用した次世代トランジスタの実現には，1）ナノスケールでのサイズ・配列・構造制御，2）不純物ドーピングによる... [more] | SDM2012-58 pp.81-85 |
| SDM | 2011-12-16 16:20 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性 ○森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2011-146 |
強束縛近似法を用いて，長方形断面を有する[001]および[110]Siナノワイヤの伝導帯構造を計算し，断面形状の違いによ... [more] | SDM2011-146 pp.77-82 |
| SDM | 2011-11-11 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較 滝口直也・木場隼介（神戸大）・○土屋英昭（神戸大/JST）・小川真人（神戸大） SDM2011-121 |
本稿では、<110>方向のSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤの断面サイズによるバンド構造の変化を調べるために、第一原理... [more] | SDM2011-121 pp.33-38 |
| SDM | 2010-12-17 10:00 |
京都 | 京都大学(桂) | MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ ○吉岡裕典・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2010-185 |
18 nmから4 nmの断面サイズ（断面積の平方根）の<100>SiナノワイヤMOSFETを作製し、電気的特性を評価した... [more] | SDM2010-185 pp.1-6 |
| SDM | 2010-06-22 09:55 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発 ○右田真司・森田行則・太田裕之（産総研） SDM2010-34 |
平面型トランジスタの微細化限界を打破するデバイス構造として，シリコンナノワイヤ トランジスタが注目を集めている．このトラ... [more] | SDM2010-34 pp.5-10 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 09:50 |
北海道 | 北海道大学 | シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果 ○鄭 然周・Chen Jiezhi・更屋拓哉・平本俊郎（東大） ED2008-234 SDM2008-226 |
NW(nanowire) pFET及びSHT(single-hole transistor)における一軸歪みの効果を報告... [more] | ED2008-234 SDM2008-226 pp.59-62 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | シリコンナノワイヤトランジスタの3次元量子輸送シミュレーション ○山田吉宏・土屋英昭・小川真人（神戸大） SDM2008-182 |
極限構造MOSトランジスタとして、シリコンナノワイヤをチャネルとする1次元MOSトランジスタが注目されている。本稿では、... [more] | SDM2008-182 pp.77-82 |
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