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ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2019-01-25
10:40
鹿児島 鹿児島大学 稲盛会館 [ポスター講演]NH3雰囲気中で合成したY4Si2O7N2:Eu3+赤色蛍光体の大気アニールによる発光特性の改善
中本広大川島美沙木下 顕幡中悠一郎石垣 雅鳥取大)・國本 崇徳島文理大)・本間徹生高輝度光科学研究センター)・大観光徳鳥取大EID2018-16
Y4Si2O7N2:Eu3+蛍光体をNH3雰囲気中で合成した. 合成試料から,Eu3+による赤色発光, 及び近紫外領域に... [more] EID2018-16
pp.109-112
CPM 2011-10-27
10:45
福井 福井大学 産学官連携本部研修室 NH3分解触媒を用いたInNのMOVPE成長
廣長大造杉田憲一A.g. Bhuiyan橋本明弘山本あき勇福井大CPM2011-121
NH3 を窒素源とするInNのMOVPE成長において、NH3の分解率向上のためにPt触媒の導入を提案し検討した。Pt触媒... [more] CPM2011-121
pp.59-62
SDM 2007-12-14
15:10
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 シリコン太陽電池用SiNxパッシベーション膜におけるNH3プラズマ界面改質効果
岸山友紀高橋 優大鐘章義Athapol Kitiyanan浦岡行治冬木 隆奈良先端大SDM2007-232
Si太陽電池の高効率化に際し、高品質な表面パッシベーション技術の開発とその評価は必要不可欠なものとなっている。本研究では... [more] SDM2007-232
pp.43-46
CPM 2005-11-12
09:50
福井 福井大学 ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN1-xOx薄膜によるH2Sの光触媒分解効果
宮西正芳福井大)・高橋尚也福井高専)・小林隆弘福井大)・高山勝己福井高専)・南保幸男日華化学)・橋本明弘山本あきお福井大
ArFエキシマレーザ援用MOCVD法(La-MOCVD法)により低温(500℃以下)で形成したInN膜には酸素が混入し易... [more] CPM2005-163
pp.9-12
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