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講演検索結果
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 71件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2024-04-12
10:45
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]NANDフラッシュメモリーインターフェースの概要と最新の研究開発動向
都井 敬キオクシアICD2024-11
多様な機械学習アプリケーションやビッグデータ解析などに使用されるデータ量の爆発的な増加により、ストレージシステムの広帯域... [more] ICD2024-11
p.36
ICD 2024-04-12
13:50
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]高速・大容量ストレージシステムをスケーラブルに実現するブリッジチップの開発
池田真一岩田 彰大友吾一鈴木智明飯島浩晃白石幹雄川上愼也永光正知松岡良樹佐藤聖人土屋滋洋繁田良則青山琢磨キオクシアICD2024-14
高速・大容量ストレージシステムを実現するブリッジチップについて述べる.提案するブリッジチップは,既存NANDインターフェ... [more] ICD2024-14
p.43
ICD 2023-04-10
10:20
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]単結晶チャネルと極低温動作による3次元フラッシュメモリの特性向上
田中 瞳饗場悠太前田高志澤 敬一菊島史恵佐貫朋也キオクシア
本報告では,単結晶チャネルと液体窒素を用いた77 Kでの極低温動作の組み合わせにより,3次元フラッシュメモリのセルトラン... [more]
ICD 2023-04-11
11:00
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]1 Tb 4b/Cell 176-Tier 3D NAND Flash with 4 Independent Planes for Read
田中智晴MMJICD2023-9
メモリセル当たり4ビット(QLC)の記憶方式を用いた、1Tビットの記憶容量の3D-NANDフラッシュメモリを示す。本メモ... [more] ICD2023-9
p.17
SDM 2020-01-28
15:45
東京 機械振興会館 [招待講演]Future of Non-Volatile Memory - From Storage to Computing
石丸一成キオクシアSDM2019-87
最初のNANDフラッシュメモリが国際学会で発表されてから30年以上経つ。NANDフラッシュメモリは単位容量辺りのコスト(... [more] SDM2019-87
p.19
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-14
14:15
愛媛 愛媛県男女共同参画センター 3次元NAND型フラッシュメモリにおけるニューラルネットワークを用いた寿命予測と高信頼化手法
阿部真輝竹内 健中大ICD2019-30 IE2019-36
NAND型フラッシュメモリには、データを保持できる時間や読み出し回数といったメモリの寿命が存在する。そこで、ニューラルネ... [more] ICD2019-30 IE2019-36
pp.7-12
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-15
15:45
愛媛 愛媛県男女共同参画センター QLC NAND型フラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDにおける最適な不揮発性メモリ構成の設計
高井良貴福地 守松井千尋木下怜佳竹内 健中大ICD2019-41 IE2019-47
NAND型フラッシュメモリはセルあたりのビット数を増加させることにより,容量密度を大きくし,ビットコストを低減させてきた... [more] ICD2019-41 IE2019-47
pp.59-63
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
09:15
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]汎用メモリを利用した量子アニーリング機械の提案
棚本哲史帝京大SDM2019-40 ICD2019-5
量子アニーリング装置は、デジタルコンピュータより効率的に組み合わせ最適化問題を解く可能性があり、研究者を含めた多くの人々... [more] SDM2019-40 ICD2019-5
pp.21-26
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2018-12-07
13:45
広島 サテライトキャンパスひろしま SCM/NANDフラッシュハイブリッドストレージにおけるアプリケーション特性に応じたSCM容量の自律最適化手法
松井千尋竹内 健中大CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73
ストレージクラスメモリ(SCM)をNAND型フラッシュメモリの不揮発性キャッシュとして用いることで,ハイブリッドストレー... [more] CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73
pp.29-30
DC, SS
(共催)
2018-10-04
14:25
愛知 犬山国際観光センター「フロイデ」 NANDフラッシュメモリにおける信頼性に合わせた多段階誤り訂正
小倉 涼北神正人千葉大SS2018-19 DC2018-20
 [more] SS2018-19 DC2018-20
pp.7-12
ICD 2018-04-19
10:35
東京 機械振興会館 ヘテロジニアスストレージにおけるアプリケーションに応じた不揮発性メモリ構成の最適化
松井千尋竹内 健中大ICD2018-2
データセンターストレージでは特性の異なるストレージアプリケーションに適切な半導体不揮発性メモリを組み合わせることが必要で... [more] ICD2018-2
pp.7-10
ICD 2018-04-20
11:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology
Hiroshi MaejimaKazushige KandaSusumu FujimuraTeruo TakagiwaSusumu OzawaJumpei SatoYoshihiko ShindoManabu SatoNaoaki KanagawaJunji MushaSatoshi InoueKatsuaki SakuraiToshifumi HashimotoTMC)・Hao NguyenKen CheahHiroshi SugawaraSeungpil LeeWDC)・Toshiki HisadaTetsuya KanekoHiroshi NakamuraTMCICD2018-10
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] ICD2018-10
pp.39-44
SDM 2018-01-30
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術
溝口恭史小滝翔平出口慶明竹内 健中大SDM2017-93
Near Data Computingでは, アプリケーションの一部を高速に処理するためにSSDコントローラー内に多くの... [more] SDM2017-93
pp.9-12
ICD 2017-04-20
13:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路
鶴見洸太田中誠大竹内 健中大ICD2017-5
IoTローカルデバイスに組み込まれるデータストレージとしてNAND型フラッシュメモリが注目されている。IoTローカルデバ... [more] ICD2017-5
pp.23-28
ICD 2017-04-20
14:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術
中村俊貴小林惇朗竹内 健中大ICD2017-6
クラウドデータセンタでは、読み出しが頻繁に行われるホットデータからほとんど読み出しが行われないコールドデータまで、様々な... [more] ICD2017-6
pp.29-34
ICD 2017-04-20
16:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology
Ryuji YamashitaSagar MagiaWDC)・Tsutomu HiguchiKazuhide YoneyaToshio YamamuraToshiba)・Hiroyuki MizukoshiShingo ZaitsuMinoru YamashitaShunichi ToyamaNorihiro KamaeJuan LeeShuo ChenJiawei TaoWilliam MakXiaohua ZhangWDCICD2017-9
64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOC... [more] ICD2017-9
pp.45-50
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2017-03-10
17:00
沖縄 具志川農村環境改善センター ビッグデータ解析に向けたスケーラブルなデータセントリックコンバージドシステム
佐々木勇輝高橋健治坂主圭史木下敦寛東芝CPSY2016-162 DC2016-108
成長を続けるIoT市場におけるデータ解析の要求に対応する為に、スケールアウト可能な分散アーキテクチャが求められている。し... [more] CPSY2016-162 DC2016-108
pp.399-404
ICD, CPSY
(共催)
2016-12-15
15:30
東京 東京工業大学 [ポスター講演]NAND型フラッシュメモリに生じる読み出しディスターブエラーの解析
渡邉 光小林惇朗竹内 健中大ICD2016-66 CPSY2016-72
近年、クラウド技術やSNSの普及により、データが局所的に読み出されるアプリケーションが増加している。ソリッド・ステート・... [more] ICD2016-66 CPSY2016-72
p.51
ICD, CPSY
(共催)
2016-12-15
15:30
東京 東京工業大学 [ポスター講演]NAND型フラッシュメモリの世代間におけるエラーパターンの解析
榊 佑季哉山賀祐典竹内 健中大ICD2016-69 CPSY2016-75
NAND型フラッシュメモリのメモリセルは年々微細化され、チップ容量の大容量化が成されている一方で、ビットエラーが増大し、... [more] ICD2016-69 CPSY2016-75
p.57
ICD, CPSY
(共催)
2016-12-15
15:30
東京 東京工業大学 [ポスター講演]長期保存向けNAND型フラッシュメモリのエラー傾向の解析
溝口恭史高橋知紀有留誠一竹内 健中大ICD2016-72 CPSY2016-78
近年、芸術や文化、歴史などの10年から100年、またはそれ以上のデータ保持が求められるデジタルデータが急増している。これ... [more] ICD2016-72 CPSY2016-78
p.63
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