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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2017-04-20 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology ○Ryuji Yamashita・Sagar Magia（WDC）・Tsutomu Higuchi・Kazuhide Yoneya・Toshio Yamamura（Toshiba）・Hiroyuki Mizukoshi・Shingo Zaitsu・Minoru Yamashita・Shunichi Toyama・Norihiro Kamae・Juan Lee・Shuo Chen・Jiawei Tao・William Mak・Xiaohua Zhang（WDC）  ICD2017-9 |
64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOC... [more] | ICD2017-9 pp.45-50 |
| ICD | 2012-04-23 12:30 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | ［招待講演］19nm 64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発 ○柴田 昇・神田和重・久田俊記・磯部克明・佐藤 学・清水有威・清水孝洋・杉本貴宏・小林智浩・犬塚和子・金川直晃・梶谷泰之・小川武志・中井 潤（東芝）・亀井輝彦（サンディスク） ICD2012-1 |
世界最小の19nmのデザインルールを用いて64Gb多値（2bit/cell）NANDフラッシュメモリーを開発した。片側 ... [more] | ICD2012-1 pp.1-5 |
| ICD | 2011-12-15 16:10 |
大阪 | 大阪大学会館 | ［ポスター講演］3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速Vpass(10V)生成、15%低消費電力Vpgm(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム ○畑中輝義・竹内 健（東大） ICD2011-117 |
3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向けの電源回路として、10 V~20 Vを出力するワイドレンジ電圧生成システムを提... [more] | ICD2011-117 pp.81-86 |
| ICD | 2009-04-14 13:00 |
宮城 | 大観荘（宮城県松島町） | ［招待講演］NANDフラッシュメモリの技術動向および113mm2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ ○二山拓也・藤田憲浩・常盤直哉・進藤佳彦・枝広俊昭（東芝）・亀井輝彦・那須弘明（サンディスク）・岩井 信・加藤光司・福田康之・金川直晃・安彦尚文（東芝）・松本雅英（サンディスク）・姫野敏彦・橋本寿文（東芝） ICD2009-8 |
32nmCMOS製造プロセスを用いて3ビット/セルの多値技術を持った32GビットのNANDフラッシュメモリを開発した。微... [more] | ICD2009-8 pp.39-42 |
| ICD | 2009-04-14 13:50 |
宮城 | 大観荘（宮城県松島町） | [依頼講演]7.8MB/sを実現する64Gb4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー ○本間充祥（東芝）・Cuong Trinh（サンディスク）・柴田 昇・中野 威・小川幹雄・佐藤順平・竹山嘉和・磯部克明（東芝）・Binh Le・Farookh Moogat・Nima Mokhlesi・Kenji Kozakai・Patrick Hong・Teruhiko Kamei（サンディスク）・岩佐清明（東芝） ICD2009-9 |
４３ｎｍの製造プロセスを用いて4ビット/セルの多値技術を持ったＮＡＮＤフラッシュメモリーを開発した。１チップの容量として... [more] | ICD2009-9 pp.43-46 |
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