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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, THz (共催) |
2021-12-21 10:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析 礒前雄人・岸本尚之・林 拓也・國澤宗真（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・町田龍人・原 紳介・笠松章史（NICT）・○遠藤 聡・藤代博記（東京理科大）  ED2021-57 |
我々は３種類のAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb-HEMTを作製した．これらのHEMTエピタキシ... [more] | ED2021-57 pp.44-47 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2021-10-08 15:35 |
ONLINE | オンライン開催 | Pt/Co/CoO/アモルファスTiOx構造における電圧誘起保磁力変化 ○野崎友大・田丸慎吾・甲野藤 真・野﨑隆行・久保田 均・福島章雄・湯浅新治（産総研） MRIS2021-9 |
近年、磁気抵抗メモリ(MRAM)にも適用可能な低消費電力な書き込みの手段として、電圧による磁気異方性制御(VCMA)効果... [more] | MRIS2021-9 pp.13-16 |
| CPM | 2020-10-29 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ステアリング結晶を形成した多結晶Si基板上へのInNナノ柱状結晶の成長 ○薛 後耀・白石孝輝・飯塚洋介・谷口真悟・齋藤 宇・齋藤 翼・佐藤祐一（秋田大） CPM2020-15 |
低コスト太陽電池の形成に広く用いられている多結晶Siを基板としてInNナノ柱状結晶を形成した．その際，結晶の配向性を整え... [more] | CPM2020-15 pp.15-18 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2015-10-30 11:15 |
大分 | 別府国際コンベンションセンター | InP(001)微傾斜基板上における多重積層InAs量子ドットレーザの諸特性 ○赤羽浩一・梅沢俊匡・松本 敦・山本直克（NICT） OCS2015-73 OPE2015-123 LQE2015-92 |
これまでに我々はInP(001)微傾斜基板上において歪補償法を用いた自己組織化InAs量子ドットの多重積層構造の形成を行... [more] | OCS2015-73 OPE2015-123 LQE2015-92 pp.159-162 |
| LQE, LSJ (共催) |
2014-05-23 13:15 |
福井 | 福井大学文京キャンパス | 正弦波組成プロファイルをもつAlGaAs分布型ブラッグ反射鏡 ○真鍋直樹・下村 哲（愛媛大） LQE2014-13 |
分子線エピタキシー装置を用いてAl組成が正弦関数様に変化するAlGaAs分布型ブラッグ反射器(DBR)を作製した。計算で... [more] | LQE2014-13 pp.57-60 |
| SDM | 2013-06-18 13:35 |
東京 | 機械振興会館 | Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定 石部貴史・中村芳明・○松井秀紀・竹内正太郎・酒井 朗（阪大） SDM2013-54 |
Si基板上鉄酸化物薄膜は、安価で環境低負荷な抵抗変化型メモリ（ReRAM）材料として期待されている。しかし、ON/OFF... [more] | SDM2013-54 pp.51-55 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 16:55 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET ○前澤宏一・伊藤泰平・角田 梓・中山幸二・安井雄一郎・森 雅之（富山大）・宮崎英志・水谷 孝（名大） ED2012-135 SDM2012-164 |
表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとして... [more] | ED2012-135 SDM2012-164 pp.39-42 |
| LQE | 2012-12-13 09:35 |
東京 | 機械振興会館 | 高速MBE成長法による19層積層InGaAs／GaAs量子ドットレーザの利得評価 ○田之上文彦（首都大東京/NICT）・菅原宏治（首都大東京）・赤羽浩一・山本直克（NICT） LQE2012-121 |
高速分子線エピタキシ(MBE)成長技術を用いて，共振器長100～600$ \mu $mの19層積層InGaAs量子ドット... [more] | LQE2012-121 pp.1-4 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:00 |
大阪 | 大阪市立大学 | Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製 ○大谷龍輝・関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く，温度消光が小さいといった優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイスとして注目されて... [more] | ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 pp.65-70 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 13:40 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上 ○深見太志・浦上法之・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20 |
Si上発光デバイスの活性層材料としてGaAsN混晶は有望である。460°Cで成長した試料に比べ、600°Cで成長したGa... [more] | ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20 pp.7-10 |
| LQE | 2011-12-16 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］光励起によるGaAs1-xBix/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 ～ その発振波長の低温度依存性 ～ ○富永依里子・尾江邦重・吉本昌広（京都工繊大） LQE2011-127 |
光励起によるGaAs0.975Bi0.025/GaAsファブリ・ペロー共振器付き薄膜からのレーザ発振を実現した。GaAs... [more] | LQE2011-127 pp.21-24 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 10:05 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長 ○菊地諒介・奥村宏典・木本恒暢・須田 淳（京大） ED2011-73 CPM2011-122 LQE2011-96 |
本研究室ではこれまで、SiC基板のステップ高さ制御、AlN層成長直前のGa先行照射を行い、窒素プラズマ点灯と同時に成長を... [more] | ED2011-73 CPM2011-122 LQE2011-96 pp.1-4 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 10:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響 ○関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・大谷龍輝・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く温度消光が小さいなどの優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイス材料として注目されて... [more] | ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 pp.93-97 |
| ED | 2011-07-30 13:30 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | Sbテンプレートを使用したSi(111)面上GaSb薄膜の作製とその評価 ○豊田英之・岡部晃也・神保良夫・内富直隆（長岡技科大） ED2011-54 |
本研究では、分子線エピタキシー法(MBE)によるSi(111)面上GaSb薄膜の作製とその評価を行った。Si-GaSb間... [more] | ED2011-54 pp.85-89 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | BGaPの分子線エピタキシー成長 ○浦上法之・深見太志・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-11 CPM2011-18 SDM2011-24 |
Si基板上歪量子井戸レーザ用の歪補償層への応用に向けて、希薄BGaP層の分子線エピタキシャル成長を検討した。BGaP層の... [more] | ED2011-11 CPM2011-18 SDM2011-24 pp.55-58 |
| LQE | 2010-12-17 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 光励起によるGaAs1-xBix/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 ～ その発振波長の低温度依存性 ～ ○富永依里子・尾江邦重・吉本昌広（京都工繊大） LQE2010-124 |
光励起によるGaAs0.975Bi0.025/GaAsファブリ・ペロー共振器付き薄膜からのレーザ発振を実現した。GaAs... [more] | LQE2010-124 pp.47-50 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 11:15 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用 ○山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） ED2009-133 CPM2009-107 LQE2009-112 |
InN成長のための新しいRF-MBE（radio-frequency plasma-assisted molecular... [more] | ED2009-133 CPM2009-107 LQE2009-112 pp.25-29 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 09:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製 ○関口寛人・菊池昭彦・岸野克巳（上智大） ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 |
GaNナノコラムは結晶中に貫通転位を含まず優れた発光特性を有する。我々は可視全域で発光するInGaN/GaN量子井戸ナノ... [more] | ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 pp.1-6 |
| EMT, LQE, OPE, PN (共催) |
2008-01-29 09:55 |
大阪 | 大阪電気通信大学 | 分子線エピタキシー法によるGaAs1-xBix/GaAs多重量子井戸構造の製作 ○木下雄介・富永依里子・尾江邦重・吉本昌広（京都工繊大） PN2007-56 OPE2007-164 LQE2007-142 |
温度無依存発振波長を持つ新規半導体レーザ製作に向けて、GaAs基板上にGaAs1-xBix/GaAs多重量子井戸(MQW... [more] | PN2007-56 OPE2007-164 LQE2007-142 pp.107-110 |
| CPM | 2007-11-17 15:30 |
新潟 | 長岡技術科学大学 | Si基板上に成長したGaSb/AlGaSb多重量子井戸構造の評価 ○豊田英之・安田武史・藤江周作（長岡技科大）・中村新一（青学大）・神保良夫・内富直隆（長岡技科大） CPM2007-127 |
本研究では、分子線エピタキシー法(MBE)によるSi基板上へのGaSb/AlGaSb多重量 子井戸構造(MQW)の作製... [more] |
CPM2007-127 pp.115-119 |
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