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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| RCS, SR, SRW (併催) |
2022-03-02 13:55 |
ONLINE | オンライン開催 | ポスト5Gネットワークによるクラウド支援型低速モビリティシステムに関する検討 ○星 智文・近藤亮磨・岡野由樹・成末義哲・森川博之（東大）  RCS2021-266 |
日本の社会課題および地域課題の解決に資するモビリティサービスを実現するため，ポスト5G網とクラウドコンピューティングを活... [more] | RCS2021-266 pp.80-84 |
| IA | 2019-11-14 15:30 |
東京 | 関西学院大学 東京丸の内キャンパス(サピアタワー) | ［ポスター講演］A Userland Implementation of an IP Mobility Support Function using Data Plane Development Kit ○Yuto Tanabe・Kaori Maeda（Hiroshima City Univ.）・Yasuhiro Ohishi（IIJ）・Reiji Aibara（Hiroshima Univ.） IA2019-29 |
[more] | IA2019-29 pp.33-37 |
| SDM | 2016-11-10 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiC トレンチ型DMOS（TED MOS）のチャネル特性に関する研究 ○手賀直樹・久本 大・島 明生・嶋本泰洋（日立） SDM2016-80 |
新型SiC トレンチ型DMOSであるtrench-etched double-diffused MOS (TED MOS... [more] | SDM2016-80 pp.9-14 |
| IA | 2015-11-12 15:10 |
千葉 | 成田ビューホテル | ［招待講演］An Efficient Network-based Mobility Support in Software Defined Networks ○Shimin Sun・Li Han・Boyeong Mun・Sunyoung Han（Konkuk Univ.） IA2015-50 |
The rapid development of Software Defined Networking (SDN) p... [more] | IA2015-50 pp.71-76 |
| ED | 2015-07-25 10:40 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス ○木下治紀・祢津誠晃・三嶋裕一・金澤 徹・宮本恭幸（東工大） ED2015-44 |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マル... [more] | ED2015-44 pp.39-44 |
| IN, MoNA (併催) |
2014-11-19 11:40 |
山口 | 下関市勤労福祉会館 | モバイルネットワークにおける自律分散型移動管理手法の検討 ～ 移動管理アーキテクチャの提案 ～ ○岩井孝法・山野 悟（NEC）・若宮直紀・村田正幸（阪大） IN2014-89 |
近年，次世代モバイルネットワークとして第5世代移動通信(5G)の検討が盛んに行われている．5Gネットワークは，IoTやM... [more] | IN2014-89 pp.45-50 |
| ITS, IE (共催) ITE-AIT, ITE-HI, ITE-ME (共催) (連催) [詳細] |
2014-02-17 15:00 |
北海道 | 北海道大学 | 立ち乗り型モビリティロボットのシェアリング検討のためのシミュレータの開発 ○富田康治・橋本尚久・松本 治（産総研） ITS2013-45 IE2013-110 |
コンパクトシティー等、将来の低炭素省エネルギー型の都市における移動手段として、立ち乗り型モビリティロボットが有望であると... [more] | ITS2013-45 IE2013-110 pp.89-92 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET ○金澤 徹・三嶋裕一・木下治紀・上原英治・宮本恭幸（東工大） ED2013-115 MW2013-180 |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。そのさらなる性能向上を目指して、... [more] | ED2013-115 MW2013-180 pp.29-33 |
| NS | 2013-10-17 09:25 |
北海道 | 北海道大学 | 複数EPC環境でのサービス振り分け方式の一検討 ○馬場宏基・東 信博・松本 実・則武克誌（NTT） NS2013-90 |
スマートフォンの普及によるデータトラヒック量／NW 制御信号処理量の増加が見込まれる．また，M2M サービスのように低A... [more] | NS2013-90 pp.1-6 |
| SDM | 2013-06-18 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］SiC-MOSゲート構造の高信頼性化 ○先﨑純寿・下里 淳・田中保宣・奥村 元（産総研） SDM2013-60 |
超低損失SiC-MOSパワーデバイスの実用化のため，SiC-MOS構造の高性能・高信頼性化は重要な課題である．我々はSi... [more] | SDM2013-60 pp.81-86 |
| MoNA, AN, USN (併催) |
2013-01-25 15:50 |
宮城 | 作並温泉ゆづくしSalon 一の坊(仙台市) | 移動計画に基づくDTN通信におけるデフォルトルート設定の効果 ○岩井正敏・桧垣博章（東京電機大） AN2012-68 |
移動無線ノードが低密度に分布する場合, 送信元移動無線ノードから送信先移動無線ノードまでの無線マルチホップ配送経路を検出... [more] | AN2012-68 pp.115-120 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 11:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Improved current stability in multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs ○Kota Ohi・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ.） |
We have proposed and characterized a multi-mesa-channel (MMC... [more] | |
| IN | 2012-01-26 13:25 |
北海道 | 旭川ターミナルホテル | 基地局を含む無線マルチホップネットワークにおける端末移動計画に基づくDTNルーティング手法 ○岩井正敏・千明 陽・桧垣博章（東京電機大） IN2011-121 |
移動無線ノードが低密度に分布する無線マルチホップネットワークでは,データメッセージの到達性向上のために,中継移動無線ノー... [more] | IN2011-121 pp.5-10 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 16:25 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性 ○大井幸多（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 |
ゲート電極直下のみに周期的トレンチ構造を形成した多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTを作製し，評価を... [more] | ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 pp.47-50 |
| SDM | 2010-10-22 11:10 |
宮城 | 東北大学 | 連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価 ○藤井俊太朗・黒木伸一郎・小谷光司（東北大） SDM2010-162 |
連続発振レーザー結晶化によって形成したpoly-Si膜中には引っ張り歪が発生する。面内方向のX線回折測定から、表面側では... [more] | SDM2010-162 pp.41-44 |
| CPM | 2010-07-29 14:55 |
北海道 | 道の駅しゃり 会議室 | 触媒反応により生成した水分子ビームを用いたZnO結晶薄膜のエピタキシャル成長 田原将巳・三浦仁嗣・黒田朋義・西山 洋・○安井寛治（長岡技科大） CPM2010-33 |
ジルコニアに担持した白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH2O分子を生成、有機金属ガスと気相中... [more] | CPM2010-33 pp.11-15 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | レーザー、熱アニーリング後のドープSi膜の電気的活性化 野口 隆・○鈴木俊治（琉球大） ED2010-85 SDM2010-86 |
ドープしたアモルファスSi膜に対して、RTA、レーザーアニールを施し有効な結晶化を行った。得られた膜の電気的（４探針法、... [more] | ED2010-85 SDM2010-86 pp.149-153 |
| SDM | 2010-06-22 10:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 ○佐藤創志・角嶋邦之・パールハット アヘメト（東工大）・大毛利健治（早大）・名取研二・岩井 洋（東工大）・山田啓作（早大） SDM2010-35 |
高いON電流と低いOFF電流を併せ持つことによる低電源電圧・低消費電力デバイスとしてシリコンナノワイヤトランジスタ(Si... [more] | SDM2010-35 pp.11-16 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2009-183 MW2009-166 |
ゲート電極直下のみに周期的メサ構造を有する多重台形チャネル(MMC: Multi-Mesa-Channel)HEMTでは... [more] | ED2009-183 MW2009-166 pp.49-53 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2008-223 MW2008-188 |
ゲート電極直下のみを周期的トレンチ構造とした多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTは，側面ゲートからの... [more] | ED2008-223 MW2008-188 pp.141-144 |
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