| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 15:20 |
静岡 | アクトシティ浜松 | Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題 ○伊藤佑太・渡邉浩崇・出来真斗・新田州吾・田中敦之・本田善夫・天野 浩（名大）  ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59 |
縦型GaNパワーデバイスの実現には, 局所的なp型ドーピング技術の確立が必要不可欠である. しかし, 代表的な不純物ドー... [more] | ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59 pp.25-30 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 11:15 |
ONLINE | オンライン開催 | エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究 ○中林泰希・高田華果・江川孝志・三好実人（名工大）・竹内哲也（名城大） ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55 |
本研究では、有機金属気相成長法(MOCVD)によるAlInN膜成長において、Si及びMgドープによる導電性制御、ならびに... [more] | ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55 pp.13-16 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 11:05 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］正方晶Mg2TiO4:Mn4+深赤色蛍光体におけるBi3+添加による励起特性への影響 ○洲濱基志・上野雄祐・石垣 雅・大観光徳（鳥取大） EID2019-15 |
本研究ではMg2TiO4:Mn4+ にBi3+を添加し、更に625℃、24時間の低温アニール処理をすることで立方晶から正... [more] | EID2019-15 pp.125-128 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 15:10 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作 ○塩島謙次・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属） ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107 |
電圧掃引速度、掃引方向を変化させたI-V測定、及び交流測定を低Mgドープｐ－GaNショットキー接触に対して行った。I-V... [more] | ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107 pp.39-42 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 16:15 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 ○若杉侑矢・本田善央・天野 浩（名大） ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109 |
MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時... [more] | ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109 pp.47-50 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:00 |
大阪 | 大阪市立大学 | Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製 ○大谷龍輝・関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く，温度消光が小さいといった優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイスとして注目されて... [more] | ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 pp.65-70 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 10:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響 ○関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・大谷龍輝・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く温度消光が小さいなどの優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイス材料として注目されて... [more] | ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 pp.93-97 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 窒化物半導体トンネル接合の作製 ○加賀 充・飯田大輔（名城大）・北野 司（エルシード）・山下浩司・矢木康太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 |
本報告では、高抵抗p型窒化物半導体に制限されない電流注入を目指して、窒化物半導体を用いたトンネル接合の検討を行った。はじ... [more] | ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 pp.105-110 |
| ITE-IDY, EID, IEIJ-SSL, IEE-EDD (共催) |
2010-01-28 15:15 |
福岡 | 九州大学(筑紫地区) | 近紫外励起用赤色蛍光体CuAlS2:Mn, Siにおける母体の混晶化による励起特性の改善 ○大橋計仁（鳥取大）・宮本快暢（鳥取大/TEDREC）・大観光徳（鳥取大）・吉田尚史（NECライティング） |
CuAlS2:Mnは色純度のよい赤色発光を示し、近紫外波長域に強い励起帯を有し、また温度消光が少ないことから、近紫外LE... [more] | EID2009-62 pp.61-64 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 10:55 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | MgドープGaN表面特性のアニールによる変化 ○小川恵理・橋詰 保（北大/JST） ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 |
Mgドープ量の異なるGaN表面にSiO2保護膜を形成し，1000〜1100oCの高温でアニールを行い，アニ... [more] | ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 pp.105-108 |
| ED | 2007-06-16 09:30 |
富山 | 富山大学 | ［招待講演］金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展 ○塩島謙次（福井大） ED2007-41 |
低Mgドープp-GaN基板を用いて良好なショットキー接触を実現し、電極界面の電気的特性を明らかにした結果を中心として、金... [more] | ED2007-41 pp.57-60 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]