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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 16:35 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | ［招待講演］ミリ波・サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術 ○渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT）  ED2019-105 MW2019-139 |
窒化ガリウム（GaN）系高電子移動度トランジスタ（HEMT）等の化合物半導体電子デバイスは，周波数100 GHz以上で動... [more] | ED2019-105 MW2019-139 pp.59-64 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:45 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT ○大澤幸希・岩木拓也・遠藤勇輝・平岡瑞穂・岸本尚之・林 拓也（東京理科大）・渡邊一世（NICT/東京理科大）・山下良美・原 紳介・後藤高寛・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大） ED2019-83 |
我々は，世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し，これらのHEMTの特性を評価した．我々が以前に作製... [more] | ED2019-83 pp.29-32 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 09:00 |
宮城 | 東北大・通研 | ［招待講演］InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）・三村高志（NICT） ED2018-62 |
我々は，電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系，Sb系及びGaN系HEMTを作製し，これらのHEMTの特性を... [more] | ED2018-62 pp.35-38 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2017-82 |
In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMT及びIn0.7Ga0.3Asチャ... [more] | ED2017-82 pp.37-40 |
| ED | 2016-12-19 14:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT） ED2016-81 |
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] | ED2016-81 pp.7-12 |
| ED | 2015-12-21 13:45 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT） ED2015-92 |
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を，温度30... [more] | ED2015-92 pp.7-11 |
| MW | 2014-12-19 09:50 |
東京 | 青山学院大 青山キャンパス | マッチトリング発振器の考察 ○谷森俊介・高野恭弥・片山光亮・天川修平・吉田 毅・藤島 実（広島大） MW2014-168 |
プロセス性能を追求した発振器を実現するために，理論的に最適な回路構成を導出する設計方法について検討を行った．これまでの一... [more] | MW2014-168 pp.109-114 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性 ○渡邊一世・遠藤 聡（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-214 MW2008-179 |
InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz-3 TH... [more] | ED2008-214 MW2008-179 pp.95-99 |
| ED | 2007-11-27 13:55 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製 ○渡邊一世・遠藤 聡（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2007-188 |
InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz-3 TH... [more] | ED2007-188 pp.7-10 |
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