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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2022-12-08
13:55
愛媛 愛媛大学 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
垂直磁化SAF固定層を用いたCPP-GMR膜の電流誘起磁化反転
潘 達曹 哲大島大輝加藤剛志名大MRIS2022-19
3次元磁気メモリ素子開発を目指し,垂直磁化Co/Pd膜の電流誘起磁化反転を検討した. Ruを介して人工積層フェリ磁性(S... [more] MRIS2022-19
pp.7-10
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2017-10-20
10:05
新潟 柏崎エネルギーホール、新潟 Thermal magnetoresistance in GMR nanowires
Nagarjuna AsamKazuto YamanoiTakashi KimuraKyushu Univ.
We have studied thermal transport in Ferromagnet(FM)/Nonmagn... [more]
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
15:35
愛知 名古屋大学VBL3階 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション
洗平昌晃名大)・山本貴博東京理科大)・白石賢二名大ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25
磁気抵抗メモリは,不揮発性・高速動作・高書換え耐性というメモリに求められる全ての要素を併せ持っており,次世代のメモリデバ... [more] ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25
pp.47-50
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
14:30
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]Advanced magnetic tunnel junctions for hybrid spintronics/CMOS circuits
Shoji IkedaTohoku Univ.)・Jun HayakawaHitachi, Ltd.)・Huadong GanKotaro MizumumaJi Ho ParkTohoku Univ.)・Hiroyuki YamamotoKatsuya MiuraHitachi, Ltd./Tohoku Univ.)・Haruhiro HasegawaRyutaro SasakiToshiyasu MeguroTohoku Univ.)・Kenchi ItoHitachi, Ltd.)・Fumihiro MatsukuraHideo OhnoTohoku Univ.ED2009-51 SDM2009-46
 [more] ED2009-51 SDM2009-46
pp.5-8
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
15:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit
Masashi KamiyanagiFumitaka IgaShoji IkedaTohoku Univ.)・Katsuya MiuraTohoku Univ./Hitachi)・Jun HayakawaHitachi)・Haruhiro HasegawaTakahiro HanyuHideo OhnoTetsuo EndohTohoku Univ.ED2009-52 SDM2009-47
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] ED2009-52 SDM2009-47
pp.9-12
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
15:15
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits
Fumitaka IgaMasashi KamiyanagiShoji IkedaTohoku Univ.)・Katsuya MiuraTohoku Univ./Hitachi)・Jun HayakawaHitachi)・Haruhiro HasegawaTakahiro HanyuHideo OhnoTetsuo EndohTohoku Univ.ED2009-53 SDM2009-48
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] ED2009-53 SDM2009-48
pp.13-16
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