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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2018-12-06
15:30
愛媛 愛媛大学 電圧トルクMRAMにおける書き込みエラー率のシミュレーション解析
今村裕志産総研
電圧印加による磁気異方性の変化を書き込みに利用した電圧トルクMRAMは高速・超低消費電力な不揮発性メモリとして注目を集め... [more] MRIS2018-23
pp.19-23
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2017-07-07
16:10
東京 東京工業大学 電圧制御型スピントロニクスメモリ (VoCSM)
ブヤンダライ アルタンサルガイ與田博明清水真理子井口智明大沢裕一下村尚治白鳥聡志杉山英行加藤侑志上口裕三鴻井克彦及川壮一石川瑞恵斉藤好昭黒部 篤東芝
電圧制御型スピントロニクスメモリ(voltage-control spintronics memory: VoCSM)は... [more] MR2017-16
pp.37-40
ICD 2017-04-20
10:35
東京 機械振興会館 [依頼講演]2Xnm世代以降のトランジスタに向けた,高速且つ低消費電力動作する不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発
才田大輔柏田沙織矢ヶ部恵弥大坊忠臣伊藤順一野口紘希東芝)・安部恵子東芝R&D)・藤田 忍東芝)・福本三芳三輪真嗣鈴木義茂阪大
 [more] ICD2017-2
pp.5-9
ICD 2017-04-20
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]9F2型高密度セルと階層ビット線方式を採用しLPDDR2インターフェースを実装した4GビットSTT-MRAM
土田賢二東芝)・Kwangmyoung RhoDongkeun KimSK hynix)・白井 豊東芝)・Jihyae BaeSK hynix)・稲場恒夫野呂寛洋東芝)・Hyunin MoonSungwoong ChungSK hynix)・須之内一正東芝)・Jinwon ParkKiseon ParkSK hynix)・山本明人東芝)・Seoungju ChungHyeongon KimSK hynix
開発した4Gb STT-MRAMは、垂直記録型TMR素子を採用した1T1MTJ型のメモリセルを導入する事で90nm×90... [more] ICD2017-3
pp.11-16
SDM 2017-01-30
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]電圧トルクMRAM (VCM) 向け読み出し/書き込み回路と大容量キャッシュメモリへの応用
塩田陽一産総研)・野口紘希池上一隆安部恵子藤田 忍東芝)・野崎隆行湯浅新治産総研)・鈴木義茂阪大
電圧トルク MRAM は、電圧パルスによる磁化反転を書き込み原理に利用する MRAM である。磁化反 転に電流を必要とせ... [more] SDM2016-135
pp.21-24
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-10-20
14:00
福岡 九州大学西新プラザ 磁気渦コアの運動および極性反転の誘導検出シミュレーション
牙 暁瑞田中輝光松山公秀九大
本研究では,磁気渦コア(VC)の運動解析と極性反転に関するシミュレーション結果について述べる.磁気渦コア(VC)の運動に... [more] MR2016-23
pp.19-22
ICD 2016-04-14
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計
小池洋紀三浦貞彦本庄弘明渡辺俊成佐藤英夫佐藤創志那須野 孝野口靖夫安平光雄谷川高穂丹羽正昭伊藤顕知池田正二大野英男遠藤哲郎東北大
高密度1T-1MTJ STT-MRAM実現に最適な,高ばらつき耐性・高動作マージンリファレンス電圧(Vref)生成回路,... [more] ICD2016-10
pp.51-56
SDM 2016-01-28
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ
池上一隆野口紘希高谷 聡鎌田親義天野 実安部恵子櫛田桂一北川英二落合隆夫下村尚治才田大輔川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝
MTJをキャッシュメモリに応用することで、プロセッサの消費電力を大幅に低減することが期待されている。しかし、10 ns以... [more] SDM2015-126
pp.27-30
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2015-07-10
16:35
東京 早稲田大学 [招待講演]固体磁気メモリの現状と新材料開発
三谷誠司物質・材料研究機構
MRAMや不揮発ロジックへの応用のための強磁性トンネル接合に係る材料開発の現状を、素子及びデバイス開発の動向・問題点とと... [more]
SDM 2015-03-02
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価
角田浩司青木正樹能代英之射場義久吉田親子山崎裕一高橋 厚畑田明良中林正明杉井寿博超低電圧デバイス技術研究組合
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて,メモリアレイのデータ保持特性... [more] SDM2014-166
pp.23-28
SDM 2015-01-27
14:50
東京 機械振興会館 [招待講演]次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM
池上一隆野口紘希鎌田親義天野 実安部恵子櫛田桂一落合隆夫下村尚治板井翔吾才田大輔田中千加川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝
近年のプロセッサにおける性能向上はキャッシュメモリの増大に頼っている。しかしながら、従来のキャッシュメモリでは、SRAM... [more] SDM2014-142
pp.29-32
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2014-10-03
09:30
新潟 柏崎エネルギーホール、新潟 携帯端末のキャッシュメモリ用途を目指した垂直磁化MTJの開発
才田大輔下村尚治北川英二鎌田親義矢ヶ部 恵大沢裕一藤田 忍伊藤順一東芝
東芝では,スマートフォン等の携帯機器に搭載されているL2, L3キャッシュメモリにSTT-MRAMを用いることで,SRA... [more] MR2014-18
pp.27-31
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技術研究組合
本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高... [more] SDM2014-68 ICD2014-37
pp.35-38
CAS, SIP, MSS, VLD, SIS
(共催) [詳細]
2014-07-11
13:40
北海道 北海道大学 RISCプロセッサの内部レジスタの不揮発化に向けた書き込み削減手法
後藤智哉柳澤政生木村晋二早大
近年MTJ(Magnetic Tunnel Junction) に基づく次世代不揮発メモリの研究開発が進み,プロセッサ内... [more] CAS2014-40 VLD2014-49 SIP2014-61 MSS2014-40 SIS2014-40
pp.213-218
ICD 2014-04-17
15:50
東京 機械振興会館 [パネル討論]システムを構成するメモリ、システムに浸透するメモリ
三輪 達サンディスク)・○新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・藤田 忍東芝)・小池洋紀東北大)・竹内 健中大
近年の新しい不揮発性メモリの発展は単に高集積のメモリチップの実現にとどまらず、その特徴を生かしたシステムづくりにも議論の... [more] ICD2014-9
p.45
ICD 2014-04-18
09:30
東京 機械振興会館 0.38V動作可能なプロセスばらつき耐性を有する65nm 8Mb STT-MRAM読出しセンスアンプ
梅木洋平柳田晃司吉本秀輔和泉慎太郎吉本雅彦川口 博神戸大)・角田浩司杉井寿博超低電圧デバイス技術研究組合
本稿では65nmプロセスを用いた単一0.38V電源で動作可能なプロセスばらつき耐性を持つSTT-MRAM(磁気抵抗変化型... [more] ICD2014-10
pp.47-51
CPSY, RECONF, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2014-01-29
15:15
神奈川 慶応義塾大学 日吉キャンパス 差分を用いた不揮発メモリの書込み回数削減による低電力回路設計
篠原寛行柳澤政生木村晋二早大
LSI の低消費電力化のために,モジュール毎の細やかな電源オフは欠かせない.
それと同時に,電源復帰後も動作の継続性を... [more]
VLD2013-130 CPSY2013-101 RECONF2013-84
pp.167-172
ICD 2014-01-28
15:00
京都 京都大学時計台記念館 [ポスター講演]磁性変化型メモリの書き込み速度を改善するメモリアーキテクチャ
森 陽紀柳田晃司梅木洋平吉本秀輔和泉慎太郎吉本雅彦川口 博神戸大)・角田浩司杉井寿博超低電圧デバイス技術研究組合
STT-MRAM (Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory... [more] ICD2013-110
p.27
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-07-12
16:35
東京 中央大学 スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討
伊藤順一與田博明藤田 忍下村尚治北川英二安部恵子野村久美子野口紘希東芝
スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである”ノーマリーオフコンピュー... [more] MR2013-13
pp.37-41
ICD 2013-04-11
09:50
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ
角田浩司能代英之吉田親子山崎裕一高橋 厚射場義久畑田明良中林正明長永隆志青木正樹杉井寿博超低電圧デバイス技術研究組合
CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した.このMTJはCoFeB/MgO界... [more] ICD2013-2
pp.5-10
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