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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
13:00
静岡 静岡大学(浜松) リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善
加藤大望梶原瑛祐向井 章大野浩志新留 彩田島純平彦坂年輝蔵口雅彦布上真也東芝ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82
リセス深さによるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果 (SCEs) 改善を検討した.TCADによる電界... [more] ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82
pp.29-32
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-13
15:25
愛媛 愛媛県男女共同参画センター MOSFETの統計的選択によるレファレンス不要なCMOS温度センサの設計
原田彰吾イスラム マーフズル久門尚史和田修己京大VLD2019-34 DC2019-58
近年,限られた電力のもとで動作するシステムにおいて,低消費電力の温度センサが求められている.
${rm mu W}$未... [more]
VLD2019-34 DC2019-58
pp.51-56
SDM 2019-10-24
13:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]ナノ人工物メトリクスを実現するランダムナノ構造形成と電気的読出技術
葛西誠也呂 任鵬清水克真殷 翔北大)・上羽陽介石川幹雄北村 満大日本印刷)・法元盛久産総研)・成瀬 誠東大)・松本 勉横浜国大SDM2019-62
ナノスケールのランダム構造を用いた安全性が高い認証技術であるナノ人工物メトリクスのコンセプト,そしてこれを実現するための... [more] SDM2019-62
pp.45-50
EE, IEE-SPC
(連催)
2019-07-25
09:30
広島 広島工業大学 Φ級インバータに基づいた高速駆動回路を用いたSiC MOSFET E級インバータ
與儀榛眞魏 秀欽千葉工大)・関屋大雄千葉大)・引原隆士京大EE2019-25
本稿では, SiC MOSFET E級インバータとその$Phi $級インバータに基づいた高速駆動回路を一つのシステムとす... [more] EE2019-25
pp.49-52
SDM, ED, CPM
(共催)
2019-05-17
11:10
静岡 静岡大学(浜松) ナノ人工物メトリクスのための2次元ランダム構造形成プロセス最適化と電気的読出しの実験的検討
呂 任鵬清水克真殷 翔北大)・上羽陽介石川幹雄北村 満大日本印刷)・○葛西誠也北大ED2019-24 CPM2019-15 SDM2019-22
レジスト倒壊現象を利用したナノ人工物メトリクスのために,レジスト倒壊のランダム性を高める電子線リソグラフィ条件の最適化と... [more] ED2019-24 CPM2019-15 SDM2019-22
pp.67-70
MW, ICD
(共催)
2019-03-14
15:15
沖縄 大濱信泉記念館(石垣島) 零しきい値Si MOSトランジスタを用いた零ゲートバイアス10MHz帯増幅・整流器
久米鳳春石川 亮本城和彦電通大MW2018-165 ICD2018-109
双方向の無線電力伝送に利用可能である,増幅・整流動作を同一モジュールで行う10MHz帯高効率トランジスタ増幅・整流器の設... [more] MW2018-165 ICD2018-109
pp.49-54
EMD, R
(共催)
2019-02-15
14:55
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 [招待講演]MOSFETエージングモデルを用いた回路特性劣化SPICEシミュレーション
田中浩治雨宮真一郎岡村 均嶌末政憲モーデックR2018-56 EMD2018-57
今日,半導体製品は様々な製品に用いられており,車載部品や医療機器に代表される高信頼性が必須な製品にも数多く使われている.... [more] R2018-56 EMD2018-57
pp.25-30
SDM 2019-01-29
13:45
東京 機械振興会館 [招待講演]HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作
宮田典幸産総研)・奈良 純山崎隆浩物質・材料研究機構)・住田杏子産総研)・佐野良介野平博司東京都市大SDM2018-87
1分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] SDM2018-87
pp.27-30
EMD 2019-01-18
14:40
東京 機械振興会館地下3階1号室 SiC-MOSFETを用いたkV, kA級ハイブリッド直流遮断器
久保翔也佐藤俊介全 俊豪安岡康一東工大EMD2018-50
近年直流遮断器の需要が増加しているが,直流は電流零点がないため開極時のアーク放電を消弧することが難しい。またアーク放電に... [more] EMD2018-50
pp.11-16
MW, ED
(共催)
2019-01-17
16:25
東京 日立中研 [招待講演]シリコン半導体の過去・現在・未来 ~ 低電力モードと高性能モードを柔軟に変えられる薄膜BOX-SOI ~
木村紳一郎日立ED2018-80 MW2018-147
活況を呈しているIC産業の過去と現在を俯瞰し、未来の方向の一つとして、AIの進展をバネとした半導体の新たな進化を考える。... [more] ED2018-80 MW2018-147
pp.63-66
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
13:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 Arクラスター照射によるDNA/Si-MOSFETに対する影響
中野 響松尾直人部家 彰山名一成高田忠雄盛谷浩右乾 徳夫佐藤 佑兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大EID2018-7 SDM2018-80
DNAにArクラスターを照射した。照射前後で、電流値に大きな変化が見られた。ArクラスターによりDNAに変化が起きたと考... [more] EID2018-7 SDM2018-80
pp.25-28
SDM 2018-10-18
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析
市野真也寺本章伸黒田理人間脇武蔵諏訪智之須川成利東北大SDM2018-62
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす,しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ(RTN)といったMOSト... [more] SDM2018-62
pp.51-56
SDM 2018-06-25
13:30
愛知 名古屋大学 VBL3F [依頼講演]反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ~ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ~
松本 翼金沢大)・加藤宙光牧野俊晴小倉政彦竹内大輔産総研)・猪熊孝夫金沢大)・山崎 聡産総研)・徳田規夫金沢大SDM2018-20
ダイヤモンド半導体においても、ノーマリーオフ動作可能な反転層チャネルMOSFETが実現した。ダイヤモンド半導体では、Si... [more] SDM2018-20
pp.19-22
EMCJ, MICT
(併催)
2018-03-16
13:50
東京 機械振興会館 高周波域デカップリングによる三相インバータのコモンモード電流低減設計法
藤井志貴京大)・松嶋 徹九工大)・久門尚史和田修己京大EMCJ2017-111
パワーエレクトロニクス機器が急速に発展する中、電気自動車にもモータードライブ回路に三相インバータが用いられている。三相イ... [more] EMCJ2017-111
pp.37-42
WPT
(第二種研究会)
2017-12-09
- 2017-12-11
海外 シンガポール国立大学 Novel Extended Non-Breakdown Rectifier Topologies for Power-Optimized Waveform based Wireless Power Transfer Systems
Hao ZhangNUST)・Zheng ZhongYong-Xin GuoNUS)・Wen WuNUST
This paper presents two novel extended non-breakdown rectifi... [more]
WPT, EMCJ
(併催)
2017-11-21
11:20
東京 機械振興会館 パワーMOSFET近傍の寄生結合とコモンモード電圧の関係
松嶋 徹黒柳貴夫久門尚史和田修己京大EMCJ2017-61
パワーエレクトロニクスに用いられるMOSFETのヒートスプレッダとヒートシンク間に存在する寄生結合により、回路にコモンモ... [more] EMCJ2017-61
pp.13-18
SDM 2017-11-09
13:05
東京 機械振興会館 p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討
酒井 敦永久克己ルネサス エレクトロニクス)・藤井宏基森 隆弘ルネサス)・秋山 豊山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-63
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため,信... [more] SDM2017-63
pp.11-14
SDM 2017-11-09
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化
佐藤高史大石一輝廣本正之京大)・新谷道広奈良先端大SDM2017-65
シリコンカーバイド(SiC)は大電力を扱うスイッチ素子の実現に好適な材料であり,今後より広く普及が進むものと考えられてい... [more] SDM2017-65
pp.21-26
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
10:15
北海道 北海道大学情報教育館 8角形多端子MOSFETによる多機能センサ動作の評価
原田知親山形大SDM2017-32 ICD2017-20
センサ素子を、Si材料、更にMOSFET型とすることにより、素子が既存のSiプロセスで作製可能で、低コスト化、回路組込が... [more] SDM2017-32 ICD2017-20
pp.7-12
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
13:50
北海道 北海道大学情報教育館 しきい電圧の温度依存性を低減した等価MOSFETの試作と評価
山口拓哉奥 達哉関根かをり明大SDM2017-41 ICD2017-29
MOSFETの温度特性は回路の動作に大きな影響を与える。MOSFETはしきい電圧と移動度に温度依存性を持っているが、今回... [more] SDM2017-41 ICD2017-29
pp.77-82
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