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すべての研究会開催スケジュール (すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:00 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善 ○加藤大望・梶原瑛祐・向井 章・大野浩志・新留 彩・田島純平・彦坂年輝・蔵口雅彦・布上真也（東芝）  ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82 |
リセス深さによるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果 (SCEs) 改善を検討した．TCADによる電界... [more] | ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82 pp.29-32 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-13 15:25 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | MOSFETの統計的選択によるレファレンス不要なCMOS温度センサの設計 ○原田彰吾・イスラム マーフズル・久門尚史・和田修己（京大） VLD2019-34 DC2019-58 |
近年，限られた電力のもとで動作するシステムにおいて，低消費電力の温度センサが求められている． ${rm mu W}$未... [more] |
VLD2019-34 DC2019-58 pp.51-56 |
| SDM | 2019-10-24 13:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］ナノ人工物メトリクスを実現するランダムナノ構造形成と電気的読出技術 ○葛西誠也・呂 任鵬・清水克真・殷 翔（北大）・上羽陽介・石川幹雄・北村 満（大日本印刷）・法元盛久（産総研）・成瀬 誠（東大）・松本 勉（横浜国大） SDM2019-62 |
ナノスケールのランダム構造を用いた安全性が高い認証技術であるナノ人工物メトリクスのコンセプト，そしてこれを実現するための... [more] | SDM2019-62 pp.45-50 |
| EE, IEE-SPC (連催) |
2019-07-25 09:30 |
広島 | 広島工業大学 | Φ級インバータに基づいた高速駆動回路を用いたSiC MOSFET E級インバータ ○與儀榛眞・魏 秀欽（千葉工大）・関屋大雄（千葉大）・引原隆士（京大） EE2019-25 |
本稿では, SiC MOSFET E級インバータとその$Phi $級インバータに基づいた高速駆動回路を一つのシステムとす... [more] | EE2019-25 pp.49-52 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-17 11:10 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ナノ人工物メトリクスのための２次元ランダム構造形成プロセス最適化と電気的読出しの実験的検討 呂 任鵬・清水克真・殷 翔（北大）・上羽陽介・石川幹雄・北村 満（大日本印刷）・○葛西誠也（北大） ED2019-24 CPM2019-15 SDM2019-22 |
レジスト倒壊現象を利用したナノ人工物メトリクスのために，レジスト倒壊のランダム性を高める電子線リソグラフィ条件の最適化と... [more] | ED2019-24 CPM2019-15 SDM2019-22 pp.67-70 |
| MW, ICD (共催) |
2019-03-14 15:15 |
沖縄 | 大濱信泉記念館（石垣島） | 零しきい値Si MOSトランジスタを用いた零ゲートバイアス10MHz帯増幅・整流器 ○久米鳳春・石川 亮・本城和彦（電通大） MW2018-165 ICD2018-109 |
双方向の無線電力伝送に利用可能である，増幅・整流動作を同一モジュールで行う10MHz帯高効率トランジスタ増幅・整流器の設... [more] | MW2018-165 ICD2018-109 pp.49-54 |
| EMD, R (共催) |
2019-02-15 14:55 |
大阪 | パナソニック企業年金基金 松心会館 | ［招待講演］MOSFETエージングモデルを用いた回路特性劣化SPICEシミュレーション ○田中浩治・雨宮真一郎・岡村 均・嶌末政憲（モーデック） R2018-56 EMD2018-57 |
今日，半導体製品は様々な製品に用いられており，車載部品や医療機器に代表される高信頼性が必須な製品にも数多く使われている．... [more] | R2018-56 EMD2018-57 pp.25-30 |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大） SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| EMD | 2019-01-18 14:40 |
東京 | 機械振興会館地下3階1号室 | SiC-MOSFETを用いたkV, kA級ハイブリッド直流遮断器 ○久保翔也・佐藤俊介・全 俊豪・安岡康一（東工大） EMD2018-50 |
近年直流遮断器の需要が増加しているが，直流は電流零点がないため開極時のアーク放電を消弧することが難しい。またアーク放電に... [more] | EMD2018-50 pp.11-16 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 16:25 |
東京 | 日立中研 | ［招待講演］シリコン半導体の過去・現在・未来 ～ 低電力モードと高性能モードを柔軟に変えられる薄膜BOX-SOI ～ ○木村紳一郎（日立） ED2018-80 MW2018-147 |
活況を呈しているIC産業の過去と現在を俯瞰し、未来の方向の一つとして、AIの進展をバネとした半導体の新たな進化を考える。... [more] | ED2018-80 MW2018-147 pp.63-66 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2018-12-25 13:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | Arクラスター照射によるDNA/Si-MOSFETに対する影響 ○中野 響・松尾直人・部家 彰・山名一成・高田忠雄・盛谷浩右・乾 徳夫・佐藤 佑（兵庫県立大）・佐藤 旦・横山 新（広島大） EID2018-7 SDM2018-80 |
DNAにArクラスターを照射した。照射前後で、電流値に大きな変化が見られた。ArクラスターによりDNAに変化が起きたと考... [more] | EID2018-7 SDM2018-80 pp.25-28 |
| SDM | 2018-10-18 14:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析 ○市野真也・寺本章伸・黒田理人・間脇武蔵・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2018-62 |
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす，しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ（RTN）といったMOSト... [more] | SDM2018-62 pp.51-56 |
| SDM | 2018-06-25 13:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ～ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ～ ○松本 翼（金沢大）・加藤宙光・牧野俊晴・小倉政彦・竹内大輔（産総研）・猪熊孝夫（金沢大）・山崎 聡（産総研）・徳田規夫（金沢大） SDM2018-20 |
ダイヤモンド半導体においても、ノーマリーオフ動作可能な反転層チャネルMOSFETが実現した。ダイヤモンド半導体では、Si... [more] | SDM2018-20 pp.19-22 |
| EMCJ, MICT (併催) |
2018-03-16 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 高周波域デカップリングによる三相インバータのコモンモード電流低減設計法 ○藤井志貴（京大）・松嶋 徹（九工大）・久門尚史・和田修己（京大） EMCJ2017-111 |
パワーエレクトロニクス機器が急速に発展する中、電気自動車にもモータードライブ回路に三相インバータが用いられている。三相イ... [more] | EMCJ2017-111 pp.37-42 |
| WPT (第二種研究会) |
2017-12-09 - 2017-12-11 |
海外 | シンガポール国立大学 | Novel Extended Non-Breakdown Rectifier Topologies for Power-Optimized Waveform based Wireless Power Transfer Systems ○Hao Zhang（NUST）・Zheng Zhong・Yong-Xin Guo（NUS）・Wen Wu（NUST） |
This paper presents two novel extended non-breakdown rectifi... [more] | |
| WPT, EMCJ (併催) |
2017-11-21 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | パワーMOSFET近傍の寄生結合とコモンモード電圧の関係 ○松嶋 徹・黒柳貴夫・久門尚史・和田修己（京大） EMCJ2017-61 |
パワーエレクトロニクスに用いられるMOSFETのヒートスプレッダとヒートシンク間に存在する寄生結合により、回路にコモンモ... [more] | EMCJ2017-61 pp.13-18 |
| SDM | 2017-11-09 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 ○酒井 敦・永久克己（ルネサス エレクトロニクス）・藤井宏基・森 隆弘（ルネサス）・秋山 豊・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-63 |
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため，信... [more] | SDM2017-63 pp.11-14 |
| SDM | 2017-11-09 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化 ○佐藤高史・大石一輝・廣本正之（京大）・新谷道広（奈良先端大） SDM2017-65 |
シリコンカーバイド(SiC)は大電力を扱うスイッチ素子の実現に好適な材料であり，今後より広く普及が進むものと考えられてい... [more] | SDM2017-65 pp.21-26 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-07-31 10:15 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | 8角形多端子MOSFETによる多機能センサ動作の評価 ○原田知親（山形大） SDM2017-32 ICD2017-20 |
センサ素子を、Si材料、更にMOSFET型とすることにより、素子が既存のSiプロセスで作製可能で、低コスト化、回路組込が... [more] | SDM2017-32 ICD2017-20 pp.7-12 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-01 13:50 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | しきい電圧の温度依存性を低減した等価MOSFETの試作と評価 ○山口拓哉・奥 達哉・関根かをり（明大） SDM2017-41 ICD2017-29 |
MOSFETの温度特性は回路の動作に大きな影響を与える。MOSFETはしきい電圧と移動度に温度依存性を持っているが、今回... [more] | SDM2017-41 ICD2017-29 pp.77-82 |
(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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