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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-11-09 11:20 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の展望 ○須田 淳（名大）  SDM2023-63 |
GaN基板上に作製したGaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の動向について述べる．GaN縦型パワーデバイスの設計... [more] | SDM2023-63 p.7 |
| SDM | 2023-11-10 15:30 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］計算科学手法によるSiC-MOS界面の電子状態・キャリア伝導特性解析 ○小野倫也（神戸大） SDM2023-73 |
ステップテラス構造を持つ4H-SiC(0001)/SiO2界面の電子状態とキャリア散乱特性を密度汎関数理論に基づく第一原... [more] | SDM2023-73 pp.47-50 |
| SDM | 2023-10-13 16:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス ○近藤 剣・上野勝典・田中 亮・高島信也・江戸雅晴（富士電機）・諏訪智之（東北大） SDM2023-60 |
本稿ではGaN MOSFETのMOS界面酸化が電気的特性に及ぼす影響とともに, 低酸化なGaN/SiO2 MOS界面形成... [more] | SDM2023-60 pp.40-45 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-01 15:25 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源 ○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋（産総研） SDM2023-40 ICD2023-19 |
極低温動作MOSFETは量子ビット制御回路への利用が期待されている。本研究は極低温動作時の低周波ノイズの起源解明を目指す... [more] | SDM2023-40 ICD2023-19 pp.22-27 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-01 16:10 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温特性改善 ○下方駿佑（慶大/産総研）・岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2023-41 ICD2023-20 |
大規模量子コンピュータの実現に向けて，量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている．近年の研... [more] | SDM2023-41 ICD2023-20 pp.28-31 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-01 16:35 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析 ○李 龍聖・森 貴之（金沢工大）・岡 博史・森 貴洋（産総研）・井田次郎（金沢工大） SDM2023-42 ICD2023-21 |
本稿では、200 nm SOI MOSFETにおいて、極低温下でのみ発生する基板バイアス効果での特異な現象について継続解... [more] | SDM2023-42 ICD2023-21 pp.32-35 |
| SDM | 2023-06-26 10:50 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | ［記念講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2023-28 |
高集積量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させるクライオCMOS技術が期... [more] | SDM2023-28 pp.5-6 |
| SDM | 2022-11-11 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］クライオCMOSにおける電子移動度制限要因の理解 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2022-74 |
高集積量子コンピュータを実現するため、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させる技術が期待されている。量... [more] | SDM2022-74 p.49 |
| SDM | 2022-11-11 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETにおける反転層移動度の評価とモデル化 ○野口宗隆・渡邊 寛（三菱電機）・喜多浩之（東大）・西川和康（三菱電機） SDM2022-75 |
本研究では、酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETの反転層移動度を広範囲のアクセプタ濃度で評価し... [more] | SDM2022-75 pp.50-54 |
| SDM | 2022-10-19 16:30 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | ［招待講演］CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上 ○細井卓治（関西学院大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2022-62 |
低損失パワーデバイスとして期待されるSiC MOSFETは閾値電圧変動が信頼性上の課題となっている．SiC MOSFET... [more] | SDM2022-62 pp.34-37 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-09 11:05 |
ONLINE | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 | ［招待講演］極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響 ○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋（産総研） SDM2022-46 ICD2022-14 |
大規模な量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている。極低温... [more] | SDM2022-46 ICD2022-14 pp.54-59 |
| SDM | 2022-06-21 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 ○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚 理（名大） SDM2022-24 |
4H-SiCパワーMOSFETのオン状態における可動自由電子比率向上およびクーロン散乱抑制において，界面準位密度（Dit... [more] | SDM2022-24 pp.1-4 |
| SDM | 2021-11-12 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化 ○小林拓真（京大/東工大）・奥田貴史・立木馨大・伊藤滉二（京大）・松下雄一郎（東工大）・木本恒暢（京大） SDM2021-60 |
SiC MOSFETは電力変換用のパワーデバイスとして有望である。しかしSiC/SiO$_2$界面の高密度欠陥に起因した... [more] | SDM2021-60 pp.38-42 |
| BioX, ISEC, SITE, ICSS, EMM, HWS (共催) IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT (連催) (連催) [詳細] |
2021-07-20 15:55 |
ONLINE | オンライン開催 | CMOSイメージセンサを利用した物理乱数生成器の性能評価 ○龍野隼人・大山達哉・白畑正芳・大倉俊介・藤野 毅（立命館大） ISEC2021-26 SITE2021-20 BioX2021-27 HWS2021-26 ICSS2021-31 EMM2021-31 |
近年，IoTデバイスの普及が急速に進んでおり，周囲の機器との安全な通信のためには認証・鍵交換・暗号化等の演算が求められる... [more] | ISEC2021-26 SITE2021-20 BioX2021-27 HWS2021-26 ICSS2021-31 EMM2021-31 pp.98-103 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価 ○越智亮太（北大）・前田瑛里香（芝浦工大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司（名大）・橋詰 保（北大/名大） ED2020-31 MW2020-84 |
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] | ED2020-31 MW2020-84 pp.22-25 |
| SDM | 2021-01-28 16:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御 ○隅田 圭・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） SDM2020-54 |
III-V nMOSFETの本質的な3つの課題である, 低半導体容量, 強い膜厚揺らぎ散乱, 多量の界面準位の問題を克服... [more] | SDM2020-54 pp.21-24 |
| SCE | 2020-11-25 14:20 |
ONLINE | オンライン開催 | 10-kA/cm2 Nbプロセスを用いたJosephson latching driverの設計及びビットエラーレート評価 ○弘中祐樹・吉川信行（横浜国大） SCE2020-8 |
Josephson論理回路に適合する大規模メモリを実現するため、我々はCMOSメモリをJosephson論理回路と組み合... [more] | SCE2020-8 pp.1-6 |
| SCE | 2019-04-19 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | 単一命令セットSFQマイクロプロセッサを用いたSFQ/CMOSハイブリッドメモリシステムの動作実証 ○弘中祐樹・山梨裕希・吉川信行（横浜国大） SCE2019-2 |
単一磁束量子 (SFQ) 回路に適合する大規模メモリシステムの実現方式として、CMOSメモリをSFQ回路と組み合わせるS... [more] | SCE2019-2 pp.7-11 |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大） SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 14:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善 ○梶原瑛祐・新留 彩・彦坂年輝・蔵口雅彦（東芝）・吉岡 啓（東芝デバイス&ストレージ）・布上真也（東芝） ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 |
リセス構造型のノーマリオフGaN-MOSFETのチャネル移動度を改善したので報告する．これは，リセスエッチングで生じたG... [more] | ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 pp.13-16 |
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