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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-11-09
11:20
東京 機械振興会館 5階 5S-2 会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の展望
須田 淳名大SDM2023-63
GaN基板上に作製したGaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の動向について述べる.GaN縦型パワーデバイスの設計... [more] SDM2023-63
p.7
SDM 2023-10-13
15:10
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]電気特性計測プラットフォームを用いたランダムテレグラフの動作条件依存性の統計的解析
間脇武蔵黒田理人東北大SDM2023-57
我々はアレイテスト回路などから構成される測定システム全体を,電気特性計測プラットフォーム技術と呼称し,様々な半導体素子の... [more] SDM2023-57
pp.21-26
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-01
15:25
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源
稲葉 工岡 博史浅井栄大更田裕司飯塚将太加藤公彦下方駿佑福田浩一森 貴洋産総研SDM2023-40 ICD2023-19
極低温動作MOSFETは量子ビット制御回路への利用が期待されている。本研究は極低温動作時の低周波ノイズの起源解明を目指す... [more] SDM2023-40 ICD2023-19
pp.22-27
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-02
14:45
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
センサ・回路設計の共通プラットフォーム素子としての多端子MOSFET
原田知親山形大SDM2023-47 ICD2023-26
本研究では、本研究室で以前からセンサ・回路素子として研究開発されている長方形タイプ多端子MOSFETと8角形タイプ多端子... [more] SDM2023-47 ICD2023-26
pp.56-59
CCS 2023-03-26
10:55
北海道 北海道 ルスツリゾートホテル&コンベンション 極低電力IoT機器に向けた確率的メモリとそのサブスレッショルドCMOS回路実装
村松聖倭西田浩平安藤洸太北大)・赤井 恵阪大/北大)・浅井哲也北大CCS2022-68
本研究では、MOSFETのサブスレッショルド領域を利用した確率コンピューティングに基づく超低消費電力IoTデバイス用メモ... [more] CCS2022-68
pp.31-35
IN, NS
(併催)
2023-03-02
11:00
沖縄 沖縄コンベンションセンター + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
パケットフローを入力とした高時間分解能のMOS推論手法
和田章宏大浦淳貴横尾 郁角田 潤二宮照尚小川雅俊富士通NS2022-174
様々な要件のアプリケーションが混在して使用されるようになり、ユーザの実際の体感品質を表す指標であるQuality of ... [more] NS2022-174
pp.43-46
IN, NS
(併催)
2023-03-02
11:00
沖縄 沖縄コンベンションセンター + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
クロック周波数の温度特性に基づく時刻補正方式の補正精度改善
竹澤小径干川尚人小山高専)・白木厚司下馬場朋禄伊藤智義千葉大NS2022-178
IoT 機器では正確な時刻同期が求められるが NTP や GNSS は消費電力や通信環境による制約があ る.最低限の通信... [more] NS2022-178
pp.65-70
EE 2023-01-20
11:25
福岡 九州工業大学(戸畑キャンパス 附属図書館AVホール)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Online junction temperature measurement of Power MOSFET by dynamic VGS-ID monitoring system
Yandagkhuu BayarsaikhanIchiro OmuraKITEE2022-46
パワーエレクトロニクス・システムの高信頼性への要求が高まる中,パワーデバイスのオンライン状態監視は極めて重要なものとなっ... [more] EE2022-46
pp.111-116
SDM 2022-11-10
10:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]CMOSデバイス技術の最新動向とIRDSロードマップ
若林 整東工大SDM2022-64
ロジックLSI向けCMOSデバイス技術の最新動向とIRDSロードマップについて議論する。 [more] SDM2022-64
pp.1-6
SDM 2022-11-11
15:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]SiCパワーモジュールの高信頼性設計 ~ 劣化予測へ向けた実験的特性評価 ~
福永崇平阪大)・カスティラッズィ アルベルト京都先端科学大)・舟木 剛阪大SDM2022-76
本研究では, 高電圧電力変換回路に適用する, SiC MOSFETを用いたマルチチップパワーモジュールの高信頼設計に取り... [more] SDM2022-76
pp.55-60
HWS, ICD
(共催)
2022-10-25
16:40
滋賀 立命館びわこくさつキャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
CMOSイメージセンサに適した小面積HMAC-SHA256回路の検討
関岡悠羽大山達哉龍野隼人吉田康太大倉俊介藤野 毅立命館大HWS2022-42 ICD2022-34
エッジAIでは,センサで取得した情報をエッジで分類または認識するため,センサから送信されるデータの真正性保証がセキュリテ... [more] HWS2022-42 ICD2022-34
pp.70-75
NS 2022-10-05
13:00
北海道 北海道大学 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
クロック周波数の温度特性に基づく室温環境での時刻補正方式
竹澤小径干川尚人小山高専)・白木厚司伊藤智義下馬場朋禄千葉大NS2022-79
IoT 機器では正確な時刻同期が求められるが NTP を利用すると外部と通信するためリスクが存在す る.また,GNSS ... [more] NS2022-79
p.4
EMD, R, LQE, OPE, CPM
(共催)
2022-08-26
11:25
千葉 千葉工業大学津田沼キャンパス + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
中赤外モザイク型2 × 2 3-dBパワースプリッタの設計に関する研究
村椿太一藤澤 剛佐藤孝憲齊藤晋聖北大R2022-25 EMD2022-13 CPM2022-30 OPE2022-56 LQE2022-19
中赤外波長帯域のための,モザイク型2 × 2 3-dBパワースプリッタを提案する.モザイク構造の適用により,従来のマルチ... [more] R2022-25 EMD2022-13 CPM2022-30 OPE2022-56 LQE2022-19
pp.50-55
OPE, LQE, OCS
(共催)
2022-05-13
16:55
ONLINE オンライン開催 [特別招待講演]高密度Co-PackagingのためのGIコア マルチモード・シングルモードポリマー導波路
石榑崇明慶大OCS2022-9 OPE2022-9 LQE2022-9
データセンタネットワークの高速化へ向けて,ボード上に配置された演算処理回路(LSI)の近傍に,Siフォトニクスチップを用... [more] OCS2022-9 OPE2022-9 LQE2022-9
pp.34-39
VLD, HWS
(共催) [詳細]
2022-03-08
13:50
ONLINE オンライン開催 メッセージ認証符号付CMOSイメージセンサの小面積回路検討(2) ~ 符号生成回路 ~
関岡悠羽小川広明龍野隼人大山達哉赤松喜裕大倉俊介藤野 毅立命館大VLD2021-98 HWS2021-75
エッジAIでは,センサで取得した情報をエッジで分類または認識するため,センサから送信されるデータの真正性保証がセキュリテ... [more] VLD2021-98 HWS2021-75
pp.123-128
SDM 2022-01-31
15:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]CAAC-IGZO FET/Si CMOS微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング
黒川義元馬場晴之大下 智濱田俊樹安藤善範方堂涼太大野敏和廣瀬貴史國武廣司村川 努半導体エネルギー研)・名倉 徹福岡大)・小林正治東大)・吉田 宏Min-Cheng ChenPSMC)・Ming-Han LiaoNational Taiwan Univ.)・Shou-Zen ChangPSMC)・山﨑舜平半導体エネルギー研SDM2021-72
CAAC-IGZO FET/Si CMOSモノリシック積層プロセスにより高演算効率のアナログインメモリコンピューティング... [more] SDM2021-72
pp.16-19
SDM 2021-11-11
16:15
ONLINE オンライン開催 標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案
竹内 潔水谷朋子更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2021-58
基板でのフェルミレベルと真性レベルの差の2倍だけバンドが曲がった状態をMOSFETのしきい状態とするしきい値の定義方法が... [more] SDM2021-58
pp.29-32
NS 2021-10-08
11:05
ONLINE オンライン開催 [奨励講演]クロック信号源の広範囲な温度ずれ特性に基づくコンピュータの時刻補正手法
桂 潔成干川尚人小山高専)・白木厚司伊藤智義千葉大NS2021-80
IoT機器の時計機能は一般に精度が悪く,正常なプログラム動作を保証するために時刻同期が必要である.特に省電力が求められる... [more] NS2021-80
pp.64-69
BioX, ISEC, SITE, ICSS, EMM, HWS
(共催)
IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT
(連催)
(連催) [詳細]
2021-07-20
15:55
ONLINE オンライン開催 CMOSイメージセンサを利用した物理乱数生成器の性能評価
龍野隼人大山達哉白畑正芳大倉俊介藤野 毅立命館大ISEC2021-26 SITE2021-20 BioX2021-27 HWS2021-26 ICSS2021-31 EMM2021-31
近年,IoTデバイスの普及が急速に進んでおり,周囲の機器との安全な通信のためには認証・鍵交換・暗号化等の演算が求められる... [more] ISEC2021-26 SITE2021-20 BioX2021-27 HWS2021-26 ICSS2021-31 EMM2021-31
pp.98-103
EE, IEE-SPC
(連催)
2021-07-20
09:55
ONLINE オンライン開催 SiC MOSFETのハーフブリッジ回路を用いた放射ノイズの支配的動作の分離に関する検討
只熊利弥九大)・松高佑紀鈴木 伸上甲基信三菱電機)・庄山正仁九大EE2021-11
パワーエレクトロニクス技術の向上にはパワーデバイス特性の向上は欠かせず、資源の有効利用のためには低損失の素子の進化は必須... [more] EE2021-11
pp.21-25
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