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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2020-04-13 14:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行なし） |
青色半導体レーザにより結晶化したpoly-Si膜を用いた金属ソース/ドレイン構造TFT ○岡田竜弥・野口 隆（琉球大） |
これまでに我々は、青色半導体レーザアニール法(BLDA)を用いることでa-Si 膜が結晶化可能であり、平坦な結晶化Si ... [more] | |
| MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG (連催) |
2019-10-18 14:15 |
福岡 | 九州大学 (西新プラザ) | 単結晶ダイヤモンドへのスピン注入に向けた電極形成に関する研究 ○アブバクル エスラム・坂井拓也・ゼクリア アブデルラーマン（九大）・片宗優貴（九工大）・大曲新矢（産総研）・妹川 要・池上 浩（九大）・堺 研一郎（久留米高専）・吉武 剛（九大）  MRIS2019-37 |
単結晶ダイヤモンドは長いスピン輸送長を可能とする材料として極めて有望である． ダイヤモンドは5.47 eVの大きなバンド... [more] | MRIS2019-37 pp.119-122 |
| SDM | 2018-10-17 15:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating ○Kaname Imokawa（Kyushu Univ）・Nozomu Tanaka（Kyushu Univ.）・Akira Suwa（Kyushu Univ）・Daisuke Nakamura・Taizoh Sadoh（Kyushu Univ.）・Tetsuya Goto（New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.）・Hiroshi Ikenoue（Kyushu Univ） SDM2018-54 |
Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温（～500度）のプロセスが必要とされ，プリンタブ... [more] | SDM2018-54 pp.11-14 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 11:30 |
京都 | 京都大学 | ボロン含有シリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる高効率シリコン太陽電池への応用 ○真鍋満顕・阪川秀紀・西村英紀（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人）・冬木 隆（奈良先端大） EID2014-19 SDM2014-114 |
BSG (ボロンシリケートガラス) を用いたレーザードーピングでは、基板との溶融・再結晶が難しいため、高濃度なボロンドー... [more] | EID2014-19 SDM2014-114 pp.31-35 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-21 16:00 |
北海道 | 小樽経済センター | ウェハ接合によるシリコン上InAs/GaAs量子ドットレーザの作製と高温動作 ○田辺克明・荒川泰彦（東大） R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 |
シリコン光電子集積回路の実現に向け、量子ドットを用いた高性能オンチップ光源の開発を進めている。今回、ウェハ接合法により作... [more] | R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 pp.51-54 |
| SDM | 2013-12-13 10:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製 ○山本悠貴・西村英紀・岡村隆徳・福永圭吾・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-121 |
n型シリコン基板を用いた太陽電池作製において拡散係数の低いボロンのドープは従来の拡散プロセスでは難しい。そこで局所的にド... [more] | SDM2013-121 pp.31-35 |
| SDM | 2013-12-13 11:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製 ○岡村隆徳・西村英紀・冬木 隆（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人） SDM2013-122 |
レーザードーピングはフォトリソグラフィーなどによるマスクなしで簡便に局所的な不純物ドープが可能であるため，セレクティブエ... [more] | SDM2013-122 pp.37-41 |
| SDM | 2012-12-07 14:30 |
京都 | 京都大学(桂) | テクスチャシリコンへのレーザードーピングにおける基板―ドーパント間の界面制御による電子状態の改善 ○西村英紀・田中成明・森崎翔太・湯本伸伍・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-129 |
レーザードーピング（LD）は高効率結晶Si太陽電池の簡便な作製プロセスとして注目される。しかし隆起形状を持つ基板にLDを... [more] | SDM2012-129 pp.83-87 |
| SDM | 2012-12-07 15:15 |
京都 | 京都大学(桂) | 連続発振レーザーにより形成した電極下高濃度不純物層を有する結晶系シリコン太陽電池の最適化 ○湯本伸伍・西村英紀・平田憲司・杉村恵美・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-131 |
レーザードーピング（LD）は、低コストで高効率な結晶シリコン太陽電池を作製する新規プロセスとして注目されている。LDは太... [more] | SDM2012-131 pp.95-99 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-25 10:50 |
富山 | 富山県民会館 | ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討 ○杉崎絵美子・宮田俊敬・大島康礼・外園 明・安達甘奈・宮野清孝・辻井秀二・川中 繁・稲葉 聡・井谷孝治・飯沼俊彦・豊島義明（東芝） SDM2011-75 ICD2011-43 |
ナノスケール世代のMOSFETのスケーリングにおいては、ソースドレインエクステンション（SDE）不純物プロファイル設計の... [more] | SDM2011-75 ICD2011-43 pp.23-27 |
| SDM | 2010-12-17 11:40 |
京都 | 京都大学(桂) | 結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化 ○舟谷友宏・平田憲司・高山 環・長谷川光洋・冬木 隆（奈良先端大） SDM2010-190 |
近年、シリコン太陽電池の低コスト化と高効率化の2つの要素を可能とするプロセスの開発が急務であり、その1つとしてレーザード... [more] | SDM2010-190 pp.29-32 |
| OME | 2010-01-20 15:30 |
愛知 | 名城大学 | 面内膜厚傾斜を利用したLD励起面発光固体色素レーザの波長チューニング ○松浦秀高・坂田 肇・福田将海・山崎英志（静岡大） OME2009-82 |
青紫色LDで直接励起する垂直共振器構造の固体色素レーザの波長制御と閾値低減について報告する。クマリン540A色素をドープ... [more] | OME2009-82 pp.17-20 |
| OME | 2007-11-09 12:30 |
新潟 | 新潟大学 | フラーレン光重合プロセスの開発 ○山本 寛・岩田展幸・安藤慎悟・野苅家 亮・飯尾靖也（日大） OME2007-48 |
C60が高密度に多重結合してポリマー化した材料は、極めて軽量でダイヤモンド級の硬度としかも柔軟性を兼ね備えた超材料になる... [more] | OME2007-48 pp.1-5 |
| OPE, LQE (共催) |
2006-06-30 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ ～ 20℃～90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作 ～ ○石田 充・羽鳥伸明（東大）・大坪孝二・山本剛之（光協会/富士通/富士通研）・中田義昭・江部広治（東大）・菅原 充（光協会/富士通/富士通研/QDレーザ）・荒川泰彦（東大） |
量子ドットレーザの様々な優れた特性が近年実証されつつある．我々は新たに提案してきた量子ドットレーザの動作モデルをもとに，... [more] | OPE2006-18 LQE2006-22 pp.15-20 |
| LQE, OCS, OPE (共催) |
2004-11-05 13:30 |
福岡 | 九州工業大学 | 1.5micron帯における広帯域可変波長のCe:Er共添加フッ化物ファイバーレーザー ○バサ ニレシ・長岡 啓・岡田龍雄（九大） |
Ce3+:Er3+共添加ZBLANファイバーを用いることにより、1.55μｍ帯において広帯域な波長可変ファイバーレーザー... [more] | OCS2004-101 OPE2004-166 LQE2004-110 pp.41-45 |
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