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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SIP, CAS, VLD (共催) |
2009-07-02 13:50 |
北海道 | 釧路市生涯学習センター | 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価 ○濱畑 孝（近畿大）・秋濃(小池) 俊昭（ハーバード大）・秋濃俊郎・江藤剛治（近畿大）  CAS2009-19 VLD2009-24 SIP2009-36 |
本論文は，ドレイン側に長いLDDと厚いゲート酸化膜を有する高耐圧MOSFET構造を持ったX-FABの0.6μm SOI-... [more] | CAS2009-19 VLD2009-24 SIP2009-36 pp.103-108 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 09:00 |
北海道 | 北海道大学 | CMOSFETのチャネル幅方向の信頼性を分離して評価するためのテスト構造 ○大曽根隆志・石井英二・森下賢幸・小椋清孝（岡山県立大）・松田敏弘・岩田栄之（富山県立大） |
ホットキャリアに起因するCMOSFETの信頼性がチャネル幅方向の中心付近か素子分離端近傍の何れで支配的に決定されるかを評... [more] | SDM2006-142 ICD2006-96 pp.99-104 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-18 13:50 |
北海道 | 函館国際ホテル | LDD構造CMOSFETにおける(高ドープ/低ドープ）・ドレイン解析用テスト構造 ○大曽根隆志（岡山県立大）・松田敏弘（富山県立大）・岡田和彦・森下賢幸・小椋清孝（岡山県立大）・岩田栄之（富山県立大） |
LDD構造CMOSFETの（高ドープ/低ドープ）・ドレインの電気的特性を分離して解析するために，種々のゲート間隔Ｓを有す... [more] | SDM2005-137 ICD2005-76 pp.55-60 |
| MBE | 2004-07-14 14:30 |
岡山 | 岡山大医学部 | ＰＬＤＤ法における周波数解析による照射位置識別手法の検討 前谷 健・今井雄大・○棟安実治（関西大）・粟津邦男（阪大） |
本論文では，椎間板ヘルニアの治療法の一つであるPLDD法が抱える問題点である，レーザー照射位置の特定が難しいという点につ... [more] | MBE2004-31 pp.45-48 |
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