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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 15:20 |
静岡 | アクトシティ浜松 | Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題 ○伊藤佑太・渡邉浩崇・出来真斗・新田州吾・田中敦之・本田善夫・天野 浩（名大）  ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59 |
縦型GaNパワーデバイスの実現には, 局所的なp型ドーピング技術の確立が必要不可欠である. しかし, 代表的な不純物ドー... [more] | ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59 pp.25-30 |
| SDM | 2023-11-09 11:20 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の展望 ○須田 淳（名大） SDM2023-63 |
GaN基板上に作製したGaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の動向について述べる．GaN縦型パワーデバイスの設計... [more] | SDM2023-63 p.7 |
| QIT (第二種研究会) |
2022-05-30 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［ポスター講演］イオン注入法を用いた極微ナノダイヤモンドへの単一SiVセンターの作製 ○鈴木和樹・嶋﨑幸之介・高島秀聡（京大）・阿部浩之・大島 武（QST）・竹内繁樹（京大） |
ナノダイヤモンド中のカラーセンターは、量子技術への応用が注目されている。その中でもシリコン欠陥中心(SiVセンター)はゼ... [more] | |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2020-08-07 11:25 |
ONLINE | オンライン開催 | Gate-all-around p-type poly-Si junctionless nanowire transistor with steep subthreshold slope ○Min-Ju Ahn・Takuya Saraya・Masaharu Kobayashi・Toshiro Hiramoto（IIS, Tokyo Univ.） SDM2020-9 ICD2020-9 |
In this work, GAA p-type junctionless nanowire transistor wi... [more] | SDM2020-9 ICD2020-9 pp.41-46 |
| MBE, NC (併催) |
2018-11-22 15:50 |
京都 | 京都大学 | 短期間通電下における脈絡膜上経網膜刺激方式人工視覚用多孔性刺激電極の生体内電気化学インピーダンス特性 ○野村修平（帝京大/九大）・田代洋行（九大）・寺澤靖雄（ニデック）・太田 淳（奈良先端大） MBE2018-47 |
人工視覚システムは，刺激電極を介して視覚系神経へ電気刺激を行うことにより，失った視覚機能を再建する医療機器である．刺激電... [more] | MBE2018-47 pp.55-60 |
| SCE | 2018-08-09 13:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学 | Kinetic inductance in superconducting TiN coplanar waveguide resonator ○Wei Qiu・Hirotaka Terai（NICT） SCE2018-10 |
[more] | SCE2018-10 pp.19-22 |
| MI | 2018-07-24 13:55 |
岩手 | アイーナ(岩手県盛岡市) | Machine learning for estimating implanted knee functions using a CT-free navigation ○Belayat Hossain（UHyogo）・Takatoshi Morooka・Makiko Okuno（Hyogo C. Medicine）・Manabu Nii（UHyogo）・Shinichi Yoshiya（Hyogo C. Medicine）・Syoji Kobashi（UHyogo） MI2018-26 |
In total knee arthroplasty (TKA), the damaged knee joint is ... [more] | MI2018-26 pp.21-24 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 11:45 |
京都 | 京都大学 | 薄膜コイルを有した生体刺激デバイスへのワイヤレス給電 ○三澤慶悟・冨岡圭佑・三宅康平・木村 睦（龍谷大） EID2017-15 SDM2017-76 |
我々は薄膜デバイスでの生体刺激デバイスに注目している．特に，低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)... [more] | EID2017-15 SDM2017-76 pp.17-22 |
| OPE | 2017-12-07 10:50 |
沖縄 | まりんぴあみやこ | Si変調器用装荷導波路型縦型PN接合位相シフタの作製 ○前神有里子・叢 光偉・大野守史・岡野 誠（産総研）・伊東憲人・西山伸彦・荒井滋久（東工大）・山田浩治（産総研） OPE2017-92 |
我々はSi光変調器に用いる縦型PN接合構造を有した装荷導波路型位相シフタを，CMOS互換プロセスにより作製した．この装荷... [more] | OPE2017-92 pp.13-18 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:45 |
京都 | 京大桂キャンパス | プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機） ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 |
GaNは高周波素子だけではなく，高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている．高出力スイッチング素... [more] | ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 pp.31-34 |
| SDM | 2016-11-11 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究 ○望月和浩（産総研） SDM2016-85 |
ワイドバンドギャップ半導体である4H-SiCおよび2H-GaNを用いたパワーデバイスの開発に資する，市販プロセス・デバイ... [more] | SDM2016-85 pp.37-42 |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | Arイオン注入を用いた1550 nm帯多重積層QD構造の組成混晶化と光集積素子への応用 ○松本 敦（NICT）・武井勇樹（早大）・赤羽浩一・山本直克・川西哲也（NICT）・石川 浩・松島裕一・宇高勝之（早大） OPE2015-12 LQE2015-22 |
多重積層半導体量子ドット（QD）構造を用いたモノリシック光集積デバイス実現に向け、ICP-RIEのArプラズマ照射による... [more] | OPE2015-12 LQE2015-22 pp.9-13 |
| SDM | 2015-06-19 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 ○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2015-48 |
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] | SDM2015-48 pp.51-55 |
| EE | 2015-01-30 12:30 |
熊本 | 桜の馬場 城彩苑（熊本県） | 高電位部への給電のためのデータ伝送機能付き非接触給電手法の研究 ○石崎潤起（同志社大）・久保敏裕・松原克夫（日新電機）・高橋康人・藤原耕二（同志社大） EE2014-37 |
電子線照射装置やイオン注入装置などでは，高電位に充電された電子やイオンの生成部に電力を供給する必要があり，所定の絶縁距離... [more] | EE2014-37 pp.49-53 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術 ○一宮佑希・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-146 LQE2014-133 |
III-V CMOSフォトニクスは、III-V-on-Insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半... [more] | OPE2014-146 LQE2014-133 pp.37-40 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 11:00 |
京都 | 京都大学 | 炭素系多原子分子イオンのシリコンへの照射効果 ○竹内光明・林 恭平・龍頭啓充・高岡義寛（京大）・永山 勉・松田耕自（日新イオン機器） EID2014-17 SDM2014-112 |
炭化水素多原子分子イオンC$_{n}$H$_{n}^{+}$($n$=3, 7, 14)及びC$_{n}$H$_{2n+... [more] | EID2014-17 SDM2014-112 pp.21-24 |
| SDM | 2014-11-06 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算 ○岡本 稔・清水 守・大倉康幸・山口 憲・小池秀耀（アドバンスソフト） SDM2014-98 |
[more] | SDM2014-98 pp.13-18 |
| SDM | 2014-10-16 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入 ○後藤哲也・黒田理人・赤川直矢・諏訪智之・寺本章伸・李 翔・小原俊樹・木本大幾・須川成利・大見忠弘（東北大）・熊谷勇喜・鎌田 浩・渋沢勝彦（ラピスセミコンダクタ宮城） SDM2014-85 |
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を，テクノロジーノード0.22mのshallow trench iso... [more] | SDM2014-85 pp.7-12 |
| SDM | 2014-10-16 16:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］イメージセンサーデバイスにおけるイオン注入 ○川崎洋司・布施玄秀・佐野 信・大賀絵美・小池正純・渡邉一浩・杉谷道朗（SEN） SDM2014-88 |
CMOSイメージセンサのためのイオン注入の方向性を議論した。要求されるより深い分布に対して、安定性の観点からビーム方向、... [more] | SDM2014-88 pp.23-30 |
| SDM | 2014-06-19 11:25 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成 ○浜田慎也・村上秀樹・小野貴寛・橋本邦明（広島大）・大田晃生（名大）・花房宏明・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2014-48 |
Ge中でのAsの活性化率を向上させるために、Ge(100)に対して基板温度を-100~400°Cに制御してAs+イオン注... [more] | SDM2014-48 pp.27-30 |
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