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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SR | 2018-05-25 10:00 |
東京 | 東京ビッグサイト（ワイヤレステクノロジー・パーク（WTP)2018会場内） | ［技術展示］Energy-Neutral Receiver-Initiated (ENRI) MACプロトコルに基づくバッテリーレス無線センサネットワーク ○川口達広・田邉 稜・石橋功至（電通大）  SR2018-20 |
本研究では，端末間の時間同期を必要としない受信機駆動型の媒体アクセス制御 (MAC: Medium Access Con... [more] | SR2018-20 pp.115-119 |
| SR, SRW (併催) |
2017-10-24 14:00 |
海外 | Grand Hotel Palatino, Rome, Italy | ［ポスター講演］Experimental Evaluation of Condition-Aware Receiver-Initiated MAC Protocol for Energy-Harvesting Wireless Sensor Networks ○Tatsuhiro Kawaguchi・Ryo Tanabe・Koji Ishibashi（The Univ. of Electro-Communications） SR2017-92 SRW2017-42 |
[more] | SR2017-92 SRW2017-42 pp.71-72(SR), pp.65-66(SRW) |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2013-07-05 16:25 |
北海道 | サン・リフレ函館 | 最適オンオフ制御を用いた磁界結合パルス通信用間欠動作LNA ○徐 照男・小平 薫・浦野雄貴・黒田忠広・石黒仁揮（慶大） ICD2013-42 |
この論文は磁界結合パルス通信で用いるための低消費電力なLNAについて述べている．消費電力を削減するために，パルス信号が現... [more] | ICD2013-42 pp.113-118 |
| CPM | 2009-08-11 11:40 |
青森 | 弘前大学 | 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長 齋藤 健・永田一樹（長岡技科大）・末光眞希・遠藤哲郎・伊藤 隆（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・高田雅介・赤羽正志・○安井寛治（長岡技科大） CPM2009-45 |
GaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において、原料ガスの間欠供給がGaN結晶膜の特性にどのような効... [more] | CPM2009-45 pp.61-66 |
| CPM | 2008-10-30 13:25 |
新潟 | 新潟大学 | パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長 ○小前泰彰・齋藤 健（長岡技科大）・末光眞希・伊藤 隆・遠藤哲郎（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（九工大）・高田雅介・安井寛治・赤羽正志（長岡技科大） CPM2008-76 |
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] | CPM2008-76 pp.7-12 |
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