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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2012-10-26 17:55 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | Cu/metal/SiO2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) ～ Va遷移金属の拡散挙動 ～ ○武山真弓・野矢 厚（北見工大）  CPM2012-103 |
LSIにおいて、Cu配線と層間絶縁膜との間には、優れたバリヤ特性を有するバリヤが必要不可欠である。しかしながら、これまで... [more] | CPM2012-103 pp.55-60 |
| EA, US (併催) |
2012-01-27 16:00 |
大阪 | 関西大学 | キャビテーション気泡界面領域のOHラジカル濃度 ○畑中信一（電通大） US2011-103 |
ヨウ化カリウム水溶液への超音波照射による三ヨウ化物イオンと過酸化水素の生成速度より，キャビテーション気泡とバルク液体の界... [more] | US2011-103 pp.101-102 |
| SDM | 2011-07-04 12:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御 ○村上秀樹・藤岡知宏・大田晃生・三嶋健斗・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-58 |
High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO2の原子層... [more] | SDM2011-58 pp.47-50 |
| SDM | 2011-07-04 13:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御 ○加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2011-60 |
プラセオジム（Pr）酸化膜/GeおよびPr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造において化学結合状態および電気的特性を評価し，P... [more] | SDM2011-60 pp.57-62 |
| SDM | 2011-07-04 14:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析 ○松井真史・藤岡知宏・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-61 |
熱酸化により形成したGeO2/Ge(100)界面および金属(Al, AuおよびPt)薄膜形成後のGeO2との界面化学結合... [more] | SDM2011-61 pp.63-68 |
| SDM | 2009-06-19 10:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | Si酸化における界面反応の第一原理計算 ○秋山 亨（三重大）・影島博之（NTT）・植松真司（慶大）・伊藤智徳（三重大） SDM2009-28 |
Si酸化における界面反応過程の詳細を第一原理計算に基づき解明した。ドライ酸化を想定したO$_2$分子での界面反応では、O... [more] | SDM2009-28 pp.9-13 |
| SDM | 2009-06-19 14:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果 ○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明（名大） SDM2009-37 |
GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜... [more] | SDM2009-37 pp.61-66 |
| SDM | 2009-06-19 16:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散 ○大田晃生・貫目大介・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2009-42 |
800ºC O2雰囲気中熱処理したHfO2(~4.0nm)/SiO2(~3.8nm)/Si上にMOCVDにより... [more] | SDM2009-42 pp.87-92 |
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