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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-06-22 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ［記念講演］Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ～ MOS（MFS）界面で起こる現象 ～ ○トープラサートポン カシディット・李 宗恩・林 早阳・田原建人・渡辺耕坪・竹中 充・高木信一（東大）  SDM2021-23 |
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] | SDM2021-23 pp.7-12 |
| SDM | 2021-01-28 16:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御 ○隅田 圭・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） SDM2020-54 |
III-V nMOSFETの本質的な3つの課題である, 低半導体容量, 強い膜厚揺らぎ散乱, 多量の界面準位の問題を克服... [more] | SDM2020-54 pp.21-24 |
| SDM | 2018-06-25 15:35 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果 ○土井拓馬（名大）・竹内和歌奈（愛知工大）・坂下満男（名大）・田岡紀之（産総研）・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2018-23 |
SiCを用いたパワーMOSFETの省電力化には、絶縁膜/SiC界面の界面準位密度の低減が必須である。本研究では、現在主流... [more] | SDM2018-23 pp.33-36 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 12:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 ○グェンスァン チュン（名大）・田岡紀之（産総研）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 |
SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から8... [more] | ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 pp.61-64 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 09:55 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響 ○大澤一斗・野口真司・祢津誠晃・木瀬信和・宮本恭幸（東工大） ED2016-103 MW2016-179 |
高い電子移動度を持つIII-V族化合物半導体が将来のnMOSFETのチャネル材料として期待されている。その実現のためには... [more] | ED2016-103 MW2016-179 pp.35-40 |
| SDM | 2016-11-11 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析 ～ 原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して ～ ○土屋敏章（島根大） SDM2016-86 |
チャージポンピング(CP)法で，単一のMOS界面トラップを個別に検出して評価する究極的な手法を用いて，全く新しい視点でト... [more] | SDM2016-86 pp.43-47 |
| CPM | 2015-08-11 11:20 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | Radical-Enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価 ○成田英史（弘前大）・山田大地・福田幸夫（諏訪東京理科大）・鹿糠洋介・岡本 浩（弘前大） CPM2015-44 |
次世代のC-MOSデバイスの候補としてGe-MIS構造が注目されているが、界面の品質向上が課題とされている。われわれはこ... [more] | CPM2015-44 pp.67-70 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:30 |
京都 | 京都大学 | シングルパルスId-Vgs測定による4H-SiC MOSFETの界面特性評価 ○磯野弘典（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大） EID2014-34 SDM2014-129 |
シリコンカーバイド(SiC)-MOSFETは，多量の界面準位(Dit)によるしきい値電圧(Vth)の変動や，低いチャネル... [more] | EID2014-34 SDM2014-129 pp.109-113 |
| SDM | 2013-10-18 10:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 ○池野成裕・永田晃基（明大）・陰地 宏・廣沢一郎（高輝度光科学研究センター）・小椋厚志（明大） SDM2013-94 |
SiO2/Si 構造における界面準位の議論は、トランジスタの設計において最も重要なパラメータの一つである。界面準位の評価... [more] | SDM2013-94 pp.33-36 |
| SDM | 2013-06-18 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化 ○矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-58 |
POCl3アニールによりSiO2/4H-SiC界面にリンを導入したMOSデバイスの特性を調査した。従来法のNOアニールに... [more] | SDM2013-58 pp.71-76 |
| SDM | 2012-10-26 09:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | Accumulation MOSFETsにおけるノイズ特性の評価 ○ゴベール フィリップ・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2012-92 |
[more] | SDM2012-92 pp.15-20 |
| SDM | 2011-07-04 10:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | コンダクタンス法を用いたHfO2/In0.53Ga0.47Asの界面解析 ○ザデ ダリューシュ・細井隆司・アヘメト パルハット・角嶋邦之・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2011-53 |
[more] | SDM2011-53 pp.17-22 |
| SDM | 2011-07-04 11:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure ○Kusuman Dari・Wakana Takeuchi・Kimihiko Kato・Shigehisa Shibayama・Mitsuo Sakashita・Osamu Nakatsuka・Shigeaki Zaima（Nagoya Univ.） SDM2011-57 |
We have investigated the effect of light induced damages on ... [more] | SDM2011-57 pp.41-46 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 17:30 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | 原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価 ○宮崎英志・合田祐司・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49 |
Al2O3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al2O3成膜前の前処理として(NH4)2S (硫化... [more] | ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49 pp.185-190 |
| OME | 2010-01-12 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価 ○藤井孝博（千葉大）・松井弘之（産総研）・長谷川達生（産総研/東大）・国吉繁一・酒井正俊・工藤一浩・中村雅一（千葉大） OME2009-76 |
有機薄膜トランジスタ(OTFT)において、有機半導体／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位はTFTの動作特性・動作安定性に大き... [more] | OME2009-76 pp.51-56 |
| SDM | 2009-12-04 15:50 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成 ○広重康夫・東 清一郎・宮崎祐介・松本和也・宮崎誠一（広島大） SDM2009-166 |
リモートプラズマCVD (RPECVD) により300 ℃で堆積したSiO2膜に熱プラズマジェット (TPJ) 照射ミリ... [more] | SDM2009-166 pp.79-82 |
| SDM | 2008-12-05 16:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | F2表面処理したHfO2/Ge MIS構造の電気的特性評価 ○今庄秀人・Hyun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則（阪大） SDM2008-195 |
High-k/Ge MIS構造は次世代高移動度FETのゲート構造として注目されている．しかし、C-V特性，リーク電流など... [more] | SDM2008-195 pp.59-64 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 11:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション ～ HfO2/AlGaN界面の影響 ～ ○林 慶寿・杉浦 俊・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 |
HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのシミュレーションを行い、デバイスの動作機構の解明及び界面トラップのデバイス特... [more] | ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 pp.115-120 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 12:05 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Properties of GaN MIS Capacitors Using Al2O3 as Gate Dielectric Deposited by Remote Plasma Atomic Layer Deposition ○Hyeong-Seon Yun・Ka-Lam Kim・No-Won Kwak・Woo-Seok Lee・Sang-Hyun Jeong（Cheongju Univ.）・Ju-Ok Seo（Itswell）・Kwang-Ho Kim（Cheongju Univ.） ED2008-42 SDM2008-61 |
Al2O3 thin films were deposited on GaN 0001) by Remote Plasm... [more] | ED2008-42 SDM2008-61 pp.15-19 |
| SDM | 2007-06-08 10:55 |
広島 | 広島大学（学士会館） | LaAlO/Si基板界面への１原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証 ○高島 章・西川幸江・清水達雄・鈴木正道・松下大介・吉木昌彦・富田充裕・山口 豪・小山正人・福島 伸（東芝） SDM2007-43 |
high-k絶縁膜/Si基板界面における技術的課題である界面準位密度の低減について、我々の最近の研究成果を報告する。具体... [more] | SDM2007-43 pp.65-70 |
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