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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 10:05 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Neを用いてガラス上にスパッタ堆積したInSb膜のRTAによる結晶化 ○岡田竜弥・チャリット ジャヤナダ コスワッタゲー（琉球大）・梶原隆司・佐道泰造（九大）・野口 隆（琉球大）  SDM2023-8 OME2023-8 |
安価な絶縁基板上への高結晶性InSb膜の形成に向けて、ArガスおよびNeガスを用いたRFスパッタリング法により製膜したI... [more] | SDM2023-8 OME2023-8 pp.30-31 |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 10:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
スパッタ堆積InSb薄膜/ガラス基板の急速熱処理法による結晶成長 ○梶原隆司（九大）・岡田竜弥・チャリット ジャヤナダ コスワッタゲー・野口 隆（琉球大）・佐道泰造（九大） SDM2023-9 OME2023-9 |
高移動度InSb薄膜の低コストな形成プロセスの創出を目指し、ガラス基板上へArプラズマを用いてスパッタ成膜したInSb膜... [more] | SDM2023-9 OME2023-9 pp.32-33 |
| EST | 2022-01-28 15:10 |
ONLINE | オンライン開催 | テラヘルツ帯における誘電体基板上のInSb球配列のFDTD解析 ○黒田匠真・柴山 純・山内潤治・中野久松（法政大） EST2021-92 |
誘電体基板上に半導体のアンチモン化インジウム(InSb)球を配置した周期構造の解析を3次元FDTD法を用いてテラヘルツ(... [more] | EST2021-92 pp.173-177 |
| ED, THz (共催) |
2021-12-21 10:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析 礒前雄人・岸本尚之・林 拓也・國澤宗真（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・町田龍人・原 紳介・笠松章史（NICT）・○遠藤 聡・藤代博記（東京理科大） ED2021-57 |
我々は３種類のAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb-HEMTを作製した．これらのHEMTエピタキシ... [more] | ED2021-57 pp.44-47 |
| EST | 2020-01-31 13:25 |
大分 | 別府国際コンベンションセンター（小会議室31） | THz帯で動作するハイブリッドプラズモニック導波路を用いた偏波分割器 ○山本新大・柴山 純・山内潤治・中野久松（法政大） EST2019-96 |
テラヘルツ帯におけるハイブリッドプラズモニック導波路(HPW)と誘電体導波路(DW)から構成される偏波分割器を提案する．... [more] | EST2019-96 pp.85-89 |
| EST | 2020-01-31 13:50 |
大分 | 別府国際コンベンションセンター（小会議室31） | InSb素子を用いたTHzセンサの比較検討 ○中野 純・柴山 純・山内潤治・中野久松（法政大） EST2019-97 |
半導体のアンチモン化インジウム(InSb)を用いたテラヘルツ(THz)センサの比較検討を行う．クロスダイポール型，ディス... [more] | EST2019-97 pp.91-96 |
| EST | 2020-01-31 14:15 |
大分 | 別府国際コンベンションセンター（小会議室31） | テラヘルツ帯におけるTE透過/TM除去導波路型偏光子の解析 ○髙橋澄玲・柴山 純・山内潤治・中野久松（法政大） EST2019-98 |
誘電体導波路に半導体層を装荷したテラヘルツ帯におけるTE透過/TM除去導波路型偏光子を提案する. はじめに，2次元偏光子... [more] | EST2019-98 pp.97-102 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:45 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT ○大澤幸希・岩木拓也・遠藤勇輝・平岡瑞穂・岸本尚之・林 拓也（東京理科大）・渡邊一世（NICT/東京理科大）・山下良美・原 紳介・後藤高寛・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大） ED2019-83 |
我々は，世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し，これらのHEMTの特性を評価した．我々が以前に作製... [more] | ED2019-83 pp.29-32 |
| EST | 2018-09-06 15:15 |
沖縄 | 久米島イーフ情報プラザ（沖縄県久米島町） | 試料槽を設けたテラヘルツ表面プラズモン共鳴導波路型センサの特性評価 ○吉原 啓・柴山 純・山内潤治・中野久松（法政大） EST2018-49 |
試料槽を設けたTHz帯における表面プラズモン共鳴(SPR)センサの特性を性能指数を用いることで定量的に評価する. まず,... [more] | EST2018-49 pp.35-39 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | ［招待講演］アンチモン系トランジスタの開発 ○藤代博記・磯野恭佑・高橋択斗・原田義彬・岡 直希・竹内 淳・藤澤由衣（東京理科大）・藤川紗千恵（東京電機大）・町田龍人（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・遠藤 聡・原 紳介・笠松章史（NICT） ED2017-81 |
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により，InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] | ED2017-81 pp.33-36 |
| OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-01-18 15:30 |
三重 | 伊勢市観光文化会館 | 試料槽を設けたテラヘルツ表面プラズモン共鳴導波路型センサの特性改善 ○清水圭介・柴山 純・山内潤治・中野久松（法政大） PN2016-50 EMT2016-79 OPE2016-125 LQE2016-114 EST2016-89 MWP2016-63 |
試料槽を設けたTHz帯における表面プラズモン共鳴導波路型センサの特性改善を，特に導波構造に注目しながら行う．まず，2次元... [more] | PN2016-50 EMT2016-79 OPE2016-125 LQE2016-114 EST2016-89 MWP2016-63 pp.51-56 |
| ED | 2016-07-23 15:55 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長 ○三枝孝彰・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2016-31 |
近年、Siを用いた半導体デバイスの微細化による性能向上が限界に達しつつある。そこで我々は、超高速、低消費電力デバイスへの... [more] | ED2016-31 pp.21-24 |
| LQE, EST, OPE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT, PEM (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2016-01-28 09:55 |
兵庫 | 神戸市産業振興センター | InSbグレーティングによるテラヘルツフィルタのFDTD解析 柴山 純・○梅澤 涼・山内潤治・中野久松（法政大） PN2015-61 EMT2015-112 OPE2015-174 LQE2015-161 EST2015-118 MWP2015-87 |
InSbグレーティングによる局在表面プラズモン共鳴を利用したTHzフィルタの透過特性を検討する．まず，先行研究で用いられ... [more] | PN2015-61 EMT2015-112 OPE2015-174 LQE2015-161 EST2015-118 MWP2015-87 pp.169-174 |
| ED | 2015-07-25 11:05 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性 ○竹鶴達哉・藤川紗千恵・原田義彬・鈴木浩基・磯野恭佑・加藤三四郎・辻 大介・藤代博記（東京理科大） ED2015-45 |
MBE法を用いて成長させたGaAs (100) 基板上InSb量子井戸構造の電子輸送特性向上のため、新たなAlInSbバ... [more] | ED2015-45 pp.45-49 |
| EST | 2015-05-15 09:30 |
東京 | 法政大学 小金井キャンパス | テラヘルツ帯における表面プラズモン共鳴導波路型センサの数値解析 柴山 純・○清水圭介・山内潤治・中野久松（法政大） EST2015-1 |
InSb をセンシング部に採用した, テラヘルツ帯での表面プラズモン共鳴(SPR) 導波路型センサを提案する. まず, ... [more] | EST2015-1 pp.1-6 |
| ED | 2014-08-01 11:45 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析 ○初芝正太・長井彰平・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介・遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大） ED2014-55 |
転位散乱がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響を解析するため，量子補正モンテカ ルロ(QC-MC)シミュレータ... [more] |
ED2014-55 pp.13-18 |
| ED | 2013-08-09 11:20 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長 ○王 シン・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-49 |
最近、ナノワイヤートランジスタ(NW-FETs)、FinFETsなどの立体構造デバイスの研究が盛んに行われている。過去の... [more] | ED2013-49 pp.61-65 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-27 16:55 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET ○前澤宏一・伊藤泰平・角田 梓・中山幸二・安井雄一郎・森 雅之（富山大）・宮崎英志・水谷 孝（名大） ED2012-135 SDM2012-164 |
表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとして... [more] | ED2012-135 SDM2012-164 pp.39-42 |
| ED | 2012-07-27 09:30 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析 ○永井佑太郎・佐藤 純・原 紳介・藤代博記（東京理科大）・遠藤 聡・渡邊一世（NICT） ED2012-48 |
InSbの歪みバンド構造を計算し，量子補正モンテカルロ法を用いてInSb HEMTの特性を解析した．またInAs HEM... [more] | ED2012-48 pp.37-42 |
| ED | 2011-07-30 13:55 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製 ○角田 梓・岩杉達矢・中谷公彦・中山幸二・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2011-55 |
我々はこれまでに、Si(111)基板上に１原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を... [more] | ED2011-55 pp.91-96 |
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