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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MWPTHz (共催) |
2022-12-19 16:45 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | テラヘルツ応用に向けたIn0.8Ga0.2As及びInAs複合チャネルを有するInP-HEMTの比較解析 ○佐々木太郎・堤 卓也・杉山弘樹・中島史人（NTT）  ED2022-77 MWPTHz2022-48 |
近年のトラヒック需要の高まりや，センシング・イメージングなどの新しい応用展開へ向けて，300 GHz－3 THzの超高周... [more] | ED2022-77 MWPTHz2022-48 pp.28-33 |
| ED, THz (共催) |
2021-12-21 09:00 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］Beyond 5G/6G応用を見据えたテラヘルツInP-HEMT-IC製造技術 ○堤 卓也・濱田裕史・杉山弘樹・徐 照男・高橋宏行・松崎秀昭（NTT） ED2021-55 |
本報告では，Beyond 5G/6G における適用周波数帯候補である300 GHz 帯において適用可能なInP 系高電子... [more] | ED2021-55 pp.34-39 |
| AP, MW (併催) |
2018-09-20 14:55 |
東京 | 東京工業大学 | InP-HEMTによる300 GHz帯 100 Gb/sトランシーバ ○濱田裕史（NTT）・藤村拓弥・アブド イブラヒム・岡田健一（東工大）・堤 卓也・ソン ホジン・杉山弘樹・松崎秀昭・野坂秀之（NTT） MW2018-60 |
5Gの次世代技術として，データレート100 Gb/sを実現するような無線システムの研究が進められている．ミリ波・THz帯... [more] | MW2018-60 pp.7-12 |
| ED | 2007-11-27 14:20 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器 ○中舍安宏・川野陽一・鈴木俊秀（富士通）・多木俊裕（富士通研）・高橋 剛・牧山剛三（富士通）・廣瀬達哉（富士通研）・原 直紀（富士通） ED2007-189 |
10 Gb/sを超えるインパルス方式伝送装置の実現に向け，0.13 um InP HEMTを用いて短パルス発生器を開発し... [more] | ED2007-189 pp.11-16 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | ダブルリセス構造0.1umゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価 ○荻窪光慈・大島知之・角谷昌紀・市岡俊彦（OKI） |
ダブルリセス構造を適用した0.1 µmゲートpseudomorphic InP-HEMTを試作し、デバイス特... [more] | ED2004-221 MW2004-228 pp.53-58 |
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