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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
AP, MW
(併催)
2018-09-20
14:55
東京 東京工業大学 InP-HEMTによる300 GHz帯 100 Gb/sトランシーバ
濱田裕史NTT)・藤村拓弥アブド イブラヒム岡田健一東工大)・堤 卓也ソン ホジン杉山弘樹松崎秀昭野坂秀之NTTMW2018-60
5Gの次世代技術として,データレート100 Gb/sを実現するような無線システムの研究が進められている.ミリ波・THz帯... [more] MW2018-60
pp.7-12
ED 2007-11-27
14:20
宮城 東北大学 電気通信研究所 ミリ波帯大容量伝送システム実現に向けた7.6ps InP HEMT短パルス発生器
中舍安宏川野陽一鈴木俊秀富士通)・多木俊裕富士通研)・高橋 剛牧山剛三富士通)・廣瀬達哉富士通研)・原 直紀富士通ED2007-189
10 Gb/sを超えるインパルス方式伝送装置の実現に向け,0.13 um InP HEMTを用いて短パルス発生器を開発し... [more] ED2007-189
pp.11-16
MW, ED
(共催)
2005-01-18
14:25
東京 機械振興会館 ダブルリセス構造0.1umゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価
荻窪光慈大島知之角谷昌紀市岡俊彦OKI
ダブルリセス構造を適用した0.1 µmゲートpseudomorphic InP-HEMTを試作し、デバイス特... [more] ED2004-221 MW2004-228
pp.53-58
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