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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, LSJ
(共催)
2018-05-25
13:25
福井 芦原温泉清風荘 親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザとInP基板上レーザの発振特性比較
矢田拓夢内田和希杉山滉一Periyanayagam Gandhi Kallarasan韓 旭相川政輝早坂夏樹下村和彦上智大LQE2018-16
我々は,薄膜InPをSiプラットフォーム上に親水化接合したInP/Si基板を作製し,その基板上にMOVPE法を用いて光デ... [more] LQE2018-16
pp.25-28
ED, MW
(共催)
2018-01-25
16:35
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善
白鳥悠太星 拓也井田 実松崎秀昭NTTED2017-96 MW2017-165
基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ(DHBT... [more] ED2017-96 MW2017-165
pp.15-18
OPE, LQE
(共催)
2016-06-17
13:15
東京 機械振興会館 直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作
西山哲央松本恵一岸川純也大貫雄也鎌田直樹下村和彦上智大OPE2016-12 LQE2016-22
直接貼付法を用いて薄膜InP層とSi基板を貼合わせ、作製されたInP/Si基板上に結晶成長を行うことでシリコンプラットフ... [more] OPE2016-12 LQE2016-22
pp.15-20
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-27
14:15
青森 青森県観光物産館アスパム [招待講演]Ga溶融バンプを用いたFluidic Self Assemblyによる異種材料集積化技術
前澤宏一中野 純柴田知明森田弘樹坂本 宙山田悟史森 雅之富山大R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36
異種材料デバイス集積技術は,これまで蓄積されてきた半導体ナノプロセス技術を新しいアプリケーション分野に展開するために重要... [more] R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36
pp.27-32
MW 2015-05-28
16:30
東京 電気通信大 ワイドアングル平面扇形アンテナの広帯域特性に関する解析
斉藤 昭金 龍石川 亮本城和彦電通大MW2015-26
基板上に配置された平面扇型アンテナを取り上げ、導体のなす角度が大きくなると広帯域な特性を示す理由を解析した。アンテナ球内... [more] MW2015-26
pp.31-36
AP 2015-04-23
11:20
沖縄 石垣島 大濱信泉記念館 多目的ホール マイクロストリップ線路によるSパラメータ法用ジグの検討(その5) ~ 基板端コネクタによる測定値への影響 ~
笹森崇行遠藤和麻戸花照雄礒田陽次秋田県立大AP2015-10
ダイポールアンテナやループアンテナといった平衡給電を行うアンテナの入力インピーダンスを測定する方法としてSパラメータ法が... [more] AP2015-10
pp.47-50
AP
(第二種研究会)
2014-12-19
11:30
鹿児島 種子島宇宙センター マイクロストリップ線路によるSパラメータ法用ジグの検討(その4) ~ 基板端コネクタによる測定値への影響 ~
笹森崇行遠藤和麻戸花照雄礒田陽次秋田県立大
ダイポールアンテナやループアンテナといった平衡給電を行うアンテナの入力インピーダンスを測定するためにSパラメータ法と呼ば... [more]
OCS, OPE, LQE
(共催)
2014-10-31
10:45
長崎 長崎歴史文化博物館 InP(110)基板上アサーマルIQ光変調器及び集積化検討
小木曽義弘中西泰彦金澤 慈山田英一田野辺博正柴田泰夫神徳正樹NTTOCS2014-72 OPE2014-116 LQE2014-90
本稿では, InP-IQ光変調器において,初めて高速アサーマル変調動作を低損失に実証したので報告する.(110)面にスラ... [more] OCS2014-72 OPE2014-116 LQE2014-90
pp.159-162
OPE, LQE
(共催)
2014-06-20
14:00
東京 機械振興会館 直接貼付InP/Si基板上量子ドットLEDからのEL発光
松本恵一金谷佳則岸川純也下村和彦上智大OPE2014-15 LQE2014-20
直接貼付法を用いて作製されたInP/Si基板上にMOVPE選択成長(Ga)InAs/InP量子ドット構造を導入したアレイ... [more] OPE2014-15 LQE2014-20
pp.15-18
LQE, LSJ
(共催)
2014-05-22
14:00
福井 福井大学文京キャンパス 波長・温度無依存InP(110)マッハ・ツェンダー光変調器
小木曽義弘荒井昌和山田英一田野辺博正柴田泰夫神徳正樹NTTLQE2014-2
本稿では, InPマッハ・ツェンダー光変調器において,高速かつ温度・波長無依存な変調動作を低損失に実現したので報告する.... [more] LQE2014-2
pp.5-8
OPE, LQE, CPM, EMD, R
(共催)
2013-08-29
10:45
北海道 サンリフレ函館 InP基板上type-II InAs/GaSb超格子を用いた中赤外センサ
三浦広平猪口康博住友電工)・河村裕一阪府大R2013-32 EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31
中赤外センサの受光材料として注目を集めているtype-II InAs/GaSb超格子は、結晶成長には通常GaSb基板が使... [more] R2013-32 EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31
pp.19-24
ED 2013-08-09
09:00
富山 富山大学工学部 大会議室 超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス
藤野舜也水野雄太高岡和央森 雅之前澤宏一富山大ED2013-44
本論文では, InP基板上におけるMEMSマイクロフォンの製造プロセスについて述べた. このプロセスは, 中空構造を作製... [more] ED2013-44
pp.33-36
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
16:05
石川 金沢大学 角間キャンパス バルク制御によるオペアンプの入力同相電圧広域化
大澤 衛範 公可電通大SDM2013-85 ICD2013-67
低電源電圧のもとで動作するオペアンプの同相入力電圧範囲の広域化について検討する.本研究では,
MOS トランジスタのバ... [more]
SDM2013-85 ICD2013-67
pp.105-110
LQE, OPE
(共催)
2013-06-21
11:25
東京 機械振興会館 直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長
松本恵一張 きんきん金谷佳則下村和彦上智大OPE2013-9 LQE2013-19
大容量高速通信を実現するIII-V族半導体をSiプラットフォーム上に集積することが求められている。本論文では直接貼付法と... [more] OPE2013-9 LQE2013-19
pp.13-18
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-17
11:20
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換
熊崎祐介神保亮平谷田部然治・○佐藤威友北大ED2013-27 CPM2013-12 SDM2013-34
電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の光吸収特性を, pn接合基板に形成した光電流測定素子を用い... [more] ED2013-27 CPM2013-12 SDM2013-34
pp.61-64
OPE
(共催)
OFT, OCS
(併催) [詳細]
2013-03-01
10:50
東京 機械振興会館 金属膜と傾斜接合を持つMMI構造による偏波面分離素子の設計
小島啓介MERL)・○西川智志柳生栄治三菱電機)・Wangqing YuanBingnan Wang秋濃俊昭Kieran ParsonsMERLOCS2012-106 OFT2012-82 OPE2012-200
InP基板上に作成された、金属膜と傾斜接合を持つMMI(Multi-Mode Interference)による偏波面分離... [more] OCS2012-106 OFT2012-82 OPE2012-200
pp.51-55(OCS), pp.71-75(OFT), pp.71-75(OPE)
SDM, ED
(共催)
2013-02-27
17:20
北海道 北海道大学(百年記念会館) InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス
船山裕晃渡邉龍郎道又賢司和保孝夫村上 新下村和彦上智大ED2012-136 SDM2012-165
電界アシスト自己堆積プロセス(FASA)を用いてInAs ナノワイヤ をSi基板上に堆積した。InAs ナノワイヤ及びI... [more] ED2012-136 SDM2012-165
pp.43-46
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
15:30
東京 東工大 大岡山キャンパス Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO2 wires
Naoaki TakebeTakashi KobayashiHiroyuki SuzukiYasuyuki MiyamotoKazuhito FuruyaTokyo Inst. of Tech.ED2010-69 SDM2010-70
In this paper, we report the fabrication and device characte... [more] ED2010-69 SDM2010-70
pp.75-79
SDM, ED
(共催)
2009-02-26
16:55
北海道 北海道大学 AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器
前澤宏一富山大)・亀谷直樹岸本 茂水谷 孝名大)・赤松和弘日鉱金属ED2008-231 SDM2008-223
AlN セラミック基板上に共鳴トンネルダイオードペア発振器を作製し,その特性を調べた.作製には微小デバイスブロックの配置... [more] ED2008-231 SDM2008-223
pp.41-46
ED 2008-12-19
15:55
宮城 東北大学電気通信研究所 W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発
中舍安宏川野陽一鈴木俊秀富士通)・多木俊裕富士通研)・高橋 剛牧山剛三富士通)・廣瀬達哉富士通研)・原 直紀富士通ED2008-189
10 Gb/sを超えるインパルス無線通信装置の実現に向け、70-100 GHzミリ波帯で動作するウェーブレット(波束)送... [more] ED2008-189
pp.27-32
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