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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
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産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
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マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
スマートファシリティ研究会 (IEE-SMF)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
ED
,
MWPTHz
(共催)
2022-12-19
16:05
宮城
東北大学・電気通信研究所
[招待講演]テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G超高速大容量通信実現のためのInP-HEMT-IC製造技術
○
堤 卓也
・
濱田裕史
・
徐 照男
・
杉山弘樹
・
佐々木太郎
・
高橋宏行
・
中島史人
(
NTT
)
ED2022-76 MWPTHz2022-47
無線トラヒックの需要急増に対応するためB5G もしくは6G と呼ばれるシステムの検討が始まっており,その周波数帯の一候補...
[more]
ED2022-76
MWPTHz2022-47
pp.23-27
ED
,
MWPTHz
(共催)
2022-12-19
16:45
宮城
東北大学・電気通信研究所
テラヘルツ応用に向けたIn0.8Ga0.2As及びInAs複合チャネルを有するInP-HEMTの比較解析
○
佐々木太郎
・
堤 卓也
・
杉山弘樹
・
中島史人
(
NTT
)
ED2022-77 MWPTHz2022-48
近年のトラヒック需要の高まりや,センシング・イメージングなどの新しい応用展開へ向けて,300 GHz-3 THzの超高周...
[more]
ED2022-77
MWPTHz2022-48
pp.28-33
ED
,
THz
(共催)
2021-12-21
09:00
宮城
東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]Beyond 5G/6G応用を見据えたテラヘルツInP-HEMT-IC製造技術
○
堤 卓也
・
濱田裕史
・
杉山弘樹
・
徐 照男
・
高橋宏行
・
松崎秀昭
(
NTT
)
ED2021-55
本報告では,Beyond 5G/6G における適用周波数帯候補である300 GHz 帯において適用可能なInP 系高電子...
[more]
ED2021-55
pp.34-39
ED
,
THz
(共催)
[詳細]
2019-12-23
16:20
宮城
東北大学・電気通信研究所
テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス
○
堤 卓也
・
濱田裕史
・
杉山弘樹
・
野坂秀之
・
松崎秀昭
(
NTT
)
ED2019-82
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ...
[more]
ED2019-82
pp.23-28
ED
,
THz
(共催)
2018-12-18
09:00
宮城
東北大・通研
[招待講演]InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化
○
遠藤 聡
・
渡邊一世
・
山下良美
・
笠松章史
(
NICT
)・
藤代博記
(
東京理科大
)・
三村高志
(
NICT
)
ED2018-62
我々は,電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系,Sb系及びGaN系HEMTを作製し,これらのHEMTの特性を...
[more]
ED2018-62
pp.35-38
ED
2016-12-19
14:40
宮城
東北大通研ナノ・スピン棟
InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響
○
遠藤 聡
・
渡邊一世
・
笠松章史
(
NICT
)・
高橋 剛
・
芝 祥一
・
中舍安宏
・
岩井大介
(
富士通研
)・
三村高志
(
富士通研/NICT
)
ED2016-81
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお...
[more]
ED2016-81
pp.7-12
ED
2016-01-20
15:05
東京
機械振興会館
[依頼講演]テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化
○
高橋 剛
・
川野陽一
・
牧山剛三
・
芝 祥一
・
中舍安宏
・
原 直紀
(
富士通研
)
ED2015-118
300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEM...
[more]
ED2015-118
pp.37-41
ED
2015-12-21
13:45
宮城
東北大通研ナノ・スピン棟
InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
○
遠藤 聡
(
NICT/富士通研
)・
渡邊一世
・
笠松章史
(
NICT
)・
高橋 剛
・
芝 祥一
・
中舍安宏
・
岩井大介
(
富士通研
)・
三村高志
(
富士通研/NICT
)
ED2015-92
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を,温度30...
[more]
ED2015-92
pp.7-11
ED
2015-12-21
14:35
宮城
東北大通研ナノ・スピン棟
InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性
○
高橋 剛
・
佐藤 優
・
芝 祥一
・
牧山剛三
・
中舍安宏
・
原 直紀
(
富士通研
)
ED2015-94
テラヘルツ波の高感度検出のために、InP HEMT低雑音増幅器とGaAaSb系バックワード高感度検波器を集積化したMMI...
[more]
ED2015-94
pp.19-23
ED
2013-12-16
13:15
宮城
東北大通研
[招待講演]超100GHz帯増幅器技術の進展とその通信への応用
○
佐藤 優
・
川野陽一
・
芝 祥一
・
松村宏志
・
高橋 剛
・
鈴木俊秀
・
中舍安宏
・
原 直紀
(
富士通
)
ED2013-91
電子デバイス技術の進展に伴い100 GHzを超える高周波を用いたセンサ・通信システムの実現の見通しがついてきた.いずれの...
[more]
ED2013-91
pp.7-11
ED
2013-12-16
14:20
宮城
東北大通研
高精度スペクトル計測に向けたF帯InP HEMT基本波ミキサの開発
○
芝 祥一
・
佐藤 優
・
松村宏志
・
高橋 剛
・
鈴木俊秀
・
中舍安宏
・
原 直紀
(
富士通
)
ED2013-93
110 GHzを超える周波数での高精度スペクトル計測を目的として,InP HEMT技術を用いた広帯域基本波ミキサを開発し...
[more]
ED2013-93
pp.19-23
ED
2013-08-09
09:00
富山
富山大学工学部 大会議室
超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス
○
藤野舜也
・
水野雄太
・
高岡和央
・
森 雅之
・
前澤宏一
(
富山大
)
ED2013-44
本論文では, InP基板上におけるMEMSマイクロフォンの製造プロセスについて述べた. このプロセスは, 中空構造を作製...
[more]
ED2013-44
pp.33-36
MW
,
ED
(共催)
2013-01-18
15:20
東京
機械振興会館
多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を用いたInGaAs HEMT
○
吉田智洋
・
小林健悟
・
尾辻泰一
・
末光哲也
(
東北大
)
ED2012-127 MW2012-157
ミリ波帯応用を目指したIII-V系化合物半導体FETにおいては,短ゲート化に伴うゲート抵抗増大への対策としてT型ゲート電...
[more]
ED2012-127
MW2012-157
pp.79-84
ED
2012-12-17
13:50
宮城
東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム
75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器
○
芝 祥一
・
佐藤 優
・
鈴木俊秀
・
中舍安宏
・
高橋 剛
・
牧山剛三
・
原 直紀
(
富士通
)
ED2012-95
短距離大容量通信システムへの適用に向け,75 nm InP HEMTを用いてF帯(90-140 GHz)で動作する電流再...
[more]
ED2012-95
pp.11-15
ED
2010-12-17
09:30
宮城
東北大学 電気通信研究所
[招待講演]InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討
○
原 直紀
・
中舍安宏
・
牧山剛三
・
高橋 剛
(
富士通/富士通研
)
ED2010-165
シンプルで小型な送受信機を構成可能なインパルス無線方式をW帯ミリ波通信に適用し、InP HEMT MMICを用いて送受信...
[more]
ED2010-165
pp.41-45
ED
2010-12-17
11:15
宮城
東北大学 電気通信研究所
ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算
○
遠藤 聡
(
NICT/富士通研
)・
渡邊一世
(
NICT
)・
三村高志
(
富士通研/NICT
)
ED2010-168
InP 基板上のInAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして,InGaAs チャネル層内に電子の...
[more]
ED2010-168
pp.59-64
ED
2009-11-29
15:30
大阪
大阪科学技術センター
モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響
○
遠藤 聡
・
渡邊一世
(
NICT
)・
三村高志
(
NICT/富士通研
)・
松井敏明
(
NICT
)
ED2009-163
InP 系HEMT のミリ波・テラヘルツ波帯動作を実現するためには,主にゲート長Lg の短縮,及び短チャネル効果を抑制す...
[more]
ED2009-163
pp.19-23
ED
,
LQE
,
CPM
(共催)
2009-11-20
15:50
徳島
徳島大学(常三島キャンパス・工業会館)
60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性
○
渡邊一世
・
遠藤 聡
・
山下良美
・
広瀬信光
(
NICT
)・
三村高志
(
NICT/富士通研
)・
松井敏明
(
NICT
)
ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G...
[more]
ED2009-159
CPM2009-133
LQE2009-138
pp.151-155
MW
(ワークショップ)
2009-08-20
- 2009-08-21
海外
KMUTNB, Bangkok, Thailand
[招待講演]InP-based IC technologies for over 10 Gbps communications systems
○
Shoji Yamahata
・
Koichi Murata
(
NTT
)
The development of high-speed ICs with InP-based high-freque...
[more]
MW
,
ED
(共催)
2009-01-15
14:50
東京
機械振興会館
ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性
○
渡邊一世
・
遠藤 聡
(
NICT
)・
三村高志
(
NICT/富士通研
)・
松井敏明
(
NICT
)
ED2008-214 MW2008-179
InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz-3 TH...
[more]
ED2008-214
MW2008-179
pp.95-99
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