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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MWPTHz
(共催)
2022-12-19
16:05
宮城 東北大学・電気通信研究所 [招待講演]テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G超高速大容量通信実現のためのInP-HEMT-IC製造技術
堤 卓也濱田裕史徐 照男杉山弘樹佐々木太郎高橋宏行中島史人NTTED2022-76 MWPTHz2022-47
無線トラヒックの需要急増に対応するためB5G もしくは6G と呼ばれるシステムの検討が始まっており,その周波数帯の一候補... [more] ED2022-76 MWPTHz2022-47
pp.23-27
ED, MWPTHz
(共催)
2022-12-19
16:45
宮城 東北大学・電気通信研究所 テラヘルツ応用に向けたIn0.8Ga0.2As及びInAs複合チャネルを有するInP-HEMTの比較解析
佐々木太郎堤 卓也杉山弘樹中島史人NTTED2022-77 MWPTHz2022-48
近年のトラヒック需要の高まりや,センシング・イメージングなどの新しい応用展開へ向けて,300 GHz-3 THzの超高周... [more] ED2022-77 MWPTHz2022-48
pp.28-33
ED, THz
(共催)
2021-12-21
09:00
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]Beyond 5G/6G応用を見据えたテラヘルツInP-HEMT-IC製造技術
堤 卓也濱田裕史杉山弘樹徐 照男高橋宏行松崎秀昭NTTED2021-55
本報告では,Beyond 5G/6G における適用周波数帯候補である300 GHz 帯において適用可能なInP 系高電子... [more] ED2021-55
pp.34-39
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:20
宮城 東北大学・電気通信研究所 テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス
堤 卓也濱田裕史杉山弘樹野坂秀之松崎秀昭NTTED2019-82
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] ED2019-82
pp.23-28
ED, THz
(共催)
2018-12-18
09:00
宮城 東北大・通研 [招待講演]InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化
遠藤 聡渡邊一世山下良美笠松章史NICT)・藤代博記東京理科大)・三村高志NICTED2018-62
我々は,電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系,Sb系及びGaN系HEMTを作製し,これらのHEMTの特性を... [more] ED2018-62
pp.35-38
ED 2016-12-19
14:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTED2016-81
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] ED2016-81
pp.7-12
ED 2016-01-20
15:05
東京 機械振興会館 [依頼講演]テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化
高橋 剛川野陽一牧山剛三芝 祥一中舍安宏原 直紀富士通研ED2015-118
300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEM... [more] ED2015-118
pp.37-41
ED 2015-12-21
13:45
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTED2015-92
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を,温度30... [more] ED2015-92
pp.7-11
ED 2015-12-21
14:35
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性
高橋 剛佐藤 優芝 祥一牧山剛三中舍安宏原 直紀富士通研ED2015-94
テラヘルツ波の高感度検出のために、InP HEMT低雑音増幅器とGaAaSb系バックワード高感度検波器を集積化したMMI... [more] ED2015-94
pp.19-23
ED 2013-12-16
13:15
宮城 東北大通研 [招待講演]超100GHz帯増幅器技術の進展とその通信への応用
佐藤 優川野陽一芝 祥一松村宏志高橋 剛鈴木俊秀中舍安宏原 直紀富士通ED2013-91
電子デバイス技術の進展に伴い100 GHzを超える高周波を用いたセンサ・通信システムの実現の見通しがついてきた.いずれの... [more] ED2013-91
pp.7-11
ED 2013-12-16
14:20
宮城 東北大通研 高精度スペクトル計測に向けたF帯InP HEMT基本波ミキサの開発
芝 祥一佐藤 優松村宏志高橋 剛鈴木俊秀中舍安宏原 直紀富士通ED2013-93
110 GHzを超える周波数での高精度スペクトル計測を目的として,InP HEMT技術を用いた広帯域基本波ミキサを開発し... [more] ED2013-93
pp.19-23
ED 2013-08-09
09:00
富山 富山大学工学部 大会議室 超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス
藤野舜也水野雄太高岡和央森 雅之前澤宏一富山大ED2013-44
本論文では, InP基板上におけるMEMSマイクロフォンの製造プロセスについて述べた. このプロセスは, 中空構造を作製... [more] ED2013-44
pp.33-36
MW, ED
(共催)
2013-01-18
15:20
東京 機械振興会館 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を用いたInGaAs HEMT
吉田智洋小林健悟尾辻泰一末光哲也東北大ED2012-127 MW2012-157
ミリ波帯応用を目指したIII-V系化合物半導体FETにおいては,短ゲート化に伴うゲート抵抗増大への対策としてT型ゲート電... [more] ED2012-127 MW2012-157
pp.79-84
ED 2012-12-17
13:50
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器
芝 祥一佐藤 優鈴木俊秀中舍安宏高橋 剛牧山剛三原 直紀富士通ED2012-95
短距離大容量通信システムへの適用に向け,75 nm InP HEMTを用いてF帯(90-140 GHz)で動作する電流再... [more] ED2012-95
pp.11-15
ED 2010-12-17
09:30
宮城 東北大学 電気通信研究所 [招待講演]InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討
原 直紀中舍安宏牧山剛三高橋 剛富士通/富士通研ED2010-165
シンプルで小型な送受信機を構成可能なインパルス無線方式をW帯ミリ波通信に適用し、InP HEMT MMICを用いて送受信... [more] ED2010-165
pp.41-45
ED 2010-12-17
11:15
宮城 東北大学 電気通信研究所 ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世NICT)・三村高志富士通研/NICTED2010-168
InP 基板上のInAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして,InGaAs チャネル層内に電子の... [more] ED2010-168
pp.59-64
ED 2009-11-29
15:30
大阪 大阪科学技術センター モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響
遠藤 聡渡邊一世NICT)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICTED2009-163
InP 系HEMT のミリ波・テラヘルツ波帯動作を実現するためには,主にゲート長Lg の短縮,及び短チャネル効果を抑制す... [more] ED2009-163
pp.19-23
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
15:50
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性
渡邊一世遠藤 聡山下良美広瀬信光NICT)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICTED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138
pp.151-155
MW
(ワークショップ)
2009-08-20
- 2009-08-21
海外 KMUTNB, Bangkok, Thailand [招待講演]InP-based IC technologies for over 10 Gbps communications systems
Shoji YamahataKoichi MurataNTT
The development of high-speed ICs with InP-based high-freque... [more]
MW, ED
(共催)
2009-01-15
14:50
東京 機械振興会館 ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性
渡邊一世遠藤 聡NICT)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICTED2008-214 MW2008-179
InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz-3 TH... [more] ED2008-214 MW2008-179
pp.95-99
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