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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
14:00
静岡 静岡大学(浜松) InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討
藤田貴志坂井繁太池田優真山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニーED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99
InGaN混晶は、組成を変えることで理論上可視光域全域をカバー可能な半導体材料である。InGaN量子井戸における組成揺ら... [more] ED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99
pp.97-100
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
14:20
静岡 静岡大学(浜松) 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定
森 恵人高橋佑知森本悠也山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆SONYED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100
窒化物半導体の光学的性質を正しく理解するためには,まず内部量子効率(IQE: Internal Quantum Effi... [more] ED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100
pp.101-106
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
13:05
愛知 名古屋工業大学 InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討
藤田貴志坂井繁太池田優真山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102
InGaNはInNとGaNの混晶であり、組成を変えることでバンドギャップの調整ができる。InGaN量子井戸における組成揺... [more] ED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102
pp.75-78
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
13:30
愛知 名古屋工業大学 光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価
大島一輝池田優真坂井繁太山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103
InGaN量子井戸(QW)では、In組成揺らぎや井戸幅揺らぎに起因してポテンシャル揺らぎが顕著に現れる。これまでに、この... [more] ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103
pp.79-82
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
14:25
愛知 名古屋工業大学 InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析
池田優真坂井繁太大島一輝山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64
LEDやレーザダイオードの発光層として用いられるInGaN量子井戸において、PLピークエネルギーのS字型温度依存性(S-... [more] ED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64
pp.11-14
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
09:40
愛知 名古屋工業大学 サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較
森 拓磨太田美希原田紘希加藤慎也三好実人江川孝志名工大ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70
有機金属気相成長法によってサファイア基板とAlN/サファイアテンプレート(AlNテンプレート)の2種類の基板上にInGa... [more] ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70
pp.39-44
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
08:40
京都 京大桂キャンパス 半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上
松浦圭吾坂井繁太山口敦史金沢工大ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83
我々は、低コスト高性能緑色半導体レーザの実現に向け、へき開面を共振器ミラーとして利用した半極性面上InGaN量子井戸構造... [more] ED2016-67 CPM2016-100 LQE2016-83
pp.51-54
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
09:05
京都 京大桂キャンパス MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用
森 拓磨三好実人江川孝志名工大ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84
InGaN混晶を吸収層に用いた窒化物系太陽電池は、原理的に太陽光の大半のスペクトルを吸収することが可能であるため、有毒元... [more] ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84
pp.55-59
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
16:55
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用
岡本晃一立石和隆川元 駿西田知句玉田 薫九大)・船戸 充川上養一京大ED2015-80 CPM2015-115 LQE2015-112
プラズモニクスの利用は,高効率発光ダイオード(LED)の発光効率を改善する有効な方法のひとつである.我々は2004年に,... [more] ED2015-80 CPM2015-115 LQE2015-112
pp.63-68
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
14:35
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善
加畑智基堤 達哉三好実人江川孝志名工大ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119
InGaN混晶半導体は、そのバンドギャップ制御により太陽光スペクトルの広範囲をカバーできることから、新たな太陽電池用材料... [more] ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119
pp.95-99
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
14:15
愛知 豊橋技科大VBL棟 分子線エピタキシー法により成長したInGaNナノプレートの光学特性
光野徹也静岡大)・酒井 優山梨大)・岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21
直径50-200 nm、高さ1500 nmのGaNナノ支柱状結晶上に直径が200-800 nm程度で厚さが50 nmの極... [more] ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21
pp.17-19
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
11:25
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚
児玉和樹Hasan Md Tanvir野村裕之福井大)・重川直輝阪市大)・山本暠勇葛原正明福井大ED2014-75 CPM2014-132 LQE2014-103
本論文では, AlN/Si(111), α-Al2O3(0001), GaN/α-Al2O3(0001)基板上に成長温度... [more] ED2014-75 CPM2014-132 LQE2014-103
pp.9-14
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
13:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 m面GaN基板上InGaN量子井戸の発光特性
栗原 香長尾 哲三菱化学)・山口敦史金沢工大ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105
m面GaN基板上のInGaN量子井戸構造は,非極性の特徴を生かした高効率発光デバイスへの応用が期待されているが,従来紫波... [more] ED2014-77 CPM2014-134 LQE2014-105
pp.19-22
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
13:40
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 非極性InGaN量子井戸の偏光特性
坂井繁太山口敦史金沢工大)・栗原 香長尾 哲三菱化学ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106
非極性InGaN量子井戸を活性層に利用した素子の設計において偏光特性は重要な要素とされている. 一般的に, この偏光特性... [more] ED2014-78 CPM2014-135 LQE2014-106
pp.23-26
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
15:10
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討
渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122
InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流に対してMQW構造がどのように影響しているか、について考察した。これま... [more] ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122
pp.103-106
CPM 2014-09-05
09:55
山形 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 NEA半導体フォトカソードへの応用を目指したGaN系半導体の量子効率および耐久性の研究
佐藤大樹西谷智博前川拓也本田善央天野 浩名大CPM2014-84
負の電子親和力(Negative Electron Affinity: NEA)状態の表面を持つ半導体(NEA半導体フォ... [more] CPM2014-84
pp.49-54
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
14:20
大阪 大阪大学 吹田キャンパス InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察
渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105
InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQW... [more] ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105
pp.31-34
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-24
15:16
静岡 静岡大学 InGaN量子井戸の2波長励起フォトルミネッセンスによる評価
村越尚輝トウヒドル イスラム福田武司鎌田憲彦埼玉大)・荒川泰彦東大EID2012-21
時間分解フォトルミネッセンス(PL)および非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長... [more] EID2012-21
pp.49-52
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
14:30
大阪 大阪市立大学 ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析
波多腰玄一布上真也東芝ED2012-86 CPM2012-143 LQE2012-114
ウルツ鉱構造InGaNでは伝導帯側にバンドギャップエネルギーと同じオーダーのエネルギー差を持つバンドがあり,これを介した... [more] ED2012-86 CPM2012-143 LQE2012-114
pp.97-101
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-17
14:30
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
久志本真希谷川智之本田善央山口雅史天野 浩名大ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22
MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101) GaNストライプ上に発光波長435nm~590nm、井戸... [more] ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22
pp.15-18
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