お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2021年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 62件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・三村高志NICT/富士通研ED2017-82
In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMT及びIn0.7Ga0.3Asチャ... [more] ED2017-82
pp.37-40
MW, ED
(共催)
2017-01-27
09:55
東京 機械振興会館地下2階1号室 HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響
大澤一斗野口真司祢津誠晃木瀬信和宮本恭幸東工大ED2016-103 MW2016-179
高い電子移動度を持つIII-V族化合物半導体が将来のnMOSFETのチャネル材料として期待されている。その実現のためには... [more] ED2016-103 MW2016-179
pp.35-40
ED 2016-12-19
14:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]Evaluation of transistor performance in single and double δ-doping in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well
Amine El MoutaouakilHiroki SugiyamaHideaki MatsuzakiNTTED2016-80
 [more] ED2016-80
pp.1-5
ED 2016-12-19
14:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTED2016-81
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] ED2016-81
pp.7-12
ED 2015-12-21
13:45
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTED2015-92
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を,温度30... [more] ED2015-92
pp.7-11
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-27
14:15
青森 青森県観光物産館アスパム [招待講演]Ga溶融バンプを用いたFluidic Self Assemblyによる異種材料集積化技術
前澤宏一中野 純柴田知明森田弘樹坂本 宙山田悟史森 雅之富山大R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36
異種材料デバイス集積技術は,これまで蓄積されてきた半導体ナノプロセス技術を新しいアプリケーション分野に展開するために重要... [more] R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36
pp.27-32
ED 2015-07-25
10:40
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス
木下治紀祢津誠晃三嶋裕一金澤 徹宮本恭幸東工大ED2015-44
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マル... [more] ED2015-44
pp.39-44
WPT, MW
(共催)
2015-04-16
15:25
東京 機械振興会館 InGaAs HEMTを用いた60GHz帯リアクティブ負帰還F級電力増幅器の設計
渡邊邦彦楳田洋太郎東京理科大)・吉田智洋末光哲也東北大WPT2015-4 MW2015-4
本報告では,InGaAs HEMTを用いて入出力整合回路を備えた60GHz帯モノリシックF級電力増幅器の設計について述べ... [more] WPT2015-4 MW2015-4
pp.15-19
ED 2014-12-22
14:10
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 InGaAsチャネルHEMT及びグラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング
川崎鉄哉吉田智洋菅原健太Adrian Dobroiu渡辺隆之杉山弘樹若生洋由希東北大)・可児淳一寺田 純桑野 茂NTT)・吾郷浩樹河原憲治九大)・岩月勝美末光哲也尾辻泰一東北大ED2014-100
InGaAsチャネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)、及びグラフェンチャネルFETを用いて、差周波12.5~37.5... [more] ED2014-100
pp.9-13
ED 2014-12-22
14:35
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 90GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの出力特性
渡邊一世NICT)・遠藤 聡NICT/富士通研)・笠松章史NICT)・三村高志NICT/富士通研ED2014-101
InGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は,高速・高周波・低雑音特性に優れるだけでなく,ミリ波帯... [more] ED2014-101
pp.15-19
OPE, LQE
(共催)
2014-12-19
12:05
東京 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) [奨励講演]微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタ
野崎謙悟松尾慎治藤井拓郎武田浩司倉持栄一納富雅也NTTOPE2014-145 LQE2014-132
InPフォトニック結晶スラブ導波路中に,長さ1.7ミクロン程度の微小なInGaAs埋め込みヘテロ(BH)構造を形成したp... [more] OPE2014-145 LQE2014-132
pp.31-35
ED 2014-08-01
13:30
東京 機械振興会館B3-1室 [招待講演]低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造
宮本恭幸金澤 徹米内義晴加藤 淳藤松基彦柏野壮志大澤一斗大橋一水東工大ED2014-56
高いオン電流($I_{on}$)と低いオフ電流 ($I_{off}$) を低電源電圧で実現することは、論理回路応用の為に... [more] ED2014-56
pp.19-24
ED 2014-08-01
14:20
東京 機械振興会館B3-1室 III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析
矢島悠貴大濱諒子藤川紗千恵藤代博記東京理科大ED2014-57
Si MOSFETの微細化限界が近づきつつある現在,微細化に依らない性能向上の実現のため,III-V族化合物半導体をチャ... [more] ED2014-57
pp.25-28
SDM 2014-01-29
10:25
東京 機械振興会館 [招待講演]MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
入沢寿史小田 穣池田圭司守山佳彦三枝栄子W Jevasuwan前田辰郎産総研)・市川 麿長田剛規秦 雅彦住友化学)・宮本恭幸東工大)・手塚 勉産総研SDM2013-137
(111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に... [more] SDM2013-137
pp.9-12
ED, MW
(共催)
2014-01-16
11:20
東京 機械振興会館 MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET
金澤 徹三嶋裕一木下治紀上原英治宮本恭幸東工大ED2013-115 MW2013-180
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。そのさらなる性能向上を目指して、... [more] ED2013-115 MW2013-180
pp.29-33
ED 2013-12-16
13:55
宮城 東北大通研 埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・三村高志富士通研/NICTED2013-92
InP系HEMTをより高速化する手段の一つとして,ゲート電極フット先端をバリア層に埋め込んだ構造がある.本研究においては... [more] ED2013-92
pp.13-17
QIT
(第二種研究会)
2013-11-18
- 2013-11-19
東京 早稲田大学 [ポスター講演]GHz駆動が可能なバランス型単一光子検出器の設計とその評価
橋本裕史富田章久岡本 淳北大
低消費電力かつ小型化が可能になるため,単一光子検出器にはAPDが広く用いられている.近年,高ビットレートの量子鍵配送など... [more]
SDM 2013-11-14
15:50
東京 機械振興会館 [招待講演]量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFETシミュレーション
鍾 菁廣小田中紳二阪大SDM2013-105
量子流体(QHD)モデルは電子輸送のマクロモデルとして重要であり, 拡散スケーリングによって量子エネルギー輸送(QET)... [more] SDM2013-105
pp.31-36
LQE, OCS, OPE
(共催)
2013-10-24
10:00
福岡 門司港・海峡ロマンホール イオン注入法を用いたサブバンド間遷移超高速全光ゲートスイッチの高性能化
秋本良一フェン ジジュン牛頭信一郎物集照夫石川 浩産総研OCS2013-48 OPE2013-94 LQE2013-64
イオン注入による量子井戸混合法を用いて,異なるバンドギャップもつInGaAs/AlAsSb量子井戸光導波路を接続したマイ... [more] OCS2013-48 OPE2013-94 LQE2013-64
pp.5-8
EST, MWP, OPE, MW, EMT, IEE-EMT
(共催) [詳細]
2013-07-18
14:05
北海道 稚内総合文化センター 高次直列結合量子井戸マイクロリング波長選択スイッチ
荒川太郎神谷 宙池原広樹カトフ レドワン國分泰雄横浜国大MW2013-68 OPE2013-37 EST2013-32 MWP2013-27
InGaAs/InAlAs多重量子井戸をコア層とするマイクロリング共振器を用いて4次直列結合マイクロリング波長選択スイッ... [more] MW2013-68 OPE2013-37 EST2013-32 MWP2013-27
pp.125-130
 62件中 1~20件目  /  [次ページ]  
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会