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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EST | 2023-05-19 13:25 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
3次元半陰的FDTD法に基づくTM透過型偏光子の解析 ○宮尾浩斗・柴山 純・山内潤治・中野久松（法政大）  EST2023-5 |
3 次元半陰的有限差分時間領域 (FDTD) 法を用いて InAs による半導体層を利用した TM 透過/TE 除去TH... [more] | EST2023-5 pp.23-27 |
| ED, MWPTHz (共催) |
2022-12-19 16:45 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | テラヘルツ応用に向けたIn0.8Ga0.2As及びInAs複合チャネルを有するInP-HEMTの比較解析 ○佐々木太郎・堤 卓也・杉山弘樹・中島史人（NTT） ED2022-77 MWPTHz2022-48 |
近年のトラヒック需要の高まりや，センシング・イメージングなどの新しい応用展開へ向けて，300 GHz－3 THzの超高周... [more] | ED2022-77 MWPTHz2022-48 pp.28-33 |
| SDM | 2021-01-28 16:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御 ○隅田 圭・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） SDM2020-54 |
III-V nMOSFETの本質的な3つの課題である, 低半導体容量, 強い膜厚揺らぎ散乱, 多量の界面準位の問題を克服... [more] | SDM2020-54 pp.21-24 |
| EST | 2021-01-22 15:35 |
ONLINE | オンライン開催 | 陰的及び半陰的FDTD法によるTM透過型THz導波路偏光子の高効率解析 ○五味頌子・柴山 純・山内潤治・中野久松（法政大） EST2020-77 |
陰的及び半陰的有限差分時間領域（FDTD）法を用いてTM透過型THz導波路偏光子を効率良く解析する． はじめに，陰的な... [more] |
EST2020-77 pp.124-128 |
| EST | 2020-01-31 14:15 |
大分 | 別府国際コンベンションセンター（小会議室31） | テラヘルツ帯におけるTE透過/TM除去導波路型偏光子の解析 ○髙橋澄玲・柴山 純・山内潤治・中野久松（法政大） EST2019-98 |
誘電体導波路に半導体層を装荷したテラヘルツ帯におけるTE透過/TM除去導波路型偏光子を提案する. はじめに，2次元偏光子... [more] | EST2019-98 pp.97-102 |
| PN, EMT, OPE, EST, MWP, LQE (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2019-01-17 11:40 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | フォトニック結晶CirDレーザに向けた深掘ドライエッチングに関する研究 ○曽 理・溝口 舜・張 秀宇・竹内健斗・梶井博武・森藤正人・丸田章博・近藤正彦（阪大） PN2018-35 EMT2018-69 OPE2018-144 LQE2018-154 EST2018-82 MWP2018-53 |
本研究では円形共振器(CirD)フォトニック結晶レーザを作製するために，レジストマスクを用いてInAs量子ドットを含むG... [more] | PN2018-35 EMT2018-69 OPE2018-144 LQE2018-154 EST2018-82 MWP2018-53 pp.23-26 |
| EST | 2018-09-06 15:15 |
沖縄 | 久米島イーフ情報プラザ（沖縄県久米島町） | 試料槽を設けたテラヘルツ表面プラズモン共鳴導波路型センサの特性評価 ○吉原 啓・柴山 純・山内潤治・中野久松（法政大） EST2018-49 |
試料槽を設けたTHz帯における表面プラズモン共鳴(SPR)センサの特性を性能指数を用いることで定量的に評価する. まず,... [more] | EST2018-49 pp.35-39 |
| LQE | 2018-02-23 12:45 |
神奈川 | 古河電工横浜事業所 | ［招待講演］光通信向けAPDの開発コンセプトと実用化 ～ ガードリングフリー・プレーナ型AlInAs-APD ～ ○柳生栄治（三菱電機） LQE2017-153 |
光ファイバ通信用途において，InPを増倍に用いるアバランシェフォトダイオード(InP-APD)に対し，材料物性的により優... [more] | LQE2017-153 pp.11-14 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2017-82 |
In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMT及びIn0.7Ga0.3Asチャ... [more] | ED2017-82 pp.37-40 |
| ED | 2016-12-19 14:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | ［招待講演］Evaluation of transistor performance in single and double δ-doping in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well ○Amine El Moutaouakil・Hiroki Sugiyama・Hideaki Matsuzaki（NTT） ED2016-80 |
[more] | ED2016-80 pp.1-5 |
| LQE, OPE, EMD, R, CPM (共催) |
2016-08-25 10:10 |
北海道 | 函館ロワジールホテル | AlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドFPレーザの作製 ○鈴木純一・林 侑介・井上慧史・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） R2016-21 EMD2016-25 CPM2016-34 OPE2016-55 LQE2016-30 |
高効率III-V/SOIハイブリッドレーザ実現に向け、光閉じ込めも可能なAlInAs酸化電流狭窄構造を有するFabry-... [more] | R2016-21 EMD2016-25 CPM2016-34 OPE2016-55 LQE2016-30 pp.9-14 |
| TL | 2016-01-29 13:00 |
東京 | 明治大学（駿河台）アカデミーコモン8階308E教室 | 倫理を制限する正義 ～ レヴィナスの「顔」の概念と正義の二面性 ～ ○辻 和希（早大） TL2015-57 |
エマニュエル・レヴィナスは、主体の思考を超え出る「無限なる他者」を想定した他者論を展開させたことで知られている。そうした... [more] | TL2015-57 pp.13-18 |
| LQE | 2015-12-18 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Realization and Applications of Mass-Productive Quantum Dot Lasers ○Kenichi Nishi（Univ.Tokyo）・Keizo Takemasa・Mitsuru Sugawara（QDLaser）・Yasuhiko Arakawa（Univ.Tokyo） LQE2015-130 |
The improvements in self-assembled InAs quantum dots (QDs) h... [more] | LQE2015-130 pp.31-35 |
| OPE, OME (共催) |
2015-11-27 09:15 |
香川 | サンポートホール高松 | ［招待講演］GaInAsP半導体ナノレーザを用いたバイオセンシング／イメージング ○馬場俊彦・羽中田庄司・渡部 工・高橋大智・古田祐樹・渡邊敬介・阿部紘士・岸 洋次・酒本真衣・北 翔太（横浜国大） OME2015-70 OPE2015-136 |
GaInAsPフォトニック結晶ナノレーザは発振特性が周囲の屈折率や電荷に依存するため、蛍光標識を用いないバイオセンサーと... [more] | OME2015-70 OPE2015-136 pp.31-36 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-28 10:55 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | 100Gbpsデータセンター通信用途低消費電力25.8Gbps動作直接変調AlGaInAs MQW DFB-LD ○中村直幹・島田征明・境野 剛・柳楽 崇・山口晴央・奥貫雄一郎・杉立厚志・竹見政義（三菱電機） R2015-40 EMD2015-48 CPM2015-64 OPE2015-79 LQE2015-48 |
データセンター内の通信容量の増大にともない，100Gbpsの高速データ通信システムの導入が進んでおり，同時に低消費電力化... [more] | R2015-40 EMD2015-48 CPM2015-64 OPE2015-79 LQE2015-48 pp.87-90 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-28 14:50 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | 1.1μm帯広帯域量子ドットリッジ導波路型LDの開発 ○吉沢勝美・沢渡義規（パイオニアマイクロテクノロジー）・赤羽浩一・山本直克（NICT） R2015-46 EMD2015-54 CPM2015-70 OPE2015-85 LQE2015-54 |
光情報通信応用を目的とした新波長帯としてT-Band(1000-1260nm)とO-Band(1260-1360nm)に... [more] | R2015-46 EMD2015-54 CPM2015-70 OPE2015-85 LQE2015-54 pp.115-118 |
| LQE, LSJ (共催) |
2015-05-21 15:15 |
石川 | 金沢能楽美術館 | OCT光源応用を目指した自己組織化InAs量子ドットベース近赤外広帯域光源 ○尾崎信彦・保田拓磨・柴田 弘（和歌山大）・大河内俊介（NEC）・渡辺英一郎・大里啓孝・池田直樹・杉本喜正（物質・材料研究機構）・ホッグ リチャード（シェフィールド大） LQE2015-5 |
医療用光断層イメージング技術(OCT)の高性能化に寄与する光源開発を目的とし、GaAs 基板上の自己組織化InAs量子ド... [more] | LQE2015-5 pp.25-28 |
| SDM | 2013-12-13 09:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 多結晶シリコン薄膜デバイスによるフォトセンサ ○大山翔平・松村 篤・門目尭之・田中 匠・松田時宜・木村 睦（龍谷大） SDM2013-118 |
本研究ではpin Thin-Film Photo-Transistor (TFPT)の電流電圧特性の照度依存性と、pol... [more] | SDM2013-118 pp.13-18 |
| OPE, LQE, CPM, EMD, R (共催) |
2013-08-29 10:45 |
北海道 | サンリフレ函館 | InP基板上type-II InAs/GaSb超格子を用いた中赤外センサ ○三浦広平・猪口康博（住友電工）・河村裕一（阪府大） R2013-32 EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31 |
中赤外センサの受光材料として注目を集めているtype-II InAs/GaSb超格子は、結晶成長には通常GaSb基板が使... [more] | R2013-32 EMD2013-38 CPM2013-57 OPE2013-61 LQE2013-31 pp.19-24 |
| NC, IPSJ-BIO (連催) |
2013-06-28 13:35 |
沖縄 | 沖縄科学技術大学院大学 | 軸索伸長に関わる主要酵素推定 ○丸野由希（奈良先端大）・作村諭一（愛知県立大）・池田和司（奈良先端大） NC2013-10 |
細胞機能は，多様なリン酸化酵素が絡む分子間相互作用で実現される．しかしその多様性と複雑な相互作用により，主要酵素の発見が... [more] | NC2013-10 pp.123-126 |
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