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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:00 |
東京 | 日立中研 | ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上 ○熊崎祐介・尾崎史朗・美濃浦優一・牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・中村哲一（富士通研）  ED2018-77 MW2018-144 |
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として，オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入す... [more] | ED2018-77 MW2018-144 pp.51-54 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 10:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価 ○市村幹也・三好実人・田中光浩（日本ガイシ）・江川孝志（名工大） ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 |
格子長とバンドギャップの独立制御が可能な四元混晶を障壁層とするInAlGaN/GaN HEMT構造のMOCVD成長および... [more] | ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 pp.99-103 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 09:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED ○平山秀樹・藤川紗千恵（理研/埼玉大/JST）・高野隆好・椿 健治（松下電工） ED2008-169 CPM2008-118 LQE2008-113 |
波長250-280nm帯の紫外LED・LDは殺菌用途への展開が予測され、高効率・高出力化が期待されている。Inを数%程度... [more] | ED2008-169 CPM2008-118 LQE2008-113 pp.83-88 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 14:55 |
福井 | 福井大学 | 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED ○福島康之・高瀬裕志・薄田 学・折田賢児・上田哲三・田中 毅（松下電器） ED2007-159 CPM2007-85 LQE2007-60 |
紫外発光ダイオード（LED）は光触媒や白色LEDの励起光源等への応用が期待されている。今回紫外LEDの低コスト化を実現で... [more] | ED2007-159 CPM2007-85 LQE2007-60 pp.19-23 |
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