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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［特別招待講演］酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用 ○曲 勇作・古田 守（高知工科大）  EID2020-10 SDM2020-44 |
非晶質酸化物半導体であるIn–Ga–Zn–O(IGZO)は室温スパッタ成膜可能なことからフレキシブルデバイスの半導体材料... [more] | EID2020-10 SDM2020-44 pp.37-41 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 14:15 |
京都 | 京都大学 | アモルファス酸化物半導体を用いたクロスポイント型シナプス ○田中 遼・杉崎澄生・木村 睦（龍谷大） EID2017-20 SDM2017-81 |
我々は脳型集積システムに向けたクロスポイント型シナプスをアモルファス酸化物半導体を用いて作製した。クロスポイント型シナプ... [more] | EID2017-20 SDM2017-81 pp.45-49 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-29 17:05 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | フッ素による酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの欠陥終端効果と信頼性に及ぼす影響 ○古田 守・ジャン ジンシン・辰岡玄悟・王 大鵬（高知工科大） SDM2015-8 OME2015-8 |
本研究では酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるフッ素による欠陥終端効果とその信頼性影響... [more] | SDM2015-8 OME2015-8 pp.31-34 |
| ICD | 2015-04-17 10:50 |
長野 | 信州大学 | ［招待講演］Vt キャンセル書込方法を用いた結晶性In-Ga-Zn Oxide FETによる128kb 4bit/cell 不揮発性メモリ ○松嵜隆徳・大貫達也・長塚修平・井上広樹・石津貴彦・家田義紀・坂倉真之・熱海知昭・塩野入 豊・加藤 清・奥田 高・山元良高（半導体エネルギー研）・藤田昌宏（東大）・小山 潤・山崎舜平（半導体エネルギー研） ICD2015-9 |
c軸配向した結晶性In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) FETを用いたnonvolatile oxide... [more] | ICD2015-9 pp.39-44 |
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