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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, SIPH
(共催)
2018-12-06
17:10
東京 慶應義塾大学 III-V/Siハイブリッド集積に向けた二段テーパ構造の高光結合効率
菊地健彦住友電工/東工大)・鈴木純一立花文人東工大)・井上尚子八木英樹住友電工)・Moataz Eissa御手洗拓矢雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大OPE2018-129 LQE2018-139 SIPH2018-45
III-V族半導体から成るアクティブ素子とSiフォトニクスのハイブリッド集積技術は,小型,高速かつ,低消費電力な次世代の... [more] OPE2018-129 LQE2018-139 SIPH2018-45
pp.161-164
SDM 2018-11-08
11:20
東京 機械振興会館 [招待講演]酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2018-66
本研究では,超低消費電力な集積回路実現に向け,酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] SDM2018-66
pp.11-16
SDM 2018-01-30
11:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2017-92
本研究では,酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた,Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果ト... [more] SDM2017-92
pp.5-8
SDM 2017-06-20
16:50
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
伊藤公一大田晃生黒澤昌志洗平昌晃池田弥央牧原克典宮崎誠一名大SDM2017-30
卓越した電子物性が理論予測されているSiやGeなどのIV族元素の二次元結晶を作成することを目指し、SiやGeと共晶反応を... [more] SDM2017-30
pp.43-48
OME, SDM
(共催)
2015-04-30
10:00
沖縄 大濱信泉記念館多目的ホール [招待講演]高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ~ 直接遷移構造化を目指して ~
黒澤昌志竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大SDM2015-9 OME2015-9
光通信帯域(波長: 1.5 $mu$m)に合致する光学材料として,我々はシリコンスズ(SiSn)半導体に着目している.格... [more] SDM2015-9 OME2015-9
pp.35-37
CPM 2014-10-24
16:20
長野 信州大学工学部 地域共同研究センター3階研修 キャンパスマップ17番 成長室を用いた溶液成長法によるSnS堆積
山中雄貴兼森遥平・○高野 泰石田明広静岡大CPM2014-110
溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させている。溶液は、塩化スズ、アセン、トリ エタノールアミン、チオアセトア... [more] CPM2014-110
pp.29-32
SDM 2014-06-19
16:55
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ~ 低融点Snの活用 ~
黒澤昌志名大/学振)・田岡紀之名大)・池上 浩九大)・竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大SDM2014-60
積層型 CMOS 回路や近赤外・中赤外光フォトディテクタの新規材料として,我々は IV 族多元半導体(GeSn, SiS... [more] SDM2014-60
pp.91-95
OPE, EMD, CPM, LQE
(共催)
2009-08-21
09:00
宮城 東北大学 半導体量子井戸型素子を可飽和吸収体として用いた受動モード同期フェムト秒ファイバソリトンレーザ
正田史生中沢正隆東北大)・秋本良一石川 浩産総研EMD2009-44 CPM2009-68 OPE2009-92 LQE2009-51
半導体量子井戸中のサブバンド間遷移(Intersubband transition : ISBT)は、ある一定以上のTM... [more] EMD2009-44 CPM2009-68 OPE2009-92 LQE2009-51
pp.93-96
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