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CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD
(共催)
QIT
(併催) [詳細]
2018-03-08
13:50
静岡 東レ総合研修センター [招待講演]Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望
原 直紀高橋 剛川野陽一中舍安宏富士通/富士通研EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに比べて電子移動度・電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なト... [more] EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67
pp.9-10
SDM 2016-01-28
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス
竹中 充金 栄現韓 在勲亢 健一宮佑希程 勇鵬朴 珍權金 相賢高木信一東大SDM2015-124
本論文では,Siプラットフォーム上にSiGeやGe,III-V族半導体を集積することで光電子集積回路を実現するCMOSフ... [more] SDM2015-124
pp.17-20
OPE, OFT
(共催)
2012-03-02
14:00
東京 機械振興会館 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ
森田 健上山日向北田貴弘井須俊郎徳島大OFT2011-79 OPE2011-205
本研究では、歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層に含むGaAs/AlAs多層膜... [more] OFT2011-79 OPE2011-205
pp.31-34
MW, ED
(共催)
2011-01-14
13:25
東京 機械振興会館 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET
金澤 徹寺尾良輔山口裕太郎池田俊介米内義晴加藤 淳宮本恭幸東工大ED2010-188 MW2010-148
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] ED2010-188 MW2010-148
pp.69-73
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-29
08:55
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ
北田貴弘高橋朋也森田 健井須俊郎徳島大PN2009-51 OPE2009-189 LQE2009-171
共振器内での光カー効果を利用した面型全光スイッチとして機能するGaAs$\slash$AlAs多層膜光共振器を分子線エピ... [more] PN2009-51 OPE2009-189 LQE2009-171
pp.85-88
SDM 2008-06-10
09:55
東京 東京大学(生産研 An棟) III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術
安田哲二宮田典幸産総研)・大竹晃浩物質・材料研究機構SDM2008-49
22 nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして,III-V族半導体のnチャネルへの導入が注... [more] SDM2008-49
pp.41-46
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