| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD (共催) QIT (併催) [詳細] |
2018-03-08 13:50 |
静岡 | 東レ総合研修センター | ［招待講演］Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望 ○原 直紀・高橋 剛・川野陽一・中舍安宏（富士通/富士通研）  EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67 |
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに比べて電子移動度・電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なト... [more] | EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67 pp.9-10 |
| SDM | 2016-01-28 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス ○竹中 充・金 栄現・韓 在勲・亢 健・一宮佑希・程 勇鵬・朴 珍權・金 相賢・高木信一（東大） SDM2015-124 |
本論文では，Siプラットフォーム上にSiGeやGe，III-V族半導体を集積することで光電子集積回路を実現するCMOSフ... [more] | SDM2015-124 pp.17-20 |
| OPE, OFT (共催) |
2012-03-02 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ ○森田 健・上山日向・北田貴弘・井須俊郎（徳島大） OFT2011-79 OPE2011-205 |
本研究では、歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層に含むGaAs/AlAs多層膜... [more] | OFT2011-79 OPE2011-205 pp.31-34 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET ○金澤 徹・寺尾良輔・山口裕太郎・池田俊介・米内義晴・加藤 淳・宮本恭幸（東工大） ED2010-188 MW2010-148 |
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] | ED2010-188 MW2010-148 pp.69-73 |
| OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT (共催) |
2010-01-29 08:55 |
京都 | 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 | 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ ○北田貴弘・高橋朋也・森田 健・井須俊郎（徳島大） PN2009-51 OPE2009-189 LQE2009-171 |
共振器内での光カー効果を利用した面型全光スイッチとして機能するGaAs$\slash$AlAs多層膜光共振器を分子線エピ... [more] | PN2009-51 OPE2009-189 LQE2009-171 pp.85-88 |
| SDM | 2008-06-10 09:55 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術 ○安田哲二・宮田典幸（産総研）・大竹晃浩（物質・材料研究機構） SDM2008-49 |
22 nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして，III-V族半導体のnチャネルへの導入が注... [more] | SDM2008-49 pp.41-46 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]